문맥 (context)
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제2막의 상기 상부면은 상기 필드 산화막의 하부면과 상부면 아래배치된반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제3막은 cvd에 의해 형성된 실리콘 산화막 혹은 cvd에 의해형성되는도프되지 않은포릴 실리콘 막인 반도체 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제4막은 cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물막 혹은 고온 cvd에 의해형성된실리콘 산화막인반도체 장치.
[청구항 6]
제1항 및 제5항중 어느 항에 있어서,상기 제3막은 도프되지 않은 폴리실리콘 막이고, cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물 막의 형태로 제5막을 포함하며, 상기 제5막은 상기 제1막의 상부면과 상기 u-트렌치에서 노출된 상기 필드 산화막의 일부커버하는반도체 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 제3막은 도프되지 않은 폴리실리콘 막이고, cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물 막의 형태로 제6막을 포함하며, 상기 제6막은 상기 제2막이 존재하지 않은 상기 u-트렌치의 표면과 상기 제2막의 상기 상부면커버하는반도체 장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판이 한 전도형과 다른 전도형의 웰의 실리콘 기판으로 구성되고, 상기 u-트렌치를 다른 전도형의 상기 웰의 측면을 관통하고, 상기 u-트렌치의 상기 밑면은 다른 전도형의 상기 웰의 밑면 아래위치하는반도체 장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 한 전도형의 실리콘 기판과, 다른 전도형의 웰 및 한 전도형의 웰로, 구성되며, 상기 u-트렌치는 한 전도형의 상기 웰의 상기면과 다른 전도형의 상기 웰의 상기면을 관통하고, 상기 u-트렌치의 밑면은 한 전도형의 상기 웰과 다른 전도형의 상기 웰의 밑변 아래위치하는반도체장치.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 한 전도형의 실리콘 기판과, 다른 전도형의 매장층 다른 전도형의 에피택셜층으로 구성되며, 상기 u-트렌치가 다른 전도형의 상기 매장층관통하는반도체 장치.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 한 전도형의 실리콘 기판과 다른 전도형의 매장층과, 한 전도형의 매장층 및 다른 전도형의 에피택셜 층으로 구성되며, 상기 u-트렌치는 다른 전도형의 상기 매장층과 한 전도형의 상기 매장층관통하는반도체장치.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 한 전도형의 실리콘 기판과 다른 전도형의 매장층과, 한 전도형의 매장층 및 다른 전도형의 에피택셜 층과, 한 전도형의 상기 매장층에 연결되고 한 전도형의 상기 매장층상에 형성된 다른 전도형의 상기 에피택셜층에 형성된 웰로 구성되며, 상기 u-트렌치가 한 전도형의 상기 웰과, 다른 전도형의 상기 매장층 및 한 전도형의 상기 매장층의 상기 면관통하는반도체 장치.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 한 전도형의 실리콘 기판과 다른 전도형의 매장층과, 한 전도형의 매장층과, 다른 전도형의 에피택셜 층과, 한 전도형 상기 매장 층위에 형성되고 한 전도형의 상기 매장층에 연결된 상기 다른 전도형의 상기 에피택셜층에 제공된 한 전도형의 웰과 다른 전도형의 상기 매장층위에 다른 전도형의 상기 에피택셜 층에 제공되며 다른 전도형의 상기 매장층의 일부분에서 다른 전도형의 상기 매장층에 연결된 다른 전도형의 웰로 구성되고, 상기 u-트렌치가 한 전도형과 다른 전도형의 상기 웰과 한 전도형과 다른 저도형의 상기 매장층의 측면관통하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1항, 제5항 및 제6항의 내용을 종합할 때, 제3막이 도프되지 않은 폴리실리콘 막인 경우 제5막의 구성 성분과 해당 제5막이 커버하는 영역은 각각 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3막이 도프되지 않은 폴리실리콘 막일 때, 제1항, 제5항, 제6항을 종합하여 제5막의 구성 성분과 커버 영역을 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction제6항에서 제3막이 도프되지 않은 폴리실리콘 막인 경우, 제5막은 cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물 막의 형태를 가짐을 확인한다.
- 상기 제3막은 도프되지 않은 폴리실리콘 막이고, cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물 막의 형태로 제5막을 포함하며, 상기 제5막은 상기 제1막의 상부면과 상기 u-트렌치에서 노출된 상기 필드 산화막의 일부커버하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection제5막의 성분과 영역에 관한 직접적인 구절을 선택한다.
- cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물 막의 형태로 제5막을 포함하며, 상기 제5막은 상기 제1막의 상부면과 상기 u-트렌치에서 노출된 상기 필드 산화막의 일부커버하는
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4논리 통합
logical_integration제6항의 조건(제3막이 도프되지 않은 폴리실리콘 막)이 충족되면, 제5막은 실리콘 질화물 막이며, 그 영역은 제1막의 상부면과 u-트렌치에서 노출된 필드 산화막의 일부임을 통합한다.
- cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물 막의 형태로 제5막을 포함하며, 상기 제5막은 상기 제1막의 상부면과 상기 u-트렌치에서 노출된 상기 필드 산화막의 일부커버하는
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5결론 도출
conclusion_formulation제5막의 구성 성분은 실리콘 질화물 막이고, 커버 영역은 제1막의 상부면과 u-트렌치에서 노출된 필드 산화막의 일부이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 명시된 두 가지 항목(구성 성분, 커버 영역)을 구조화하여 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
{"구성 성분": "cvd에 의해 형성된 실리콘 질화물 막", "커버 영역": "상기 제1막의 상부면과 상기 u-트렌치에서 노출된 상기 필드 산화막의 일부"}
핵심 해석 (core_interpretation)
제3막의 종류에 따라 제5막의 성분과 커버 범위가 결정되며, 제3막이 도프되지 않은 폴리실리콘 막인 경우 제5막은 실리콘 질화물 막으로서 제1막 상부면과 노출된 필드 산화막 일부를 커버한다.