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반도체장치의 게이트산화막 형성법 document_id 1019910014534

출원번호
1019910014534
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 반도체기판을 질소분위기에서 1차 어닐하는 살기 공정 이전에, 상기 반도체기판의 표면을 알칼리 세정하는공정추가하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은. nh4oh : h2o2 : h2o비율진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은 sc1(1nh4oh : 1h2o2 : 19h2o)세정액을 사용하여진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은, sc1+hf 세정액을 사용하여진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 1차어닐정공정은 650℃ 정도의 온도에서 820℃ 정도의 온도로 기판온도를 상승시키면서진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 2차어닐정공정은 820℃ 정도의 온도에서 950℃ 정도의 온도로 기판온도를 올렸다가 650℃ 정도의 온도로상기기판온도진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 반도체 기판을 1차어닐하는 상기 공정이전에 상기 반도체기판의 표면을 알칼리 세정하는공정추가하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은, nh4oh : h2o2 : h2o의비율진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은 sc1(1nh4oh : 1h2o2 : 19h2o)세정액을 사용하여진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은, sc1+hf 세정액을 사용하여진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은, nh4oh : h2o2 : h2o의비율진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은, sc1(1nh4oh : 1h2o2 : 19h2o)세정액을 사용하여진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 알칼리 세정공정은, sc1+hf 세정액을 사용하여진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 1차어닐정공정은 650℃ 정도의 온도에서 820℃정도의 온도로 기판온도를 상승시키면서진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 2차어닐정공정은 820℃ 정도의 온도에서 950℃ 정도의 온도로 기판온도를 올렸다가 650℃ 정도의 온도로상기기판온도진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치의 게이트산화막 형성법에서 1차 어닐 공정 이전에 수행되는 알칼리 세정 공정의 구체적인 세정액 구성 성분과 그 비율을 포함한 SC1 세정액의 조성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    1차 어닐 공정 이전의 알칼리 세정 공정 중 SC1 세정액의 구체적인 성분과 비율을 추출해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 4, 11, 15에서 SC1 세정액의 조성에 관한 정보를 확인한다.

    • 상기 알칼리 세정공정은 sc1(1nh4oh : 1h2o2 : 19h2o)세정액을 사용하여진행하는것을특징으로 하는반도체 장치의 게이트산화막 형성법
  3. 3근거 선택evidence_selection

    SC1 세정액의 성분인 nh4oh, h2o2, h2o와 그 비율인 1:1:19를 명시한 구절을 선택한다.

    • 상기 알칼리 세정공정은 sc1(1nh4oh : 1h2o2 : 19h2o)세정액을 사용하여진행
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 성분(nh4oh, h2o2, h2o)과 비율(1:1:19)을 결합하여 질문에 답변할 수 있는 형태로 정리한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    SC1 세정액의 조성은 nh4oh : h2o2 : h2o = 1 : 1 : 19 임을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에서 요구한 성분과 비율을 포함하여 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
sc1(1nh4oh : 1h2o2 : 19h2o)
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 게이트산화막 형성 과정 중 1차 어닐 공정 전 단계에서 수행되는 알칼리 세정 공정의 구체적인 SC1 세정액 조성(nh4oh, h2o2, h2o의 1:1:19 비율)을 정의한다.