문맥 (context)
[청구항 6]
반도체 본체면에 형성된 소스/드레인 영역(18)을 가지며 상기 면에 게이트(22)를 갖는 적어도 하나의 트랜지스터(12)와
상기 게이트의 측벽부에 증착 산화물(30)로 형성된 측벽 스페이서(24, 25)와
상기 측벽 스페이서(24,25)와 자동 배열된 소스/드레인 영역에 상기 면의 실리사이드 영역(26,27,31,32)과 함께 소스 및 드레인 영역을 갖는 트랜지스터와/ 게이트(20)를 포함하여 상기 소스/드레인 영역과 동일한 형태의 소스 및 드레인 영역(19)과, 상기 게이트(20)위의 상기 게이트에 인접한 상기 소스 및 드레인 영역 위에 상기 증착 산화물의 마스킹층(30)을 포함하는 정전기 방전(esd)보호 디바이스(11)를 구비하며, 상기 esd 보호 디바이스가 상기 게이트 또는 상기 게이트에 인접한 상기 소스 및 드레인 영역위의 상기면에 실리사이드 영역을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자(10)
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,적어도 하나의 트랜지스터는 n-및, p-채널 mos트랜지스터들포함하는것을특징으로 하는집적회로 소자.
[청구항 8]
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기esd 보호 디바이스는 p-형 반도체에 형성되며상기소스및드레인 영역형인것을특징으로 하는집적회로소자.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,상기 디바이스는 상기 면에 형성된 p-채널 및 n-채널 mos트랜지스터들포함하는것을특징으로 하는집적회로 소자.
[청구항 10]
제 6 항에 있어서,상기esd 보호 디바이스는 상기 게이트의 폭보다 큰 거리로 상기 게이트로부터 이격진 상기 소스 및 드레인 영역에실리사이드영역갖는것을특징으로 하는집적회로소자.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기esd 보호 디바이스의 상기 소스 및 드레인 영역으로의 금속-실리사이드접촉부포함하는것을특징으로 하는집적회로소자.
[청구항 17]
제 12항에 있어서,상기 제 2 트랜지스터는 esd보호 디바이스인것을특징으로 하는집적회로소자 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
집적회로 소자(10) 내의 ESD 보호 디바이스(11)가 게이트 또는 게이트에 인접한 소스 및 드레인 영역 상의 면에서 실리사이드 영역을 갖지 않도록 하는 구성 요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationESD 보호 디바이스(11)가 게이트 또는 인접한 소스/드레인 영역 상에서 실리사이드 영역을 갖지 않도록 만드는 구성 요소를 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 ESD 보호 디바이스의 구성 요소와 실리사이드 영역이 형성되지 않는 조건에 관한 내용을 추출한다.
- 상기 게이트(20)위의 상기 게이트에 인접한 상기 소스 및 드레인 영역 위에 상기 증착 산화물의 마스킹층(30)을 포함하는 정전기 방전(esd)보호 디바이스(11)
- 상기 esd 보호 디바이스가 상기 게이트 또는 상기 게이트에 인접한 상기 소스 및 드레인 영역위의 상기면에 실리사이드 영역을 갖지 않는 것을 특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection실리사이드 영역이 형성되지 않도록 마스킹 역할을 수행하는 핵심 구성 요소인 '증착 산화물의 마스킹층(30)'을 선택한다.
- 상기 게이트(20)위의 상기 게이트에 인접한 상기 소스 및 드레인 영역 위에 상기 증착 산화물의 마스킹층(30)
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4논리 통합
logical_integration청구항 6의 문맥상, ESD 보호 디바이스가 특정 영역(게이트 및 인접 소스/드레인)에 실리사이드 영역을 갖지 않는 이유는 해당 영역 위에 증착 산화물의 마스킹층이 존재하기 때문임을 파악한다.
- 상기 esd 보호 디바이스가 상기 게이트 또는 상기 게이트에 인접한 상기 소스 및 드레인 영역위의 상기면에 실리사이드 영역을 갖지 않는 것을 특징으로 하는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 구성 요소는 증착 산화물의 마스킹층(30)임을 결론짓는다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 구성 요소를 리스트 형식으로 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
["증착 산화물의 마스킹층(30)"]
핵심 해석 (core_interpretation)
ESD 보호 디바이스의 게이트 및 인접 소스/드레인 영역에 실리사이드가 형성되는 것을 방지하기 위해 증착 산화물을 마스킹층으로 활용하는 기술적 구성을 나타낸다.