문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 기판으로 n형 실리콘사용하는고체촬상소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1산화막을 500~600å 정도의 두께형성하는고체촬상소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 질화막을 500~600å 정도의 두께사용하는고체촬상소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제2산화막을 30~60å 정도의 두께사용하는고체촬상소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 반도체층을 다결정 실리콘으로형성하는고체촬상소자.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 도전층을 금속으로형성하는고체촬상소자.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 상기 도전층을 al, cr, ti, pt 또는 w중 어느 하나형성하는고체촬상소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 광차단막을 광다이오드와 중첩되도록형성하는고체촬상소자.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 광차단막을 금속으로형성하는고체촬상소자.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 광차단막을 al 또는 w중 어느 하나형성하는고체촬상소자.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 광차단막을 500~3000å 정도의 구형성하는고체촬상소자.
[청구항 25]
제13항에 있어서,상기 반도체층, 도전층 및 광차단막 식각공정을 각각 건식 또는 습식 식각방법으로 행하는고체 촬상소자의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고체 촬상 소자의 제조 방법 중 반도체층, 도전층 및 광차단막을 식각할 때 사용할 수 있는 식각 방법의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation고체 촬상 소자 제조 시 반도체층, 도전층, 광차단막을 식각할 때 사용되는 식각 방법의 종류를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 25에서 반도체층, 도전층 및 광차단막의 식각 공정에 대한 언급을 추출한다.
- 상기 반도체층, 도전층 및 광차단막 식각공정을 각각 건식 또는 습식 식각방법으로 행하는
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3근거 선택
evidence_selection식각 방법의 종류로 명시된 '건식'과 '습식' 구절을 선택한다.
- 상기 반도체층, 도전층 및 광차단막 식각공정을 각각 건식 또는 습식 식각방법으로 행하는
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4논리 통합
logical_integration추출된 식각 방법인 건식 및 습식을 질문의 대상인 반도체층, 도전층, 광차단막 식각 공정과 연결한다.
- 상기 반도체층, 도전층 및 광차단막 식각공정을 각각 건식 또는 습식 식각방법으로 행하는
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5결론 도출
conclusion_formulation식각 방법의 종류는 건식 식각방법과 습식 식각방법임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
건식 식각방법, 습식 식각방법
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 고체 촬상 소자의 제조 방법 중 반도체층, 도전층 및 광차단막을 식각할 때 건식 또는 습식 식각 방법을 사용할 수 있음을 명시하고 있다.