반도체장치 및 그 번인방법 document_id 1019910007520

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 복수의 전위는 외부로부터 인가되는 전원전위와 이를 내부에서 승압시킨전위포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 복수의 전위는 외부로부터 인가되는 전원전위와 이를 내부에서 강압시킨전위포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 복수의 전위는 외부로부터 인가되는 전원전위가 내부에서강압된 내부전원전위와 이를 내부에서 승압시킨전위포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 복수의 전위는 외부로부터 인가되는 전원전위가 내부에서 강압된 내부전원전위와 이를 내부에서 강압시킨전위포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 6] 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 전위를 선택적이면서 가역적으로 변화시키는 수단은, 통상 동작시에는 사용되지 않는 단자를 포함하는회로구성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 7] 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 전위를 선택적이면서 가역적으로 변화시키는 수단은, 통상 동작시에는 사용되지 않는 단자에 임의의 단자로 신호가 입력되고, 또는 통상 동작시에는 사용되지 않는 범위의 전압이 입력되며, 또는 통상 동작시에 사용되는 복수의 단자에 통상 동작시에는 사용되지 않는 순서관계로 신호가 입력됨기동되도록된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 8] 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체장치는 다이나믹형 랜덤억세스메모리이고, 상기 복수의 전위중 제1전위는 워드선 및 워드선구동회로로 인가되며, 제2전위는상기워드선이외의회로인가되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 9] 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체장치는 다이나믹형 랜덤억세스메모리이고, 상기 복수의 전위중 제1전위는 워드선과 워드선구동회로 및 출력버퍼회로로 인가되며, 제2전위는상기워드선이외의회로인가되도록된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 복수 전위를 선택적이면서 또한 가역적으로 변화시키는 수단, 제1전위를 선택저기이면서 가역적으로 제2전위와 동일하게 설정할 수된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체장치는 다이나믹형 랜덤억세스메모리이고, 그 워드선을 워드선구동회로 또는 워드선구동회로로부터 전기적으로 분리할 수 있도록 된 수단을 구비하여구서된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 12] 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체장치는 다이나믹형 랜덤억세스메모리이고, 그 워드선에 선택적으로 전위를 인가하는 수단을 구비하여구성된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 복수의 전위를 선택적이면서 가역적으로 변화시키는 수단은, 제1전위를 선택적이면서 가역적으로 변화시키는 수단은, 제1전위를 선택적이면서 가역적으로 제2전위와 동일하게 설정할 수된것을특징으로 하는반도체장치.