문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제어전극은 상기 촬상관 타겟부와 메시전극 사이에 배치되고 상기 메시전극과 절연되어상기비주사영역상배치된것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 그의 표면상에 2차 전자의 방출을 억제하는층갖는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 2차 전자의 방출을 억제하는 층은 주로 sb2se3, as3se3 또는 cdte로 구성되는다공성 박막인것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 상기 타겟부의 비주사영역 표면상에 형성된절연층상배치되는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 절연층은 단일층 또는 2개 이상의 단일층을 적층해서 형성된 복합층이며, 상기 단일층은 산화물, 플루오르화물, 질화물, 탄화실리콘, 황화아연, 폴리이미드폴리머 및 에폭시폴리머로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나도 이루어지고, 상기 산화물은 mg, aℓ, si, ti, mn, zn, ge, y, nb, sb, ta 및 bi로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 산화물 또는 이들 원소의 적어도 2개의 산화물의 혼합물이고, 상기 플루오르화물은 li, na, mg, aℓ, k, ca, ge, sr, ln 및 ba로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 플루오르화물 또는 이들 원소의 적어도 2개의 플루오르화물의 혼합물이며, 상기 질화물은 b, aℓ 및 si로 구성되는 군에서 선택된적어도하나의질화물또는이들원소의적어도2개의질화물혼합물인것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 7]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 상기 촬상관 타겟부에 면하고 있는 상기 메시전극의 표면의 둘레부상에 형성된절연층상배치되는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 절연층은 단일층 또는 2개 이상의 단일층을 적층해서 형성된 복합층이며 상기 단일층은 산화물, 플루오르화물, 질화물, 탄화실리콘, 황화아연, 폴리이미드폴리머 및 에폭시폴리머로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어지고, 상기 산화물은 mg, aℓ, si, ti, mn, zn, ge, y, nb, sb, ta 및 bi로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 산화물 또는 이들 원소의 적어도 2개의 산화물의 혼합물이고, 상기 플루오르화물은 li, na, mg, aℓ, k, ca, ge, sr, ln 및 ba로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 플루오르화물 또는 이들 원소의 적어도 2개의 플루오르화물의 혼합물이며, 상기 질화물은 b, aℓ 및 si로 구성되는 군에서 선택된적어도하나의질화물또는이들원소의적어도2개의질화물혼합물인것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 9]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 진공으로 상기 타겟부및상기메시전극절연되어있는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 10]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 그의 중앙부에사각형의개구창갖는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 11]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 그의 중앙부에원형의개구창갖는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 12]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 그의 중앙부에타원형형의개구창갖는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 13]
제2항에 있어서,상기 제어전극nan은금속구성되는것을특징으로 하는촬상장치.
[청구항 14]
제2항에 있어서,상기 제어전극은 상기 메시전극과 대향된 적어도 그의 측면상있는촬상 장치.
[청구항 15]
제1항에 있어서,상기 광도전막은 주로 se를 함유하는 비정질 물질구성되는촬상장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제2항의 제어전극이 2차 전자 방출을 억제하기 위해 갖는 층의 구성 성분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제2항의 제어전극이 2차 전자 방출을 억제하기 위해 갖는 층의 구성 성분을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction제2항을 인용하는 제3항에서 제어전극이 2차 전자 방출을 억제하는 층을 가짐을 확인하고, 제4항에서 해당 층의 성분을 확인한다.
- 제2항에 있어서,상기 제어전극은 그의 표면상에 2차 전자의 방출을 억제하는층갖는것을특징으로 하는촬상장치
- 제3항에 있어서,상기 2차 전자의 방출을 억제하는 층은 주로 sb2se3, as3se3 또는 cdte로 구성되는다공성 박막인것을특징으로 하는촬상장치
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3근거 선택
evidence_selection제4항에 명시된 구성 성분인 sb2se3, as3se3, cdte를 근거로 선택한다.
- 상기 2차 전자의 방출을 억제하는 층은 주로 sb2se3, as3se3 또는 cdte로 구성되는다공성 박막
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4논리 통합
logical_integration제2항의 제어전극에 대한 종속항인 제3항과 제4항을 계층적으로 연결하여 층의 성분을 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation2차 전자 방출 억제층의 구성 성분은 sb2se3, as3se3, cdte이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변으로 성분 리스트를 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
sb2se3, as3se3, cdte
핵심 해석 (core_interpretation)
제어전극 표면에 2차 전자 방출을 억제하는 다공성 박막층(sb2se3, as3se3 또는 cdte)을 형성하여 촬상장치의 성능을 개선하는 기술에 관한 것이다.