VHF/UHF(초고주파/극초단파)반응기시스템 document_id 1019910013174

[청구항 1] 플라즈마 처리 반응기에 있어서 (a) 플라즈마 챔버를 한정하는 벽을 가진 하우징 (b) 웨이퍼 지지 위치를 한정하는, 상기 플라즈마 챔버내의 웨이퍼 지지 원통형 전극 수단 (c) 반응 가스를 상기 플라즈마 챔버로 공급하기 위해 상기 하우징에 위치한 가스 유입 분기관 (d) 진공 펌프 수단 ; 그리고 (e) 외부 공급원으로부터 상기 플라즈마 챔버로 선택된 주파수의 ac 에너지를 인가하는 통합 전송 선로 구조체를 포함하며, 상기 통합 전송 선로 구조체는, (ⅰ) 상기 원통형 전극 수단 (ⅱ) 상기 원통형 전극 수단을 둘러싸는 외부 콘덕터 (ⅲ) 상기 외부 콘덕터를 상기 플라즈마 챔버 벽에 전기적으로 연결시키는 전기적 연결 수단 그리고 (ⅳ) 상기 원통형 전극 수단과 상기 외부 콘덕터 사이의 절연체를 포함하며, 상기 전송 설로 구조체에 인가된 ac 에너지는 동축 케이블식으로 상기 원통형 전극 수단을 따라 상기 플라즈마 챔버로 연결되며 상기 플라즈마 침버로부터 상기 외부 콘덕터로 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 반응기 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기ac 에너지를 상기 전송 선로 구조체에 연결하기 위해 상기 전극 수단과 상기 외부 콘덕터를 접촉시키는매칭네트워크더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 원통형 전극 수단은 기둥 전극에 전기적으로 연결되며, 상기 외부 콘덕터는 주변 전극에 연결되며, 상기 매칭 네트워크는 상기 기둥 전극과 상기 주변 전극 사이에 연결되는제1가변 커패시터와제2가변 커패시터포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전송 선로 구조체의 길이는 선택된 주파수에서의 1/4 파장보다 작은 것특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 5] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 외부ac 에너지의 주파수는 약 50 내지 800㎒ 범위 내에 있으며, 상기 전송 선로 구조체의 길이는 선택된 주파수에서 1/4 파장보다 작은 것특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 6] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전송 선로 구조체의 길이는 (nλ)/2이며, 여기서 n = 1, 2, 3 ...등이며, 상기 λ는 선택된 주파수에서의 상기 ac에너지파장인것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 7] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기ac 에너지의 주파수는 약 50 내지 800㎒ 범위내에서 선택되며, 상기 전송 선로 구조체의 길이는 (nλ)/2이며, 여기서 n = 1, 2, 3 ... 등이며, 상기 λ는 선택된주파수파장인것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기ac 에너지는 제 1 가변 커패시터와 제 2 가변 커패시터를 포함하는 매칭 네트워크를 통해 상기 전송 선로구조체인가되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 매칭 네트워크는 상기 제 2 가변 커패시터와 직렬 연결되는인덕터더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 10] 플라즈마 처리 반응기에 있어서 (a) 챔버 그리고 (b) 상기 챔버 내의 전극을 포함하며, 상기 전극은, (ⅰ) 고주파 ac 에너지를 에너지 공급원으로부터 상기 챔버내의 플라즈마에 연결하기 위한 제 1 가역 경로를 제공하는 중심 콘덕터 (ⅱ) 상기 고주파 ac 에너지를 상기 에너지 공급원으로부터 상기 챔버 내의 플라즈마에 연결하기 위한 제 2 가역 경로를 제공하는 동축동심 외부 콘덕터 그리고 (ⅲ) 상기 중심 콘덕터와 상기 외부 콘덕터 사이에 삽입된 동축 동심 유전체를 포함하며, 상기 전극은 챔버 부하 임피던스와 실질적으로 동일한 특성 전송 임피던스를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 반응기 [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 고주파ac 에너지를 상기 에너지 공급원으로부터 상기 전극으로 최적으로 연결하는매칭네트워크더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 중심 콘덕터는웨이퍼지지물더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 전극은 5 내지 50오옴의 임피던스를 가진 전송 선로를 더 포함한는 것특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 14] 제10항에 있어서,상기 고주파ac 에너지는 50 내지 800㎒의범위내선택되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 전송 선로의 길이는 선택된 ac 에너지 주파수에서의 1/4 파장보다 더 작은 것특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 전송 선로의 길이는 (nλ)/2이며, 여기서 n = 1, 2, 3 ... 등이며, 상기 λ는 선택된 ac에너지주파수파장인것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기. [청구항 17] 제11항에 있어서,상기 매칭 네트워크는, (a) 가변 션트 커패시터; 그리고 (b)가변직렬커패시터포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 반응기.