문맥 (context)
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,금속막은내화성인반도체 메모리 장치.
[청구항 5]
제 3 항에 있어서,불순물이 거의 없는 진성 실리콘 막은 접촉홀내에서 안티퓨즈를 구성하도록금속막과배선층이격되어증착된반도체 메모리 장치.
[청구항 6]
제 3 항에 있어서,불순물이 거의 없는 실리콘 산화물 막 또는 실리콘 질화물 막은 접촉홀내에서 안티퓨즈를 구성하도록금속막과배선층이격되어증착된반도체 메모리 장치.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,배선층과 제 1 및 제 2 실리콘 막은 제 2 접촉홀이 교절에 위치하게 되고, 제 1 접촉홀이 제 2 접촉홀 사이에 위치하게 되는 한 매트릭스형성하는장치.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,불순물과 무관한 진성 실리콘 막은 각각의 제 2 접촉홀내에 배치되고, 각각의 금속 막 및 배선층을 분리하여 최소한 하나의 안티퓨즈 메모리 셀구성하는장치.
[청구항 12]
제 9 항에 있어서,불순물과 무관한 실리콘 산화물 막 또는 실리콘 질화물 막은 각각의 제 2 접촉홀내에서 배치되고,각각의 금속 막 및 배선층을 분리하여 최소한 하나의 안티퓨즈 메모리 셀구성하는장치.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,상기 제 1 실리콘 막이 실리콘의 금속 화합물포함하는반도체 장치.
[청구항 19]
제 17항에 있어서,상기 제 1 실리콘막 및 제 2 실리콘 막이 상기 와이어 가진 매트릭스안에 배열되며, 상기 제 2 접촉홀이 교차점에 위차하여, 제 1 접촉홀이 상기 제 2 접촉홀 사이위치하는반도체 장치.
[청구항 20]
제 17 항에 있어서,상기 제 1 실리콘 막이 제 1 절연층이 없는 기판상의 불순물 확산층인반도체 장치.
[청구항 22]
제 20항에 있어서,상기 제 2 도전 막안의 상기 제 1 영역이 p-형 폴리실리콘이고, 상기 제 2 도전 막안의 제 2 영역이 n-형 폴리실리콘이며, 상기 절연층이 실리콘 이산화물을 포함하고, 상기 제 3 도전 막이 알루미늄포함하는반도체장치.
[청구항 26]
제 25 항에 있어서,상기 제 3 도전체 막이 제 2 개구를 통해 제 2 개구를 통해 제 2 도전체 막의 상기 제 1 영역접촉하는반도체 rom 메모리 장치.
[청구항 27]
제 25 항에 있어서,상기 제 3 도전체 막이 제 2 개구를 통해 제 2 도전체 막의 상기 제 2 영역접촉하는반도체 rom 메모리 장치.
[청구항 29]
제 28 항에 있어서,상기 제 1 실리콘 막이 배선층과 격자형태로 배열되며, 상기 접촉홀이 상호 접촉부증착되는반도체 메모리 장치.
[청구항 31]
제 30 항에 있어서,상기 금속화층이 알루미늄으로 이루어지며, 상기 제 1 도핑요소가 안으로 이루어지며, 상기 제 2 도핑요소가 인으로 이루어지며, 그리고 내 막이 티타늄으로 이루어진 안티퓨즈를 기초로한 프로그램가능한리드 온리 메모리.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 5항과 6항에 기재된 내용을 바탕으로, 접촉홀 내에서 안티퓨즈를 구성하기 위해 금속막과 배선층 사이에 이격되어 증착될 수 있는 막의 종류를 모두 나열하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 5항과 6항을 분석하여 안티퓨즈를 구성하기 위해 금속막과 배선층 사이에 이격되어 증착되는 막의 종류를 모두 찾아내는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5항에서 '불순물이 거의 없는 진성 실리콘 막'이 금속막과 배선층 사이에 이격되어 증착된다는 내용을 추출한다.
- 불순물이 거의 없는 실리콘 산화물 막 또는 실리콘 질화물 막은 접촉홀내에서 안티퓨즈를 구성하도록금속막과배선층이격되어증착된
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3근거 선택
evidence_selection청구항 6항에서 '불순물이 거의 없는 실리콘 산화물 막 또는 실리콘 질화물 막'이 금속막과 배선층 사이에 이격되어 증착된다는 내용을 추출한다.
- 불순물이 거의 없는 실리콘 산화물 막 또는 실리콘 질화물 막은 접촉홀내에서 안티퓨즈를 구성하도록금속막과배선층이격되어증착된
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4논리 통합
logical_integration청구항 5항과 6항에서 언급된 막들을 종합하면 진성 실리콘 막, 실리콘 산화물 막, 실리콘 질화물 막이 된다.
- 불순물이 거의 없는 진성 실리콘 막은 접촉홀내에서 안티퓨즈를 구성하도록금속막과배선층이격되어증착된
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 세 가지 막의 종류를 나열하여 질문에 대한 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변으로 불순물이 거의 없는 진성 실리콘 막, 불순물이 거의 없는 실리콘 산화물 막, 불순물이 거의 없는 실리콘 질화물 막을 제시한다.
최종 답변 (final_answer)
불순물이 거의 없는 진성 실리콘 막, 불순물이 거의 없는 실리콘 산화물 막, 불순물이 거의 없는 실리콘 질화물 막
핵심 해석 (core_interpretation)
안티퓨즈를 형성하기 위해 금속막과 배선층 사이에 이격 배치되어 증착될 수 있는 실리콘 기반의 막(진성 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물)의 종류를 규정하고 있다.