집적된 회로 패드용 정전기 방전 보호장치 document_id 1019910023592

[청구항 2] 모노크리스탈 반도체상에 형성된 n - 타입 전도도 에피텍셜층에 집적된 한 회로의 외부 전기연결 패드의 과전압으로부터 보호를 위한 집적된 구조가 상기 n - 타입 에픽텍셜층과 상기 패드부 돌출부로부터 일정거리에 있는 반도체 수정기질 공유접촉영역 제1영역내에 형성된 n + 타입으로 묻힌층 상기 패드와 상기 묻힌층 각 영역들 사이 분리거리의 중간 영역내에 형성된 첫 번째 n + 타입의 깊은확산 영역 상기 패드를 항奎 측면에 직각으로 묻힌층의 한 측면을 따라 형성 되고 그 묻힌층과 에피텍셜층 표면 사이에서 연장된 적어도 한 제2n + 타입 깊은 확산영역 제1의 p + 타입 전도도 확산 영역으로서 측면의 한 pnp 트랜지스터 에미터 영역을 구성하고 상기 묻힌층을 향한 제1의 n 타입의 깊은 확산영역에 인접하여 그 측면을 따라 형성되고 그리고 상기 패드의 금속화층에 의해 제1의 n + 타입 깊은확산 영역과 공동으로 전기적 접촉을 이루는 제1의 p + 타입 전도도 확산영역 상기 pnp 트랜지스터의 콜렉터 영역을 구성하는 적어도 하나의 제2의 p 타입 전도도 확산 영역으로서, 그 베이스 영역이 상기 에피텍셜층에 의해 구성되고 상기 제1의 p + 타입 전도도 확산 영역으로부터 기능적으로 분리되는 제2의 p 타입 전도도 확산영역으로, 상기 제2의 p 타입 영역 한 단부에서 기능적으로 형성 되고 한 접지금속화 층에 의해 접촉되는 전도도 확산영역 적어도 하나의 n + 타입 전도도 표면확산 영역으로서 상기 제2의 p 타입 전도도 확산 영역의 표면부에서 전도도 타입을 변환시키고 측면을 가로질러 상기의 묻힌층과 패드의 그속화층이 있는 상기 제1의 n + 깊은 확산영역에서 전기적 접촉통로를 만들기 위해 상기 제2의 n + 타입 깊은 확산 영역으로 측면으로 확산시키므로써 형성되며, 상기 묻힌층의 주변과 제1의 n + 타입 깊은 확산 영역으로 측면으로 확산시키므로써 형성되며, 상기 묻힌층의 주변과 제1의 n + 타입 깊은 확산 영역 베이스 사이 애피텍셜 층에서 분리영역에 의해 구성된 한저항동로를 포함하는 전도도 표면 확산영역 상기 n + 타입 전도도 표면 확산영역과 상기 측면의 pnp 트니스터 콜렉터와 베이스 사이에 연결된 한 제너다이오드를 구성시키는 두 번째의 p 타입 전도도 확산영역 사이의 집합을 포함함을 특징으로 하는 집적회로 패드용 정전기 방전 보호장치 [청구항 3] 제2항에 있어서,타입 전도도 확산 영역이 상기 제2의 p 타입 전도도 확산 영역과 상기 세 번째 p+ 타입 전도도 확산 영역 사이에 존재하며, 적어도 부분적으로 상기 n+ 타입 전도도 표면 확산영역에 의해 겹쳐지고, 그리고 상기 패드의 금속화층이 유전체의 절연층의 제너 접합과 겹치는 부분으로 확장되어제너접합의차단금지시키는집적된구조의 집적회로 패드용 정전기 방전 보호장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,타입 표면 확산층과 n+ 타입이 묻힌층의 전기적 접촉통로가 세 번째 n+ 타입 전도로 깊은 확산영역을 포함하고 이같은 깊은확산 영역은 상기 묻힌층의 한 측면을 따라 형성되며 이때의 한 측면은 상기 제2의 n+ 타입 전도도 깊은 확산영역이 형성되는 측면 맞은편에 위치함을특징으로하는집적된회로패드용 정전기 방전 보호장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,타입 전도도 표면 확산영역이 상기 제1의 n+ 타입 깊은확산 영역의 표면부에 형성되고 상기 회로 패드의 금속화층에 제1의 