CMOS 반도체장치 및 그 제조방법 document_id 1019910011609

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기제1mos트랜지스터들은 nmos트랜지스터들이고, 상기 제2mos트랜지스터들은 pmos트랜지스터들인것을특징으로하는반도체장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제2게이트측벽스페이서들이 상기 제1게이트측벽스페이서들보다 두꺼운두께가진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 두께의 두꺼운 정도는 p형 불순물과 n형불순물의확산거리의차대응하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 5] 제1항상기제1mos 트랜지스터들과 제2mos트랜지스터들이다 nmos 트랜지스터들 또는 pmos트랜지스터들이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기제1mos 트랜지스터들은 nmos 트랜지스터들이고 제2mos 트랜지스터들은 복수의 nmos 트랜지스터들과 pmos트랜지스터들이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기제1mos 트랜지스터들은 게이트전극에 셀프얼라인되고 상기 제1게이트측벽스페이서들과 셀프얼라인된 불순물 영역들의 불순물농도보다는 더 낮은불순물영역들더구비하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기제1mos트랜지스터들과 제2mos트랜지스터들이다 nmos 트랜지스터들 또는 pmos트랜지스터들이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 12] 제8항에 있어서,상기제1mos트랜지스터들은 nmos트랜지스터들이고 제2mos트랜지스터들은 복수의 nmos트랜지스터들과 pmos트랜지스터들이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기제1mos 트랜지스터들과 제2mos 트랜지스터들이다 nmos 트랜지스터들 또는 pmos트랜지스터들이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기제1mos트랜지스터들은 nmos트랜지스터들이고 제2mos트랜지스터들은 복수의 nmos 트랜지스터들과 pmos트랜지스터들이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 게이트전극 형성후, 상기 제1게이트측벽 스페이서에 셀프얼라인되는 불순물영역의 불순물농도보다 더 낮은 불순물영역을 상기 제1mos 트랜지스터의 게이트전극에 셀프얼라인되게 상기 반도체기판의 표면근방에 선택적으로 형성하는공정더구비한것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법.