다층 프린트 회로판 및 그의 제조 방법 document_id 1019910005144

[청구항 1] 절연층과 회로 도체층이 교대로 복수층 적층 접착해서 되는 다층 프린트 회로판에 있어서 상기 절연층이 일반식(i) 〔식중, x는 -o-, -s-, -so-, -so212 2 -, -co-, (r 5 , r 6 는 수소, 저급알킬기, 저급플루오로알키, 아릴렌), n은 0또는 1의 정수 rf은 탄소수1~10의 피플루오로알킬기를 나타내고, 시아나미독는 에테로결합에 대해서, m-또는 p-의 위치에 있다〕로 표시되는 비스시아나미드 화합물을 함유하는 플루오르 함유 열경화성 수지 조성물의 경화물로 부터 되는 것을 특징으로 하는 다층 프린트 회로판 [청구항 2] 제1항에 있어서,절연층이 멜라민환 또는 이소멜라민환을 함유하는 플루오로함유경화물인것을특징으로 하는다층 프린트 회로판. [청구항 8] 제7항에 있어서,반도체 소자가 1메가비트 이상의 집적도를 가지는메로리인것을특징으로 하는전자장치. [청구항 9] 일반식(i) 〔식중, x는 -o-, -s-, -so-, -so-, -co-, 수소, 저급알킬기, 저급플루오로알키, 아릴렌),n은 0또는 1의 정수 rf는 탄소수1~10의 피플루오로알킬기를 나타내고, 시아나미드기는 에테로결합에 대해서, m-또는 p-의 위치에 있다〕로 표시되는 비스시아나미드 화합물100중량부에 대해서, 에틸렌성 불포화 이중결합을 함유하는 화합물, 에폭시계 화합물, 페놀계 화합물, 멜라민계 화합물, n-치환 불포화아미드기를 가지는 화합물, 시아네이트계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 중에서 적어도 1종류를 10~900중량부 배합해서 되는 것을 특징으로 하는 플루오르 함유 열경화성 수지 조성물 [청구항 10] 일반식(i) 〔식중, x는 -o-, -s-, -so-, -so 2 -, -co-, 수소, 저급알킬기, 저급플루오로알키, 아릴렌),n은 0또는 1의 정수 rf는 탄소수1~10의 피플루오로알킬기를 나타내고, 시아나미드기는 에테로결합에 대해서, m-또는 p-의 위치에 있다〕로 표시되는 비스시아나미드 화합물을 함유하는 플루오르 함유 수지 조성물을 100~250℃로 가열하는 것에 의해 얻어지는 경화물이 메라민환 및/또는 이소멜라민환을 함유하는 플루오르 함유 경화물이고, 1㎒에 있어서의 비유전율이 3.0이하, 5%중량 감소온도가 400℃이상, 난연성이 ul-94규격으로 v-o인 것을 특징으로 하는 절연식 경화물 [청구항 11] 일반식 〔식중, x는 -o-, -s-, -so-, -so 2 -, -co-, 수소, 저급알킬기, 저급플루오로알키, 아릴렌),n은 0또는 1의 정수 rf는 탄소수1~10의 피플루오로알킬기를 나타내고, 시아나미드기는 에테로결합에 대해서, m-또는 p-의 위치에 있다〕를 함유하는 플루오르 함유 수지 조성물을, 직표 부직포를 함침, 건조해서 되는 것을 특징으로 하는 경화성 시이트 [청구항 14] 반도체 소자와 리드부와의 사이에 접착층이 게재해서 되는 반도체 장치에 있어서 접착층이 150℃이상에서 가열하는 것에 의해, 200℃이상의 유리 전위 온도, 1x10 -5 ~1x10 -3 ωㆍ㎝의 저항률을 나타내고, 비유전율ε가 5.0이하의 플루오르 함유 경화물인 것을 특징으로 하는 반도체 장치