문맥 (context)
[청구항 1]
제1전도형의 반도체기판; 상기 반도체기판상에 형성되고 액티브영역을 한정하기 위한 두꺼운 필드산화막
상기 액티브영역중 채널영역의 반도체기판상에 형성된 박막의 게이트절연막
상기 게이트절연막상에 형성되어 게이트전극으로 제공되는 제1도전층
상기 제1도전층을 절연시키기 위한 절연막
상기 액티브영역중 소스 및 드레인영역의 반도체기판에 소정깊이로 형성된 트렌치
상기 채널영역과 접하는 트렌치 측벽의 상단부를 제외한 나머지 내벽상에 형성된 확산저지막
상기 확산저지막 및 상기 채널영역과 접하는 트렌치 측벽의 상단부에 노출된 반도체기판을 덮고, 상기 제1전도형과는 반대인 제2전도형의 불순물이 도우프되어 소스 및 드레인영역으로 제공되는 제2도전층
및 상기 채널영역과 접하는 트렌치 측벽의 상단부에 노출된 반도체 기판에 상기 제2도전층내의 불순물이 확산되어 형성된 불순물확산영역을 구비한 것을 특징으로 하는 트렌치형 소스/드레인 mosfet
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 트렌치의 깊이는 0.2∼0.3㎛인것을특징으로 하는mosfet.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제2도전층은 도우핑된다결정실리콘인것을특징으로 하는mosfet.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 제1물질은포토레지스트인것을특징으로 하는mosfet의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
트렌치형 소스/드레인 MOSFET에서 트렌치 측벽의 상단부를 제외한 나머지 내벽상에 형성되어 소스 및 드레인 영역을 구성하는 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation트렌치형 소스/드레인 MOSFET의 트렌치 내벽(상단부 제외)에 형성되어 소스 및 드레인 영역을 구성하는 요소를 찾는 문제이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 트렌치의 구조와 그 내벽에 형성된 구성 요소를 확인한다.
- 상기 채널영역과 접하는 트렌치 측벽의 상단부를 제외한 나머지 내벽상에 형성된 확산저지막
- 상기 확산저지막 및 상기 채널영역과 접하는 트렌치 측벽의 상단부에 노출된 반도체기판을 덮고, 상기 제1전도형과는 반대인 제2전도형의 불순물이 도우프되어 소스 및 드레인영역으로 제공되는 제2도전층
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '트렌치 측벽의 상단부를 제외한 나머지 내벽상에 형성된 요소'에 직접 대응하는 구절을 선택한다.
- 상기 채널영역과 접하는 트렌치 측벽의 상단부를 제외한 나머지 내벽상에 형성된 확산저지막
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4논리 통합
logical_integration트렌치 내벽에 형성된 '확산저지막'이 소스 및 드레인 영역 형성과 관련된 구성 요소임을 파악한다.
- 상기 확산저지막 및 상기 채널영역과 접하는 트렌치 측벽의 상단부에 노출된 반도체기판을 덮고, 상기 제1전도형과는 반대인 제2전도형의 불순물이 도우프되어 소스 및 드레인영역으로 제공되는 제2도전층
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5결론 도출
conclusion_formulation트렌치 측벽의 상단부를 제외한 나머지 내벽상에 형성된 요소는 '확산저지막'이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 용어인 '확산저지막'을 최종 답변으로 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
확산저지막
핵심 해석 (core_interpretation)
트렌치형 MOSFET 구조에서 트렌치 측벽의 상단부를 제외한 내벽에 확산저지막을 형성하여 소스 및 드레인 영역을 구성하는 기술적 특징을 나타낸다.