p+ 타입 전도도 확산영역과 공동으로 접촉됨을특징으로하는집적된회로 패드용 정전기 방전 보호장치. [청구항 6] 모노크리스탈 반도체상에 형성된 p - 타입 전도도 에피텍셜층에 집적된 한 회로의 외부 전기연결 패드의 과전압으로부터 보호를 위한 집적권 구조가 상기 p - 타입 에피텍셜층과 상기 패드부 돌출부로부터 일정거리에 있는 반도체 수정기질 공유접촉영역 제1영역내에 형성된 p + 타입으로 묻힌층 상기 패드와 상기 묻힌층 각 영역들 사이 분리거리의 중간 영역내에 형성된 첫 번째 p + 타입의 깊은확산 영역 상기 패드를 향한 측면에 직각으로 묻힌층의 한 측면을 따라 형성 되고 그 묻힌층과 에피텍셜층 표면 사이에서 연장된 적어도 한 제2p + 타입 깊은 확산영역 제1의 n + 타입 전도도 확산 영역으로서 측면의 한 npn 트랜지스터 에미터 영역을 구성하고 상기 묻힌층을 향한 제1의 p + 타입의 깊은확산 영역에 인접하여 그 측면을 따라 형성되고 그리고 상기 패드의 금속화층에 의해 제1의 p + 타입 깊은확산 영역과 공통으로 전기적 접촉을 이루는 제1의 n + 타입 전도도 확산영역 상기 npn 트랜지스터의 콜렉터 영역을 구성하는 적어도 하나의 제2의 n 타입 전도도 확산 영역으로서, 그 베이스 영역이 상기 에피텍셜층에 의해 구성되고 상기 제1의 n + 타입 전도도 확산영역으로부터 기능적으로 분리되는 제2의 n 타입 전도도 확산영역 적어도 하나의 세 번째 콜렉터 접촉 n + 타입 전도도 확산영역으로, 상기 제2의 n 타입 영역 한 단부에서 기능적으로 형성 되고 한 접지금속화 층에 의해 접촉되는 전도도 확산영역 적어도 하나의 p + 타입 전도도 표면확산 영역으로서 상기 제2의 n 타입 전도도 확산 영역의 표면부에서 전도도 타입을 변환시키고 측면을 가로질러 상기의 묻힌층과 패드의 금속화층이 있는 상기 제1의 p + 깊은 확산영역에서 전기적 접촉통로를 만들기 위해 상기 제2의 p + 타입 깊은 확산 영역으로 측면으로 확산시키므로서 형성되며, 상기 묻힌층의 주면과 제1의 p + 타입 깊은 확산 여역 베이스 사이 에피텍셜 층에서 분리영역에 의해 구성된 한 저항통로를 포함하는 전도도 표면 확산영역 상기 p + 타입 전도도 표면 확산영역과 상기 측면의 npn 트랜지스터 콜렉터와 베이스 사이에 연결된 한 재너다이오드를 구성시키는 제2의 n 타입 전도도 확산영역 사이의 접합을 포함함을 특징으로 하는 집적회로 패드용 정전기 방전 보호장치 [청구항 7] 제6항에 있어서,타입 전도도 확산 영역이 상기 제2의 n 타입 전도도 확산 영역과 상기 세 번째 n+ 타입 전도도 확산 영역 사이에 존재하며, 적어도 부분적으로 상기 p+ 타입 전도도 표면 확산영역에 의해 겹쳐지고, 그리고 상기 패드의 금속화층이 유전체의 제너 접합과 겹치는 부분으로 확정되어제너접합의차단금지시키는집적된구조의 집적회로 패드용 정전기 방지 보호장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,타입 표면 확산층과 p+ 타입이 묻힌층의 전기적 접촉통로가 세 번째 p+ 타입 전도도 깊은 확산영역을 포함하고 이같은 깊은확산 영역은 상기 묻힌층의 한 측면을 따라 형성되며 이때의 한 측면은 상기 제2의 p+ 타입 전도도 깊은 확산영역이 형성되는 측면 맞은편에 위치함을특징으로하는집적된회로패드용 정전기 방전 보호장치. [청구항 9] 제6항에 있어서,타입 전도도 표면 확산영역이 상기 제1의 p+ 타입 깊은확산 영역의 표면부에 형성되고 상기 회로 패드의 금속화층에 제1의 n+ 타입 전도도 확산영역과 공동으로 접촉됨을특징으로하는집적된회로 패드용 정전기 방전 보호장치.