전계방출 캐소드 구조 및 그의 제조방법 document_id 1019910010044

[청구항 29] 제28항에 있어서,상기 전자 방출층은 다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 30] 제28항에 있어서,상기 전자 방출층의 적어도 하나의 팁은 다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 31] 제28항에 있어서,상기 전자 방출층nan은지지층포함하는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 32] 제28항에 있어서,전자 방출층의 측부상에서 상기 적어도 하나의 에미터팁이 노출되도록 적어도 하나의 절연물질에 의해 상기 전자 방출층으로부터 분리된적어도하나의전기도체물질포함하는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 전자 방출층은 다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 34] 제32항에 있어서,상기 전자 방출층은 적어도 하나의 팁은다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 35] 제32항에 있어서,상기 전자 방출층nan은지지층포함하는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 36] 제28항에 있어서,전자 방출층의 팁 측부상에서 전기 도체 물질의 복수개의 층도 포함하며, 그 각각의 상기 적어도 하나의 에미터 팁이 노출되도록 적어도 하나의 절연 물질에 의해 상기 전자 방출층으로부터상호분리되는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 전자 방출층은 다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 38] 제36항에 있어서,전자 방출층의 적어도 하나의 팁은 다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 39] 제36항에 있어서,상기 전자 방출층nan은지지층포함하는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 40] 제28항에 있어서,전자 방출층은 팁 측부상에서 상기 팁을 노출시키도록 선택적으로 제거된하나의장벽층포함하는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 전자 방출층은 다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 42] 제40항에 있어서,상기 전자 방출층의 적어도 하나의 팁은 다층구조인것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 43] 제40항에 있어서,상기 전자 방출층nan은지지층포함하는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 44] 제28항에 있어서,상기 팁nan은전자방출물질의코팅갖는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 45] 제28항에 있어서,상기 팁은예리한것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 46] 제28항에 있어서,상기 팁nan은전자소스사용된것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 47] 제28항에 있어서,적어도 하나의 팁은 다른팁과전기적절연되는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 48] 제28항에 있어서,적어도 하나의 팁은 다른전기부품과전기적연결되는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 49] 제28항에 있어서,상기 팁nan은전기디스플레이장치사용되는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 50] 제28항에 있어서,상기 팁nan은포인트또는블레이드프로필갖는것을특징으로 하는필드 에미션 캐소드 구조. [청구항 53] 제27항의 공정에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 제품