바이폴라 트랜지스터용 다층 광대역 갭 콜렉터 구조물 및 그 제조 방법 document_id 1019920011346

[청구항 2] 제1항에 있어서,도핑된 층이 상기 베이스층과 상기 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 층 사이에 헤테로 접합이 형성되는 것을 방지자기 위해 그레이드된반도체합성물갖는것을특징으로 하는다층 광 대역갭 콜렉터 구조물. [청구항 3] 제1항에 있어서,도핑된 층과 0과 bvceo사이의 대부분의 베이스-콜렉터 바이어스 전압에서 완전하게공핍되는것을특징으로 하는다층 광대역갭 콜렉터 구조물. [청구항 4] 제1항에 있어서,도핑된 층이 상기 층을 횡단하는 다수 캐리어에 의해 얻어진 에너지가 상기 층에서 충돌 이온화에 필요한에너지 보다 더 크게 되는 것을 방지할 정도로 충분히 얇은 것특징으로 하는다층 광 대역갭 콜렉터 구조물. [청구항 5] 제1항에 있어서,도핑되거나 비계획적으로 도핑된 층이 1×1016atoms/㎠이하의도펀트농도갖는것을특징으로 하는다층 광 대역갭 콜렉터 구조물. [청구항 6] 제1항에 있어서,도핑된 층이 1×1017atoms/㎠이상의도펀트농도갖는것을특징으로 하는다층 광 대역갭 콜렉터 구조물. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 베이층이 gaas로 형성되고, 상기 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된층형성되는것을특징으로 하는다층 광 대역갭 콜렉터 구조물. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터가헤테로접합 바이폴라 트랜지스터인것을특징으로 하는다층 광 대역갭 콜렉터 구조물. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제2콜렉터층이 상기 제1콜렉터층과 상기 베이스층 사이에 헤테로 접합의 형성을 방지하기 위해 그레이드된반도체합성물갖는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 제2콜렉터층이 상기 제2콜렉터층을 횡단하는 다수 캐리어에 의해 얻어진 에너지가 상기 층에서 충돌 이온화에 필요한 에너지 보다 크게되는 것을 방지할 정도로 충분히 얇은 것특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 제2콜렉터층이 0과 bvceo사이의 대부분의 베이스-콜렉터 바이어스 전압에서 완전하게공핍되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기 제1콜렉터층이 1×1016atoms/㎠이상의도펀트농도갖는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터. [청구항 14] 제9항에 있어서,상기 제2콜렉터층이 1×1018atoms/㎠이상의도펀트농도갖는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터. [청구항 15] 제9항에 있어서,상기 기판, 상기 서브콜렉터층, 상기 베이스층 및 상기 에미터층이 gaas로 형성되고, 상기 제1 콜렉터층이 alxga1-xas로 형성되며,상기제2콜렉터층형성되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터. [청구항 16] 제9항에 있어서,상기 에미터층이 상기 베이스층 보다 더 넓은 에너지 대역갭을 갖고 있는반도체물질제조되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터. [청구항 32] 제25항에 있어서,상기 베이스층보다 넓은 에너지 대역갭을 갖고 있는 반도체 물질로 상기 에미터층을 형성하는단계더포함하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법.