문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기mos 다이오우드는 상기 기준전압과 기판에 연결된 소오스전극과 게이트전극과 드레인전극이 공통접속된트랜지스터인것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기mos 트랜지스터는 상기 기준전압에 연결된 게이트 전극과 상기 pmos 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 드레인전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진트랜지스터인것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 전류미러회로는 상기 전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기에 의해 기준전류 발생회로의 기준전류보다 작은량의전류를기준전압발생회로하는것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 5]
제2항 또는 제4항에 있어서,상기 전류미러회로는 전원 전압에 연결된 소오스 전극과 게이트전극과 공통접속된 드레인전극을 가진 제2pmos 트랜지스터와 전원 전압에 연결된 소오스전극과 상기 제2pmos 트랜지스터의 게이트전극에 연결된 소오스전극과 상기 제1 pmos 트랜지스터의 소오스전극에 연결된 드레인전극을 가진 제3 pmos트랜지스터구성된것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 기준전류 발생회로는 전원전압에 연결된 소오스전극과 접지 전압에 연결된 게이트전극을 가진 제4 pmos 트랜지스터와 상기 제4 pmos 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 드레인전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진 제2 nmos 트랜지스터와 상기 전류미러회로의 제2 mpos 트랜지스터의 드레인전극에 연결될 드레인전극과 상기 제2 nmos 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 게이트 전극과 상기 제2 nmos 트랜지스터의 게이트전극에 연결된 소오스전극을 가진 제3 nmos 트랜지스터와 상기 제3 nmos 트랜지스터의 소오스전극에 연결된 저항과 상기 저항에 연결된 드레인전극과 게이트전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진 제4 nmos트랜지스터구성된것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 저항수단nan은바이폴라형다이오드사용하는것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기mos 다이오우드는 상기 기준전압과 기판에 연결된 소오스전극과 게이트전극과 드레인전극이 공통접속된트랜지스터인것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기mos 트랜지스터는 상기 기준전압에 연결된 게이트전극과 상기 pmos 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 드레인전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진트랜지스터인것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 11]
제8항에 있어서,상기 전류미러회로는 상기 전류미러 회로를 구성하는 트랜지스터의 크기에 의해 기준전압 발생회로의 기준전류보다 작은량의전류를기준전압발생회로하는것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 12]
제8항에 있어서,상기 저항수단nan은바이폴라형다이오드사용하는것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
[청구항 13]
제9항 또는 제11항에 있어서,상기 전류미러 회로는 전원 전압에 연결된 소오스전극과 게이트전극과 공통접소된 드레인전극을 가진 제2 pmos 트랜지스터와 전원 전압에 연결된 소오스전극과 상기 제2 pmos 트랜지스터의 게이트전극에 연결된 게이트전극과 상기 제 1pmos 트랜지스터의 소오스전극에 연결된 드레인전극을 가진 제3 pmos트랜지스터구성된것을특징으로 하는기준전압 발생회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
기준전압 발생회로에서 전류미러회로가 기준전류 발생회로의 기준전류보다 작은 양의 전류를 생성하기 위해 조절하는 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation기준전류보다 작은 전류를 생성하기 위해 전류미러회로에서 조절되는 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4와 청구항 11에서 전류미러회로의 동작 방식에 관한 설명을 추출한다.
- 상기 전류미러회로는 상기 전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기에 의해 기준전류 발생회로의 기준전류보다 작은량의전류를기준전압발생회로하는것을특징으로 하는기준전압 발생회로
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3근거 선택
evidence_selection전류 크기를 조절하는 직접적인 원인인 '트랜지스터의 크기'를 근거로 선택한다.
- 상기 전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기에 의해 기준전류 발생회로의 기준전류보다 작은량의전류를기준전압발생회로하는것을특징
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4논리 통합
logical_integration전류미러회로가 기준전류보다 작은 전류를 생성하는 메커니즘은 구성 트랜지스터의 크기를 조절함으로써 이루어짐을 확인한다.
- 상기 전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기에 의해 기준전류 발생회로의 기준전류보다 작은량의전류를기준전압발생회로하는것을특징
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 '전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기'를 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 요소를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기를 조절함으로써 기준전류보다 작은 양의 전류를 생성하여 기준전압을 발생시키는 기술에 관한 것이다.