문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 보호막(32)은 그 굴절률이 1.48이상 1.65이하의 범위로 되도록질소함유하고있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 보호막(32)의 표면영역내에 질소함유량이 큰영역더구비하여이루어진것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 내부배선층(30)의 최소 배선폭이 1.2㎛이하일 때 상기 보호막(32)의 굴절률이 1.48이상 1.60이하의범위설정되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 보호막(32)은 그 굴절률이 1.48이상 1.65이하의 범위로 되도록질소함유하고있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 7]
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 보호막(32)의 표면영역내에 질소함유량이 큰영역더구비하여이루어진것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 내부배선층(30)의 최소 배선폭이 1.2㎛이하일 때 상기 보호막(32)의 굴절률이 1.48이상 1.60이하의범위설정되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 12]
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 보호막(32)을 형성하는 공정은, 상기 기판(10)의 온도가 상기 내부배선층(30)을 구성하는 물질의 융점보다 낮은 조건으로 프라즈마 분위기중에서 teos가스와 적어도 질소를 포함하는 가스를 반응시켜 굴절률이 1.48이상 1.65이하의 범위로 되도록 질소를 함유한 실리콘산화막을 형성하는공정인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 17]
제14항 또는 제15항에 있어서,상기 보호막(32)을 형성하는 공정은, 상기 기판(10)의 온도가 상기 내부배선층(30)을 구성하는 물질의 융점보다 낮은 조건으로 프라즈마 분위기중에서 teos가스와 적어도 질소를 포함하는 가스를 반응시켜 굴절률이 1.48이상 1.65이하의 범위로 되도록 질소를 함유한 실리콘산화막을 형성하는공정인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
[청구항 18]
제14항 또는 제15항에 있어서,상기 보호막(32)을 형성하는 공정은, 상기 기판(10)의 온도가 상기 내부배선층(30)을 구성하는 물질의 융점보다 낮은 조건으로 상압 cvd법에 의해 teos가스와 적어도 질소를 포함하는 가스를 반응시켜 굴절률이 1.48이상 1.65이하의 범위로 되도록 질소를 함유한 실리콘산화막을 형성하는공정인것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
내부배선층(30)의 최소 배선폭이 1.2㎛ 이하인 경우, 보호막(32)의 굴절률은 어떤 범위로 설정되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation내부배선층(30)의 최소 배선폭이 1.2㎛ 이하라는 조건이 주어졌을 때, 보호막(32)의 굴절률 범위를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4와 청구항 8에서 내부배선층의 최소 배선폭 조건과 그에 따른 보호막의 굴절률 범위를 확인할 수 있다.
- 상기 내부배선층(30)의 최소 배선폭이 1.2㎛이하일 때 상기 보호막(32)의 굴절률이 1.48이상 1.60이하의범위설정되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 기억장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 제시한 조건(배선폭 1.2㎛ 이하)과 직접적으로 대응하는 청구항 4 및 8의 구절을 선택한다.
- 상기 내부배선층(30)의 최소 배선폭이 1.2㎛이하일 때 상기 보호막(32)의 굴절률이 1.48이상 1.60이하의범위설정되는것
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4논리 통합
logical_integration배선폭이 1.2㎛ 이하인 특정 조건 하에서 보호막의 굴절률은 1.48 이상 1.60 이하로 설정된다는 인과관계를 도출한다.
- 상기 내부배선층(30)의 최소 배선폭이 1.2㎛이하일 때 상기 보호막(32)의 굴절률이 1.48이상 1.60이하의범위설정되는것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 굴절률의 범위를 명시한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1.48이상 1.60이하
핵심 해석 (core_interpretation)
내부배선층의 미세화(1.2㎛ 이하) 조건에 따라 보호막의 굴절률 범위를 1.48 이상 1.60 이하로 제한하여 최적화된 보호막 특성을 제공한다.