문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,프로팅 게이트는 터널 유전막을 통하여 제2불순물 확산층과 증복하는연속성 기억 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,제2전극은 제2불순물 확산층, 프로팅 게이트, 제1전극과 제1불순물 확산층의 제2절연막배설되는연속성 기억 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,포로팅 게이트는 정렬에 의거하여 제1전극의 측벽상의 측벽 스페이서배설되는연속성 기억 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,방향으로 연속 형성되는 복수의 메모리셀은 반도체 기판의 표면과 병렬로 그리고 한방향에 직교하는 다른 방향으로 제공되고, 그리고 다른 방향으로 인접하여 제공되는 메모리셀의 불순물 확산층은 매립된확산층의해서로 접속되는연속성 기억 장치.
[청구항 7]
제5항에 있어서,프로팅 게이트는 터널 유전막을 통하여 제2불순물 확산층중복되는연속성 기억 장치.
[청구항 8]
제5항에 있어서,프로팅 게이트는 자체 정렬에 의거 제1 전극의 측벽상의 측벽 스페이스제공되는연속성기억장치.
[청구항 9]
제5항에 있어서,제2전극은 인접 메모리셀의 제1불순물 확산층과, 제2전극, 프로팅 게이트, 그리고 제2불순물 확산층에 제2 절연막늘어나는연속성 기억장치.
[청구항 10]
제5항에 있어서,인접 메모리셀의 프로팅 게이트와 제1전극은 연속적으로 서로 인접되게 제공되는연속성기억장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,프로팅 게이트는 자체 정렬에 의거하여 제1 전극의 측벽에서의 측벽 스페이서제공되는연속성 기억 장치.
[청구항 13]
제11항에 있어서,제1전극은 제2불순물 확산층 사이드상의 하나의 측벽 스페이서로서 제공되는 프로팅 게이트와 그리고 또한 제1불순물 확산층 사이드에 제공되는 다른 측벽 스페이서를 가지고, 다른 측벽 스페이서는 프로팅 게이트와 동시에 형성되고, 그리고 다른 측벽 스페이서와 제1불순물 확산층서로 접속되는연속성 기억 장치.
[청구항 14]
제11항에 있어서,방향으로 연속 형성되는 복수의 메모리셀은 반도체 기판의 표면과 병렬로 그리고 한방향에 직교하는 다른 방향으로 제공되고, 그리고 다른 방향으로 인접하게 제공되는 메모리셀의 불순물 확산층은 매립된확산층의해서로 접속되는연속성 기억 장치.
[청구항 15]
제11항에 있어서,프로팅 게이트는 터널 유전막을 통하여 제2불순물 확산층중복되는연속성 기억 장치.
[청구항 16]
제11항에 있어서,인접 메모리셀의 제1불순물 확산층은 공통으로 제공되고, 제1 배선은 제1불순물 확산층에서 빼내어져, 그리고 메모리셀의 제1전극은 빼내어진 제1 배선을 통하여 서로 근접되게 제공되는연속성 기억 장치.]
[청구항 17]
제11항에 있어서,인접 메모리셀의 제2불순물 확산층은 공통으로 제공되고, 그리고 메모리셀의 프로팅 게이트는 서로 인접하여 연속제공되는연속성 기억 장치.
[청구항 18]
제11항에 있어서,프로팅 게이트는 제1전극의 측벽 사이드상의 측벽으로 제공되고, 인접 메모리셀의 제2불순물 확산층은 공통으로 제공되고, 제2 배선은 제2 불순물 확산층에서 빼내어져, 그리고 메모리셀의 프로팅 게이트는 빼내어진제2배선서로인접하게배설되는연속성 기억 장치.
[청구항 19]
제11항에 있어서,프로팅 게이트는 제1 전극의 측벽 사이드에 측벽으로서 배설되고, 인접 메모리셀의 제1불순물 확산층은 공통으로 제공되고, 그리고 메모리셀의 제1 전극은연속서로인접하게배설되는,연속성 기억 장치.
[청구항 21]
제20항에 있어서,프로팅 게이트는 터널 유전막을 통하여 제2 불순물 확산층중복되는연속성 기억 장치.
