문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1절연막은 터널산화막인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 소오스영역과 드레인영역은매몰영역인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1도전층은 불순물이 도핑된다결정실리콘층인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제2도전층은 불순물이 도핑된 다결정실리콘이거나폴리사이드층인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제2절연막은 층간절연막인막인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 제3절연막은산화막인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 소오스영역측의 상기 부유게이트일측면에서 상기 소오스영역에 이르는 부분의 상기 제3절연막과 제2도전층이센스트랜지스터형성하는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 메모리셀의 드레인은 n+확산영역연결되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 메모리셀의 프로그램과 소거시에 상기 드레인영역을 통해전자들이동되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 메모리셀의 소거시에 선택된 비트라인에 제1절연막과 부유게이트사이에 f-n터널링이 일어나도록 하기 위한 전압을 가하고 선택된 워드라인을 접지시키는 동시에 선택되지 않은 워드라인에는 선택된 비트라인전압보다 낮은전압가하는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리장치.
[청구항 24]
제12항에 있어서,상기 제6단계공정에 있어서의 금속콘택홀은 8개 또는 16개의 메모리셀마다1개씩형성되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 동작 시, 제1절연막과 부유게이트 사이에서 f-n 터널링이 발생하도록 하기 위해 비트라인, 선택된 워드라인, 그리고 선택되지 않은 워드라인에 각각 어떠한 전압 조건이 인가되어야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 동작 시 f-n 터널링을 유도하기 위한 비트라인, 선택된 워드라인, 선택되지 않은 워드라인의 전압 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11에서 소거 시의 전압 인가 조건에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 메모리셀의 소거시에 선택된 비트라인에 제1절연막과 부유게이트사이에 f-n터널링이 일어나도록 하기 위한 전압을 가하고 선택된 워드라인을 접지시키는 동시에 선택되지 않은 워드라인에는 선택된 비트라인전압보다 낮은전압가하는것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 세 가지 구성 요소(비트라인, 선택된 워드라인, 선택되지 않은 워드라인)에 대한 전압 조건 구절을 선택한다.
- 선택된 비트라인에 제1절연막과 부유게이트사이에 f-n터널링이 일어나도록 하기 위한 전압을 가하고 선택된 워드라인을 접지시키는 동시에 선택되지 않은 워드라인에는 선택된 비트라인전압보다 낮은전압가하는것
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 종합하여 비트라인은 f-n 터널링 유도 전압, 선택된 워드라인은 접지, 선택되지 않은 워드라인은 비트라인 전압보다 낮은 전압을 인가함을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation각 구성 요소별 전압 조건을 정리하여 질문에 대한 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation최종적으로 비트라인, 선택된 워드라인, 선택되지 않은 워드라인의 전압 조건을 명시하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
소거 동작 시, 선택된 비트라인에는 제1절연막과 부유게이트 사이에 f-n 터널링이 일어나도록 하기 위한 전압이 인가되고, 선택된 워드라인에는 접지 전압이 인가되며, 선택되지 않은 워드라인에는 선택된 비트라인 전압보다 낮은 전압이 인가되어야 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 동작 시, f-n 터널링을 효과적으로 유도하기 위해 비트라인, 선택된 워드라인, 선택되지 않은 워드라인에 각각 차등화된 전압 조건을 인가하는 기술에 관한 것이다.