문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,초전도소선이합금계의초전물질로된것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 3]
제2항에 있어서,전기한 핀닝센터는, 전기한 필라멘트의 긴쪽방향에 따라 매설된 비초전도물질선재로된것을특징으로하는초전도 선재.
[청구항 4]
제3항에 있어서,전기한 비초전도물질의선재의지름인것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 8]
제3항에 있어서,전기한 비초전도 물질의 선재의 단면형상이타원형인것을특징으로하는초전도 선재.
[청구항 9]
제8항에 있어서,전기한 비초전도물질의선재의단축이하인것을특징으로하는초전도 선재.
[청구항 10]
제9항에 있어서,전기한 비초전도 물질의 선재의 단면의 애스팩트비(장축의 길이/단축의길이2이상인것을특징으로하는초전도 선재.
[청구항 13]
제3항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,전기한 비초전도물질합금인것을특징으로 하는초전도선제.
[청구항 14]
제13항에 있어서,전기한 비초전도물질에 0.1-5중량%의자성물질첨가되는것을특징으로 하는초전도선재.
[청구항 15]
제13항에 있어서,전기한 초전도물질피복되어있는것을특징으로 하는초전도선재.
[청구항 16]
제15항에 있어서,전기한 비초전도물질이 0.1-5중량%의자성물질첨가되는것을특징으로 하는초전도선재.
[청구항 17]
제2항 내지 제12항중 어느 1항에 있어서,전기한 비초전도물질귀금속인것을특징으로 하는초전도선재.
[청구항 18]
제17항에 있어서,전기한 비초전도물질에 0.1-5중량%의자성물질첨가되는것을특징으로 하는초전도선재.
[청구항 19]
제2항에 있어서,전기한 필라멘트가 초전도물질로된 박과, 핀닝센터로 된 비초전도물질로 된 박이 서로 반갈이 적충된소용돌이형상물로되는것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 20]
제19항에 있어서,초전도물질의 박과 비초전도물질 박의 적충주기 가 5㎚ 100㎚의 범위에 있으며, 또한 전기의 필라멘트의 단면에 있어서는 전기한 비초전도 물질이 점유하는면적의비율이하인것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 22]
제1항초전도소선이화합물초전물질로된것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 23]
제22항에 있어서,전기한 초전도 물질이 nb3sn이고, 전기한 비초전도 물질이 ta, cu, ti, al, ge, mg, zn, zr, hf, cr로된 군에서 선택된 1종 이상이며, 전기한 핀닝센터가 전기한 nb3sn결정입 사이에 존재하는 결정입계 및 전기한 결정입계와는 별개에 존재하는 전기한비초전물질인것을특징으로하는초전도 선재.
[청구항 24]
제23항에 있어서,필라멘트속의 비초전도물질의체적비율이하인것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 28]
제1항에 있어서,초전도 소선이산화물계고온초전물질로된것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 30]
제29항에 있어서,단축이 1um이하의타원형인것을특징으로 하는초전도 선재.
[청구항 31]
제29항 또는 제30항에 있어서,전기한 필라멘트의 단면의 애스펙트비(장축의 길이/단축의길이2이상인것을특징으로 하는초전도 선재.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
초전도물질이 Nb3Sn인 초전도 선재에서, 핀닝센터로 사용되는 비초전도물질의 구성 성분과 해당 핀닝센터가 위치하는 물리적 구조적 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationNb3Sn 초전도 선재에서 핀닝센터로 사용되는 비초전도물질의 성분과 그 물리적/구조적 위치 특징을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 23에서 Nb3Sn 초전도물질과 비초전도물질의 성분, 그리고 핀닝센터의 위치에 관한 정보를 확인한다.
- 전기한 초전도 물질이 nb3sn이고, 전기한 비초전도 물질이 ta, cu, ti, al, ge, mg, zn, zr, hf, cr로된 군에서 선택된 1종 이상이며, 전기한 핀닝센터가 전기한 nb3sn결정입 사이에 존재하는 결정입계 및 전기한 결정입계와는 별개에 존재하는 전기한비초전물질인것을특징으로하는
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3근거 선택
evidence_selection비초전도물질의 성분(ta, cu, ti, al, ge, mg, zn, zr, hf, cr 중 1종 이상)과 핀닝센터의 위치(Nb3Sn 결정입 사이의 결정입계 및 결정입계와 별개로 존재하는 비초전물질)를 근거로 선택한다.
- 비초전도 물질이 ta, cu, ti, al, ge, mg, zn, zr, hf, cr로된 군에서 선택된 1종 이상이며, 전기한 핀닝센터가 전기한 nb3sn결정입 사이에 존재하는 결정입계 및 전기한 결정입계와는 별개에 존재하는 전기한비초전물질
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4논리 통합
logical_integration추출된 성분 정보와 위치 정보를 결합하여 질문에 대한 답변을 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation비초전도물질은 ta, cu, ti, al, ge, mg, zn, zr, hf, cr 중 하나 이상이며, 핀닝센터는 Nb3Sn 결정입 사이의 결정입계 또는 결정입계와 별개로 존재하는 구조를 가짐을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 명시된 두 가지 요구사항(성분, 구조적 특징)을 포함하여 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
Nb3Sn 초전도 선재에서 핀닝센터로 사용되는 비초전도물질의 구성 성분은 ta, cu, ti, al, ge, mg, zn, zr, hf, cr로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 물질이며, 해당 핀닝센터는 Nb3Sn 결정입 사이에 존재하는 결정입계 또는 결정입계와는 별개로 존재하는 비초전물질로서의 물리적 구조적 특징을 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 Nb3Sn 초전도체 내에서 결정입계 및 결정입계와 별개로 존재하는 특정 비초전물질(ta, cu 등)을 핀닝센터로 활용하여 초전도 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.