문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 개구부는 반도체 표면까지 연장되어상기반도체기판의표면일부노출시킴을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1도전층은 si성분을 포함하는 제1금속층 및 si성분을 함유하지 않는제2금속층구성되어특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1도전층에서 상기 개구부의 내면, 상기 절연막 표면 및 상기 하지막의 노출된 표면 부근의 제1도전층의 저부는 si 성분을 함유하고, 상기 도전층의 상부는 실질적으로 si성분함유하지특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제1도전층은 0.5중량% 이하의 si성분을 함유하는금속구성되어특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제1도전층은 상기 개구부의 내면, 절연막 및 상기 하지층의 노출된 표면상에 형성된 내화금속 실리사이드 층 및 상기 내화금속 실리사이드 층 상에 형 성되고, si성분을 함유하지 않는 금속 및 0.5%중량 이하의 si성분을 함유하는 금속으로 구성된제1금속층구성되어특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 제1금속층은 순수 al, al-cu합금, al-ti합금 및 0.5중량%이하의 si성분을 함유하는 알루미늄 합금으로 구성된 군에서 선택된금속구성되어특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 제1도전층은, 상기 개구부의 내면, 절연막, 상기 하지층의 노출된 표면상에 형성된 내화금속층 및 상기 내화금속층상에 형성된 si성분을 함유하는제1금속층구성되어특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 절연층의 표면, 상기 개구부의 내면 및 상기 하지막의 노출된 표면상에, 상기 제1도전층의 아래에 형성된확산장벽층더포함함을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 확산장벽층은 천이금속으로 구성된 제1확산장벽층 및 천이금속화합물로 구성된제2확산장벽층구성되어특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제1항에 있어서,제1도전층상에 평탄한 표면을 갖는제2도전층더포함함을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 제2도전층은 si성분을 포함하지 않는금속구성되어특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 13]
제8항에 있어서,표면을 갖고, si성분을 함유하는 금속으로 구성된제2도전층더포함함을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 14]
제11항에 있어서,상기 제2도전층 상에 형성된반사방지막더포함함을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 반사방지막nan은천이금속화합물구성됨을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 16]
제1항에 있어서,상기 개구부는 상부에 단차부가 형성된 접촉구임특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 17]
제1항에 있어서,상기 개구부는 테이퍼 형상의 접촉구임특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 18]
제1항에 있어서,상기 개구부는 어스펙트비는 약 1.0이상특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 45]
제34항에 있어서,상기 제2도전층상에 반사방지막을 형성하는단계포함함을특징으로 하는반도체 장치의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제6항 및 제7항에 기재된 내용을 바탕으로, 제1금속층을 구성할 수 있는 금속의 종류와 각 금속의 Si 성분 함유 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제6항과 제7항을 참조하여 제1금속층을 구성하는 금속의 종류와 각 금속의 Si 성분 함유 조건을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction제6항에서 제1금속층은 Si 성분을 함유하지 않는 금속 및 0.5중량% 이하의 Si 성분을 함유하는 금속으로 구성됨을 확인한다.
- si성분을 함유하지 않는 금속 및 0.5%중량 이하의 si성분을 함유하는 금속으로 구성된제1금속층구성되어특징으로 하는반도체 장치.
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3근거 선택
evidence_selection제7항에서 제1금속층의 구체적인 금속 종류인 순수 Al, Al-Cu 합금, Al-Ti 합금, 0.5중량% 이하의 Si를 함유하는 알루미늄 합금을 선택한다.
- 순수 al, al-cu합금, al-ti합금 및 0.5중량%이하의 si성분을 함유하는 알루미늄 합금으로 구성된 군에서 선택된금속구성되어특징으로 하는반도체 장치
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4논리 통합
logical_integration제6항의 Si 함유 조건(함유하지 않음 또는 0.5중량% 이하)을 제7항의 금속 종류들과 결합하여 정리한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1금속층은 순수 Al, Al-Cu 합금, Al-Ti 합금(Si 미함유) 또는 0.5중량% 이하의 Si를 함유하는 알루미늄 합금으로 구성된다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 금속 종류와 Si 함유 조건을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
- Si 성분을 함유하지 않는 금속: 순수 Al, Al-Cu 합금, Al-Ti 합금
- 0.5중량% 이하의 Si 성분을 함유하는 금속: 0.5중량% 이하의 Si 성분을 함유하는 알루미늄 합금
핵심 해석 (core_interpretation)
제1금속층의 구성 성분으로서 Si 성분의 함유 여부 및 함량(0.5중량% 이하)에 따른 구체적인 금속 종류(Al, Al-Cu, Al-Ti 합금 등)를 규정하고 있다.