광밸브기판반도체장치 document_id 1019910015526

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전기절연기판이수저제조된것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전기절연기판과 상기 반도체단결정박막이 음력분산층을 개재하여고정적적층된것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 픽셀어레이부는 부분적으로 반도체다결정박막 도는 반도체 아몰퍼스박막으로 이루어지고, 상기 일군의 스위치소자는 상기 반도체다결정박막 또는 반도체 아몰퍼스박막으로 제조된절연게이트전계효과박막 트랜지스터인것을특징으로 하는광밸브기판 반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 픽셀어레이부에 형성된 상기 스위치소자는 절연게이트형 전계효과박막 트랜지스터이고, 상기 각각의 박막트랜지스터는 상기 반도체단결정박막으로 제조된 소오스영역, 드레인영역 및 체널영역과, 상기 반도체단결정박막위에 적층된 게이트절연필름과, 게이트전극을 구비하고 있으며, 상기 소오스영역 및 상기 드레인영역은 상기 절연게이트형필드 효과박막 트랜지스터에 높은 절연파괴 전압을 인가할수 있도록상기전기절연층과상기반도체단결정박막사이의인터페이스이격되어있는것을특징으로 하는광밸브기판 반도체 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 일군의 픽셀전극nan은상기반도체단결정박막제조된것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 픽셀전극은 반도체다결정박막으로 제조되고, 상기 반도체다결정박막을 불순물이 도핑되거나 도핑되지 않은 다결정실리콘 또는 내화금속으로 국산화된다결정실리콘인것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 복합기판의 일부를 구성하는 상기 반도체단결정박막을 열에 의해 산화시켜서, 상기 복합기판위의 상기 일군의 픽셀전극과 상기 복합기판의 일부를 구성하는 상기 전기절연기판과의 사이에 전계산화막을 형성시키고, 상기 일군의 픽셀전극은 상기 필스산화막의 단차부에 의해서 발생될수도 있는 단절현상을 방지할 수 있도록 상기 전계산화막의 경사부를 개재하여 상기 스위치소자에전기적접속되어있는것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 픽셀어레이부는 유전막으로 제조된 일군의 픽세전극, 일군의 스위치소자 및 일군의 캐패시턴스 소자를 구비하고, 상기 각각의 패캐시턴스소자는 상기 스위치소자중 대응하는 하나의 소자로부터 선택적으로 공급되는 전하를 보유할 수 있도록 상기 픽셀전극중 대응하는 하나의 전극에 전기적으로 접속된하나의전극갖는것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 픽셀어레이부는 일군의 신호전극과 일군의 주사전극사이의 각 교차점에서 상기 스위치소자로서의 기능을 하는 일군의 다이오우드소자와 일군의 픽셀전극으로 이루어지고, 상기 신호전극 및 픽셀전극과 상기 주사전극 및 픽셀전극은 상기 픽셀전극을 선택적으로 통전시킬수 있도록 상기 다이오우드소자를 개재하여제작기전기적접속된것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 픽셀전극의 일부는 규칙적인 요철부가 형성된표면형상갖는것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 주변회로부는 상기 반도체단결정박막위에 형성된복수개의상보형절연게이트전제효과박막 트랜지스터구비한것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 주변회로부는 화상신호를 상기 픽셀어레이부의 신호전극군에 공급하기 위한 x-구동회로 및 상기 픽셀어레이부의 주사전극군을 선택적으로 주사하기 위한 y-구동회로를 갖는 구동회로와, 외부로 부터의 영상신호를 처리하여 상기 구동회로를 제어하기위한제어회로구비한것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 주변회로부는 온도를 측정하기위한 온도센서와, 입사광 또는 광신호의 강도를 검출하기 위한 광센서와, 상기 주변회로부 또는 상기 픽셀 어레이부에 전력을 공급하기 위한 태양전지와, 상기 픽셀어레이부의 소자결함을 검출하기 위한 dram감지회로중적어도하나구비한것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 16] 제12항에 있어서,상기 주변회로부는 광학적으로 거의 불투명한 것으로서, 당해 주변회로의 집적도를 개선할수 있도록 불투명 격리영역에 의해 격리된 일군의 회로소자와 일체로 형성되어 있고, 상기 픽셀 어에리부는 광에 대하여 대략 투명하고, 상기 스위치 소자군의 각 스위치 소자는 상기 픽셀 어레이부의 광학투명도를 개선할 수 있도록 투명격리영역에 의해격리되어있는것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 17] 제12항에 있어서,상기 주변회로부는 그것의 일부에 집적된외부접속단자배선갖는것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치.' [청구항 18] 제12항에 있어서,상기 반도체단결정박막상에는 쇼트기 다이오우드가 형성되어있고, 상기 주변회로부와 입출력단자는 고전압의 인가시야기될수 있는 소자의 절연파괴를 방지할수 있도록 상기 쇼트기 다이오우드를 개재하여외부접속된것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 스위치 소자는 반도체단결정박막으로 이루어진반도체단결정박막절연게이트전계효과박막트랜지스터인것을특징으로 하는광밸브기판 반도체장치. [청구항 35] 제33항에 있어서,상기 스위치 소자는 절연게이트전계효과박막트랜지스터이고, 각각의 박막 트랜지스터는게이트전극 및 반도체단결정박막으로 이루어진 한쌍의 불순물 확산영역을 가지며 상기 한쌍의 불순물 확산영역에 대응하는 상기 픽셀전극은 공통의 반도체단결정박막에 형성된하나의불순물 확산영역인것을특징으로 하는광밸브기판반도체 장치. [청구항 36] 제33항에 있어서,상기 스위치 소자는 반도체결정박막으로 이루어진반도체다결정박막절연게이트전계효과박막트랜지스터인것을특징으로 하는광밸브기판반도체 장치. [청구항 37] 제33항에 있어서,상기 스위치 소자는 상기 반도체단결정박막에 형성된 pn접합다이오우드인것을특징으로 하는광밸브기판반도체장치. [청구항 38] 제33항에 있어서,상기 픽셀전극을 반도체다결정박막으로이루어진것을특징으로 하는광밸브기판반도체 장치. [청구항 39] 제33항에 있어서,상기 전광물질을 액정이고, 상기 액정을 소정의 정렬상태로 유지하기 위한 정렬수단을 추가로 포함하되, 상기 정렬수단은 적어도 하나의 픽셀전극영역을 포함하는 상기 픽셀영역에 선택적으로 형성된규칙적요철부인것을특징으로 하는광밸브기판반도체 장치. [청구항 40] 제33항에 있어서,상기 복합기판위에 주변부에 배치되어 상기 픽셀어레이부를 구동하기 위한 구동회로부와; 단결정반도체위의 상기 주변부에 형성되어, 광전소자상의 입사광에 의해 발생되는 전력으로 상기 구동회로를 통전시키거나, 상기 광전소자에 입사되는 광신호에 따른 전기신호를 상기 구동회로에 입력신호로서 공급하기 위한광전소자를추가포함하는것을특징으로 하는광밸브기판반도체장치.