전기적으로 유도되는 에미터 및 콜렉터 영역을 갖는 래터럴 바이폴라 트랜지스터 document_id 1019910015623

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제어게이트 수단이 상기 제1확산영역(32a)과 제2확산영역(33a)간에 형성된 부분에 대응하여 상기 소자층(28)의 상주표면을 커버하는 절연층(129)과, 상기 절연층상에 상기 개재용역에 대응해서 설치되어 공급된 전압에 응답하여 상기 개재용역중에 상기 반전층(109a,110a)을 유도하는전극구비한것을특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제어게이트수단이, 상기 절연층의 상주표면상에 상기 베이스 영역에 대응하여, 상방향으로 형성된 절연재료로된돌기부더구비한것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 개재영역이, 상기 베이스영역의 양측에 형성된 제1및 제2개재영역(32a,33a)을 구비하며, 상기 제1개재영역(32a)은 상기 베이스영역(31)과 제1확산영역(32)간에 형성돼 있고, 제2개재영역(33a)은 상기 베이스영역(31)과 제2확산영역(33)간에 형성돼 있으며, 상기 제어게이트 수단(30)이, 래터럴 바이폴라 트랜지스터의 에미터 영역을 형성하는 반전층으로서, 상기 제1개재영역에 대응하는 제1반전층(32a)과, 래터럴 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역을 형성하는 반전층으로서 상기 제2개재영역에 대응하는제2반전층형성하는것특징인래터럴 바이풀라 트랜지스터. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제어게이트 수단이 상기 소자층(81)의 상주표면상에 적어도 상기 제1확산영역(109)과 제2확산 영역(110)사이에 뻗어서 형성된 절연층(103)과, 이절연층(103)상에 상기 제1개재영역(109a)과 대응하여 설치된 제1제어전극(105)및, 상기 절연층(103)상에 상기 제2개재영역(110a)에 대응하여 설치된제2제어전극구비한것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 제어게이트가, 상, 하 주표면을 갖으며 상기 소자층(28)의 상주표면상에 설치되어, 상기 제1확산영역(32)과, 제2확산영역(33)사이에 배치된 소자층의 적어도 일부를 커버하는 절연층(29)과, 상기 절연층의 상주표면 상에 상기 베이스영역에 대응하여, 상방향으로 뻗어 형성된 절연재료로된 돌기부(29a)와, 상기 절연층상에 설치되어 그 하부에 상기 돌기부를 매입 시키고 공급된 전압에 응답하여 상기 제1과 제2개재영역에 상기 제1과 제2반전층(32a, 33a)을 유도시키는전극구비한것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기 제어게이트수단이, 상하 주표면을 갖으며 상기 소자층(50)의 상주표면상에 설치되어 상기 제1확산영역(57)과 상기 제2확산영역(58)간에 배치된 소자층의 적어도 일부를 커버하는 제1절연층(52)과, 상기 제1절연층의 상주표면상에, 상기 베이스영역(56)과 제1확산영역(57)간에 형성된 제1개재 영역(57a)에 대응하여 설치되어 공급된 전압에 응답하여 제1반전층(57a)을 유도하는 제1제어전극(54)과 상기 제1절연층의 상주표면상에 상기 제2개재영역(58a)에 대응하여 설치되어 공급된 전압에 대응하여 제2반전층(58a)을 유도하는 제2게이트전극(53)과, 여기서, 상기 제2전극은, 상주표면과, 상기 베이스영역(56)과 상기 제2개재영역(58a)사이의 경계에 대응하는 측벽에 의해 한정돼 있으며, 상기 제1제어전극과 제2제어전극간의 상기 제1절연층상에, 상기 베이스영역과 대응해서 설치됨으로써, 상기 제1절연층의 상주표면으로부터 상방향으로 뻗어있고 상기 제2제어전극의 상기 측벽을 커버하는제2절연층구비한것특징인래터럴 바이풀라 트랜지스터. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제2절연층(55)이 상기 제2제어전극(53)을 커버하여 형성돼 있고, 상기 제1제어전극(54)이, 상기 제2절연층을 따라서 형성되어, 상기 측벽과 상기 제2제어전극의 상주표면의 적어도 일부를 커버하는 오우버행 구조체를 형성하는 형태로 돼있는것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 9] 제4항에 있어서,상기 제어게이트수단이, 상, 하 주표면을 갖으며 상기 소자층의 상주표면상에 설치되어 상기 제1확산영역(158b)과 제2확산영역(158a)간에 형성돼 있는 소자층의 적어도 일부를 커버하는 절연층(155)과, 상기 절연층의 상주표면상에 이 표면을 따라서 상기 베이스 영역에 대응하여 형성된, 절연재료로 된 돌기부(154)와. 이 돌기부는 1쌍의 대향하는 측벽에 의해 한정돼 있으며, 상기 돌기부의 상기 대향 측벽들을 각각 따라서 그리고 상기 제1 및 제2개재영역(162b, 162a)에 각각 대응하여 상기 절연층의 상부표면상에 설치되어, 공급된 제어전압에 응답하여 상기 제1과 제2개재영역에 반전층들을 유도하는 제1과 제2제어전극(157a)을 구비하며, 상기 제1제어전극이, 상기 제1개재영역에 대응하여 상기 절연층의 상주표면을 커버하고 있고, 상기 제2제어 전극이 상기 제2개재영역에 대응하여상기절연층의상주표면커버하고있는것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 10] 제2항에 있어서,상기 절연층의 상주표면 상에 상기 소자층의 베이스영역(108)에 대응하여 설치되어, 공급된 전압에 응답하여 상기 베이스영역중의 캐리어 밀도를 변경시키는 다른전극더구비한것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 11] 제2항에 있어서,상기 베이스영역이,제1도전형의제3확산영역구비한것특징인래터럴 바이풀라 트랜지스터. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 소자층(28)의 하주표면 하부에 상, 하 주표면을 갖는 절연기관(27)을 더 구비하며, 상기 제1과 제2확산 영역의 하주표면들이상기소자층의하주표면과일치있는것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터. [청구항 19] 제16항에 있어서,상기 도전재 패터닝 공정에서, 상기 이방성 에칭전에, 상기 도전재(167)의 상주표면상에 제3옥시드층(168)을 중착하는 공정을 행하며, 상기 이방성 에칭에 의하여 상기 스트리프형 절연영역(154a)의 측벽을 커버하는 도전재상에 잔존된 부분을 제외하고,상기제3옥시드층등을상기도전재와함께제거하는것특징인래터럴 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.