드라이에칭 방법 document_id 1019920005056

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전자파 도입수단은 마이크로파 도입수단인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 에칭용 가스를 도입하는 수단은, 에칭용 가스배관과 에칭용 가스배관의 선단가스도입구와, 상기 에칭용가스의 유량조정기와 그 에칭용 가스가 그 진공처리실내에 도입될 때의 유속을 제어하는수단가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 유속을 제어하는 수단은, 가스도입구부에 설치된완층부인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 가스도입구는복수의구멍가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 에칭용 가스배관은 복수이고, 상기 진공처리실의 중심축에 대하여 실질적으로대칭설치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 가스도입구는 실질적으로상기진공처리실의중심축배치하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 진공처리실내를 배기하는 수단은 배기속도가 2000ℓ/sec이상의 성능을 가지는배기펌프인것을특징으로 하는프라즈마 처리장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 배기펌프는터보분자펌프인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 배기 콘덕턴스를 가변으로 하여 실효배기속도를 변화시키는 수단은 배기부에 설치한 콘덕턴밸브인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 배기수단은 가스의 배기속도를 변화시키는가변제어밸브가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 가스공|급은 처리실내 가스압력 5mtorr 이하에서 행해지는것을특징으로 하는플라즈마 처리방|법. [청구항 16] 제12항에 있어서,상기 가스공|급은 처리실내 압력이 1mtorr 이하에서 행해지는것을특징으로 하는플라즈마 처리방|법. [청구항 22] 제12항에 있어서,상기 가스배|기는 실효배기속도 1300ℓ/sec 이상으로 행해지는것을특징으로 하는플라즈마 처리방|법. [청구항 23] 제12항에 있어서,상기 가스배|기는 실효배기속도 2000ℓ/sec 이상으로 행해지는것을특징으로 하는플라즈마 처리방|법. [청구항 25] 제1항에 있어서,플라즈마의 |해리를 촉진하는 저장인가 수단가지는플라즈마 처리장치. [청구항 26] 제1항에 있어서,장파 도입|수단이,고주파도입수단인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 전자파|도입수단은마이크로파도입수단인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 에칭용 가스를 도입하는 수단은 에칭용 가스배관과 에칭용 가스배관의 선단가스도입구와, 상기 에칭용가스의 유량조정기와 그 에칭용 가스가 그 진공처리실내에 도입될 때의 유속을 제어하는수단가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 유속을 제어하는 수단은, 가스도입구부에 설치된완층부인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 31] 제27항에 있어서,상기 가스도|입구는복수의구멍가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 32] 제27항에 있어서,상기 에칭용 가스배관은 복수이고, 상기 진공처리실의 중심축에 대하여 실질적으로대칭설치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 33] 제27항에 있어서,상기 가스도입구는 실질적으로상기진공처리실의중심축배기하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 34] 제27항에 있어서,상기 진공처리실내를 배기하는 수단은 배기속도가 2000ℓ/sec이상의 성능을 가지는배기펌프인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 35] 제27항에 있어서,상기 배기펌|프는터보분자펌프인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 36] 제27항에 있어서,상기 배기|콘덕턴스를 가변으로 하여 실효배기속도를 변화시키는 수단은 배기부에 설치한 콘덕턴스밸브인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 37] 제27항에 있어서,상기 배기수단은 가스의 배기속도를 변화시키는가변제어밸브가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 56] 제1항에 있어서,상기 진공처|리실의높이와폭의비5이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 57] 제25항에 있어서,상기 진공처|리실의높이와폭의비5이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 58] 제1항에 있어서,상기 가스도|입구는 상기 진공처리실의 상부로부터 1/3이내의높이설치되어있는것을특징으로 하는|플라즈마 처리장치. [청구항 59] 제25항에 있어서,상기 가스도입구는 상기 진공처리실의 상부로부터 1/3이내의높이설치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 60] 제1항에 있어서,상기 에칭용|가스의 유량조정기는 40sccm이상의유량조정기능가지는것을특징으로 하는플라즈마 |처리장치. [청구항 61] 제25항에 있어서,상기 에칭용|가스의 유량조정기는 40sccm이상의유량조정기능가지는것을특징으로 하는플라즈마 |처리장치. [청구항 62] 제1항에 있어서,상기 시료대|는 평면상의 테이블형이고,표면적이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리장|치. [청구항 63] 제25항에 있어서,상기 시료대|는 평면상의 테이블형이고,표면적이상인것을특징으로 하는플라즈마 처리장|치. [청구항 64] 제1항에 있어서,상기 진공처|리실에 에칭용가스를 도입하는 수단은 100sccm 이상의 유량조정기능을 가지는 것을 특징하는플라즈마 처리장치. [청구항 65] 제25항에 있어서,상기 진공처|리실에 에칭용가스를 도입하는 수단은 100sccm 이상의 유량조정기능을 가지는 것을 특징하는플라즈마 처리장치. [청구항 68] 제1항에 있어서,상기 가스배|기수단은 동일 진공처리실에복수개펌프로이루어지는것을특징으로 하는플라즈마 처|리장치. [청구항 69] 제27항에 있어서,상기 가스배|기수단은 동일 진공처리실에복수개펌프로이루어지는것을특징으로 하는플라즈마 처|리장치. [청구항 70] 제1항에 있어서,상기 복수개|의 펌프는 웨이퍼 중심축에 대하여 축대조로 설치되고, 그 펌프와 진공처리실을 접속하는 |배기구가 웨이퍼 중심축에 대하여축대조적설치되는것을특징으로 하는플라즈마 처|리장치. [청구항 71] 제27항에 있어서,상기 복수개의 펌프는 웨이퍼 중심축에 대하여 축대조로 설치되고, 그 펌프와 진공처리실을 접속하는 배기구가 웨이퍼 중심축에 대하여축대조적설치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 72] 제1항에 있어서,상기 실효배|기속도(so)는 복수대의 배기펌프의 배기속도(sl)로부터 sn(n은 펌프의 대수를 나타내는 수|치)과 진공처리실의 배기콘덕턴스(c)에 의하여 다음식으로 표시되고, 또한 상기 실효배기속|도(so)가 펌프배기속도의 총합의 2/3이상하는것을특징으로 하는플라즈마 처|리장치. [청구항 73] 제25항에 있어서,상기 실효배|기속도(so)는 복수대의 배기펌프의 배기속도(sl)로부터 sn(n은 펌프의 대수를 나타내는 수|치)과 진공처리실의 배기콘덕턴스(c)에 의하여 다음식으로 표시되고, 또한 상기 실효배기속|도(so)가 펌프배기속도의 총합의 2/3이상하는것을특징으로 하는플라즈마 처|리장치. [청구항 74] 제1항에 있어서,상기 방전부|의 크기는 상단과 하단의 직경을 변화시켜 하단부 직경이 상단부 직경보다 크고, 그 하단부|는 에칭식의 웨이퍼의 높이보다 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용공개하는|것임.