문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 도전층에는 여러개의 개구부가 마련되고 또한 상기 도전층은적어도상기구동용절연게이트 전계효과트랜지스터와상기부하용절연게이트 전계효과트랜지스터의게이트전극사이배치되어있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 도전층은 동일 평면상에서 0.1~0.4μm의 범위내에서 소정의 거리만큼 다른 도정층으로부터 떨어져있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 부하용 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 채널nan은다결정 실리콘층내형성되어있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 도전층은 메모리셀 내에서 상기 데이타선이 접속되는 콘택트패드로서 기능하는도전층과동일층형성되어있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 콘택트패드로서 기능하는 도전층은 상기 구동용 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 소어스를 접지전위로 고정하는 상기 도전층으로 부터 0.1~0.4μm의 범위내에서 소정의 거리만큼 떨어져있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 부하용 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연층에옥시니트라이드사용되는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,제1도전형의 불순물이온이 첨가된 폴리실리콘은 상기 구동용 절연게이트 전계효과 트랜지스터 및 전송용 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 소오스 및 드레인영역으로서 기능하는 고농도 n형 불순물영역상에선택적형성되어있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 부하용 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 게이트전극 과 반도체기판 사이의 접합점에 있어서, 접합점에 인접하는 상기 게이트전극의 표면은 평탄하게있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 제1도전형의 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 소오스 또는 드레인으로서 기능하는 고농도 불순물영역이반도체기판의주표면상형성되어있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 제2도전형의 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 드레인영역은 상기 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 게이트전극과 동일층에 형성되고, 상기 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 채널영역으로서 기능하는 다결정 실리콘층은 상기 드레인영역에 전기적으로 접속되며, 상기 게이트영역과 게이트전극 사이의 상기 다결정 실리콘층의 일부가 고저항 드레인영역형성하고있는것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리 장치에서 콘택트패드로서 기능하는 도전층과 구동용 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 소오스를 접지전위로 고정하는 도전층 사이의 이격 거리는 어느 정도 범위인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation콘택트패드로서 기능하는 도전층과 구동용 트랜지스터의 소오스를 접지전위로 고정하는 도전층 사이의 이격 거리 범위를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 콘택트패드 기능을 하는 도전층을 정의하고, 청구항 6에서 두 도전층 사이의 거리를 명시한다.
- 상기 콘택트패드로서 기능하는 도전층은 상기 구동용 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 소어스를 접지전위로 고정하는 상기 도전층으로 부터 0.1~0.4μm의 범위내에서 소정의 거리만큼 떨어져있는
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3근거 선택
evidence_selection두 구성 요소 간의 구체적인 이격 거리가 언급된 청구항 6의 문구를 선택한다.
- 0.1~0.4μm의 범위내에서 소정의 거리만큼 떨어져있는
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4논리 통합
logical_integration청구항 6에 따르면 콘택트패드 도전층과 소오스 접지 고정 도전층 사이의 거리는 0.1~0.4μm 범위 내로 설정되어 있다.
- 0.1~0.4μm의 범위내에서 소정의 거리만큼 떨어져있는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 이격 거리의 범위는 0.1~0.4μm이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 수치 범위를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
0.1~0.4μm의 범위 내
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 메모리 장치 내에서 콘택트패드 역할을 하는 도전층과 구동용 트랜지스터의 소오스 접지 고정용 도전층 사이의 물리적 이격 거리를 0.1~0.4μm 범위로 제한하여 설계한다.