[청구항 22]
제20항에 있어서,프로팅 게이트는 자체 정렬에 의거하여 제1 전극의 측벽에 측벽 스페이서배설되는연속성기억장치.
[청구항 23]
제20항에 있어서,제1 전극은 제2 불순물 확산층에 측벽 스페이서의 하나로서 배설된 프로팅 게이트를 가지고 그리고 또한 제1 불순물 확산층 사이드에 배설되는 다른 측벽 스페이서를 가지고, 그 다른 측벽 스페이서는 프로팅 게이트와 동시에 형성되고, 그리고 다른 측벽 스페이서와 제1 불순물 확산층서로 접속되는연속성 기억 장치.
[청구항 24]
제20항에 있어서,제1배선은 메모리셀의 제2불순물 확산층에서 빼내어지고, 그리고 x의 방향으로 연속 제공되고, x의 방향으로 서로 접속되고, y의 방향으로 연속 제공되는 메모리셀의 제1불순물 확산층은 y의 방향으로 매립된 확산층서로 접속되는연속성 기억 장치.
[청구항 25]
제20항에 있어서. x의 방향으로 연속 제공되는 메모리셀의 제2 불순물 확산층에서 빼내는 제1 배선은, x의 방향으로 서로 접속되고, y의 방향으로 연속 제공되는 메모리셀의 제1 불순물 확산층은 y의 방향으로 매립된 확산층을 통하여 서로 접속되고, 프로팅 게이트는 제1게이트의 측벽 스페이서로서 배설되고, 그리고 측벽 스페이서는 제1불순물 확산층접촉하는연속성 기억 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
연속성 기억 장치에서 제1전극이 제2불순물 확산층과 제1불순물 확산층 측면에 각각 배치되는 측벽 스페이서들과 어떠한 관계를 가지며, 이때 다른 측벽 스페이서는 무엇과 동시에 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1전극이 제2불순물 확산층 및 제1불순물 확산층 측면에 배치되는 측벽 스페이서들과 가지는 관계와, 다른 측벽 스페이서가 무엇과 동시에 형성되는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13(또는 청구항 23)에서 제1전극의 구성 요소와 측벽 스페이서에 관한 정보를 추출한다.
- ,제1전극은 제2불순물 확산층 사이드상의 하나의 측벽 스페이서로서 제공되는 프로팅 게이트와 그리고 또한 제1불순물 확산층 사이드에 제공되는 다른 측벽 스페이서를 가지고, 다른 측벽 스페이서는 프로팅 게이트와 동시에 형성되고, 그리고 다른 측벽 스페이서와 제1불순물 확산층서로 접속되는연속성 기억 장치
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3근거 선택
evidence_selection제1전극이 프로팅 게이트 및 다른 측벽 스페이서를 가진다는 점과, 다른 측벽 스페이서가 프로팅 게이트와 동시에 형성된다는 구절을 선택한다.
- 제1전극은 제2불순물 확산층 사이드상의 하나의 측벽 스페이서로서 제공되는 프로팅 게이트와 그리고 또한 제1불순물 확산층 사이드에 제공되는 다른 측벽 스페이서를 가지고, 다른 측벽 스페이서는 프로팅 게이트와 동시에 형성되고
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4논리 통합
logical_integration제1전극은 제2불순물 확산층 측면의 프로팅 게이트(측벽 스페이서 역할)와 제1불순물 확산층 측면의 다른 측벽 스페이서를 모두 포함하는 관계이며, 이때 다른 측벽 스페이서는 프로팅 게이트와 동시에 형성됨을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1전극은 제2불순물 확산층 측면의 프로팅 게이트와 제1불순물 확산층 측면의 다른 측벽 스페이서를 모두 가지며, 다른 측벽 스페이서는 프로팅 게이트와 동시에 형성된다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 명확하고 간결하게 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1전극은 제2불순물 확산층 측면에 배치되는 측벽 스페이서로서의 프로팅 게이트와 제1불순물 확산층 측면에 배치되는 다른 측벽 스페이서를 모두 가지며, 이때 다른 측벽 스페이서는 프로팅 게이트와 동시에 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제1전극이 제2불순물 확산층 측면의 프로팅 게이트와 제1불순물 확산층 측면의 측벽 스페이서를 동시에 포함하는 구조적 관계를 가짐을 나타낸다.