문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기h-형 표면부분(8)의 대향하는 양단부가 실질상 서로 평행으로 뻗어있고, 상기 부유게이트전극 각각의 대향하는 양단부가, 상기 h-형 표면부분의 상기 대향하는 양단부와 실질상 평행으로 뻗어있는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이, 서로 이격된 전계절연막들(2)을 포함하며, 상기 부유게이트전극 각각이, 상기 전계절연막들중 이웃하는 두 전계절연막상의 대향하는 두부분을 포함하고 있는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이, 서로 이격된 전계절연막들(2)을 포함하고 있고, 상기 부유게이트전극(5, 15) 각각이, 상기 전계절연막들의 소정의 양 대향변부가 뻗은 제1단부를 갖는 제1부분과, 상기 양대향변부가 뻗은 방향과 실질상 평행하게 뻗은 제2단부를 갖는 제2부분 및, 상기 제1방향과 상기 제1방향을 접속하며, 상기 양대향변부가 뻗은 방향에 대해 빗각으로 뻗은 제3부분을 포함하는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이 서로 이격된 전계절연막들(2)을 포함하고 있고, 4개의 이웃하는 상기 부유게이트전극(5, 15)이 상기 전계절연막들의 소정의 양대향변부에 대해 빗각으로 뻗은 각각의 경사부분을 포함하고 있고, 상기 실질상 h-형 표면부분(8)이 상기 각각의 경사부분에 의해 한정된 변부들을 갖는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 실질상h-형 표면부분(8)이, 상기 전계절연막들중 인접하는 2개의 전계절연막에 의해 한정된 변부들을 갖는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기제1과 제2절연막이 상기 실질상 h-형 표면부분의 실질상 중앙부에 위치된 콘택트홀(10)을 갖으며, 상기 h-형 표면부분이 상기 비트라인들중 소정 비트라인들과 전기적으로 접촉된 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 부유게이트전극(15) 각각이 실질상 평행사변형 표면부분을 갖고 있는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이 상기 이격된 전계절연막들(2)을 포함하고 있고, 상기 부유게이트전극(15)이 각각이, 상기 전계절연막들의 소정의 양대향 변부와 함께 뻗어있는 제1단부와, 상기 전계절연막들의 소정의 양대향 변부와 함께 뻗어있고, 상기 제1단부와 반대측에 있는 제2단부와, 상기 전계절연막들의 소정의 양대향 변부에 대해 빗각으로 뻗은 제3단부 및, 상기 전계절연막의 소정의 양대향변부에 대해 빗각으로 뻗어 있고, 상기 제3단부와 평행인 제4단부를 포함하고 있는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 제어게이트전극(17) 각각이, 상기 전계절연막들중 한막상에 배치된 실질상 "＜"형 부분을 갖는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 11]
제8항에 있어서,상기 제어게이트전극들(17) 각각이, 제1굽은 부분과 제2굽은부분을 갖으며, 상기 제1굽은 부분에서는 인접한 두 제어게이트전극이 서로 제1거리만큼 이격돼 있고, 상기 제2굽은 부분에서는 상기 인접한 두 제어게이트전극이 상기 제1거리보다 짧은 제2거리만큼 서로 이격된 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이 서로 이격된 전계절연막들(2)을 포함하며, 상기 전게절연막 각각이 실질상 정사각형 표면부분을 갖는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이 서로 이격된 전계절연막들(2)을 포함하며, 상기 전게절연막 각각이 실질상 정사각형 표면부분을 갖고 있는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이 서로 이격된 전계절연막들(2)을 포함하고 있고, 상기 활성영역들 각각의 상기 실질상 h-형 표면부분이, 상기 전계절연막들의 소정의 양대향변부와 평행으로 뻗은 양대향변부를 갖고 있는 있는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 전계절연막(2)의 상기 소정의 양 대향변부가 상기 비트라인 같은 방향으로 뻗어있는 것이 특징인 불휘발성 반도체장치의셀어레이.
[청구항 16]
제4항에 있어서,상기 부유게이트전극들(5) 각각의 상기 제3부분이 상기 비트라인 방향에 대해 약 45″빗각으로 뻗은 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
[청구항 17]
제1항에 있어서,상기 제1절연막이, 서로 소정거리 이격되어 교호로 배열된 전계절연막들(2)을 포함하고 있는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 4항 및 16항의 내용을 바탕으로 할 때, 부유게이트전극(5)의 제3부분이 뻗어 있는 방향과 비트라인 방향 사이의 각도는 어떠한 관계를 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 4항과 16항을 참조하여 부유게이트전극(5)의 제3부분이 뻗은 방향과 비트라인 방향 사이의 각도 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4항에서 부유게이트전극의 제3부분이 양대향변부가 뻗은 방향에 대해 빗각으로 뻗어 있음을 확인한다.
- 상기 양대향변부가 뻗은 방향에 대해 빗각으로 뻗은 제3부분을 포함하는 것이 특징인 불휘발성 반도체 장치셀어레이
- 상기 부유게이트전극들(5) 각각의 상기 제3부분이 상기 비트라인 방향에 대해 약 45″빗각으로 뻗은 것
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3근거 선택
evidence_selection청구항 16항에서 제3부분이 비트라인 방향에 대해 갖는 구체적인 각도 정보를 추출한다.
- 상기 부유게이트전극들(5) 각각의 상기 제3부분이 상기 비트라인 방향에 대해 약 45″빗각으로 뻗은 것
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4논리 통합
logical_integration청구항 4항의 구조적 정의와 청구항 16항의 구체적 수치를 결합하여 두 방향 사이의 관계를 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation부유게이트전극(5)의 제3부분은 비트라인 방향에 대해 약 45도 빗각으로 뻗어 있다는 결론을 내린다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
부유게이트전극(5)의 제3부분은 비트라인 방향에 대해 약 45″빗각으로 뻗어 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
부유게이트전극의 구조적 구성 요소인 제3부분이 비트라인과 특정 각도(약 45도)를 이루며 배치됨으로써 셀어레이의 기하학적 구조를 정의한다.