문맥 (context)
[청구항 1]
반도체기판의 제1절연막상에 형성되고 제1전도형의 불순물이 도우프된 제1도전층
상기 제1도전층을 덮는 제2절연막
상기 제1도전층상의 제2절연막에 형성된 콘택홀
상기 콘택홀내에 노출된 상기 제1도전층, 콘택홀 내벽 및 상기 제2절연막의 소정부위에 형성된 반도체층
상기 반도체층을 덮는 박막의 게이트절연막
상기 콘택홀 및 상기 콘택홀의 입구주변부상에 오버랩되도록 상기 게이트절연막상에 형성된 제2도전층
상기 콘택홀내의 상기 제1도전층과 접촉되는 상기 반도체층내에 상기 제1도전층내의 불순물이 상방향으로 확산되어 형성된 제1불순물영역
상기 제2절연막상에 반도체층내에 상기 제2전도형의 불순물이 도우프된 제2불순물영역
및 상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층으로 제공되는 채널영역을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 박막트랜지스터
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 박막트랜지스터의 채널영역의 사이즈가상기콘택홀의넓이및깊이설정되는것을특징으로 하는반도체 메모리장치의 박막트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1불순물nan은인것을특징으로 하는반도체 메모리장치의 박막트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리장치의 박막트랜지스터에서 채널영역은 어떤 범위 내에 한정되어 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체 메모리장치의 박막트랜지스터에서 채널영역이 형성되는 구체적인 범위를 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 채널영역의 위치와 범위를 설명하는 구절을 찾는다.
- 상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층으로 제공되는 채널영역
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3근거 선택
evidence_selection채널영역의 한정 범위를 명시한 핵심 구절을 선택한다.
- 상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층
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4논리 통합
logical_integration채널영역은 제1불순물영역과 제2불순물영역 사이의 영역이며, 콘택홀 내측벽상의 반도체층에 위치함을 결합한다.
- 상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 채널영역의 범위를 정리한다.
- 상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층
최종 답변 (final_answer)
상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1불순물영역과 제2불순물영역 사이의 특정 범위 내에서, 콘택홀 내측벽상의 반도체층을 통해 채널영역이 형성되는 박막트랜지스터 구조를 정의한다.