트리플 웰을 이용한 반도체 장치 document_id 1019920012438

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1도전형 반도체 기판에소정의제3바이어스공급됨을특징으로 하는반도체장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1도전형 웰이 제2도전형의 모오스 트랜지스터의 활성영역특징으로 하는반도체장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제2도전형 웰이 제1도전형의 모오스 트랜지스터를 더 가짐을 륵징으로 하는반도체장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제2도전형 웰과는 이격되고 제1도전형의 모오스 트랜지스터를 가지며 제4바이어스가 공급되는 다른하나의제2도전형웰더구비함을특징으로 하는반도체장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 제1바이어스가 전원전압보다 소정레벨 이하로 낮은 전압이고, 상기 제2바이어스가 소정레벨의 음전압이며, 상기 제3바이어스가 접지전압이며, 상기 제4바이어스가 전훤전압특징으로 하는반도체장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1도전형 기판이 상기 제3바이어스에 접속된 제1도전형의 고농도확산영역특징으로 하는반도체장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제1바이어스가 전원전압이고, 상기 제2바이어스가 소정레벨의 음전압이며, 상기 제3바이어스가 접지전압특징으로 하는반도체장치 [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 소정레벨의 음전압을 출력하는음전압발생회로률더구비함을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제1도전형 기판이 상기 제2바이어스에 접속되고 상기 웰들과는 이격된 제1도전형의 고농도확산영역특징으로 하는반도체장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제1바이어스가 전원전압보다 소정레벨이상으로 높은 전압이고, 상기 제2바이어스가 접지전압이며, 상기 제3바이어스가 전원전압특징으로 하는반도체장치 [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 제1바이어스가 전원전압보다 소정레벨 이상으로 높은 전압이고, 상기 제2바이어스가 소정레벨의 음전압이며, 상기 제3바이어스가 전원전압특징으로 하는반도체장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 제1도전형기판이 접지전압에 연결된 제1도전형의 고농도확산영역특징으로 하는반도체장치. [청구항 17] 제14항 또는 제15극에 있어서,상기 전원전압보다 소정레벨 이상으로 높은 전압을 발생하는전알펌핑회로더구비함을특징으로 하는반도체장치. [청구항 18] 제12항게 있어서,상기 제1바이어스가 전원전압보다 소정레벨이하로 낮은 전압인고, 상기 제2바이어스가 소정레벨의 음전압이며, 상기 제3바이어스가 전훤전압특징으로 하는반도체장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 제1바이어스가 전원전압도다 소정레벨이하로 낮은 전압이고, 상기 제2바이어스가 소정레벨의 음전압이며, 상기 제3바이어스가 전원전압보다 소정레벨이하로 낮은 전압특징으로 하는반도체 장치. [청구항 20] 제15항에 있어서,상기 전원전압보다 소정 레벨 이하로 낮은 전압을 출력하는내부전압발생회로더구비함을특징으로 하는반도체장치. [청구항 22] 반도체장치에 있어서 제1도전형 기관과, 상기 기관에 형성된 제2도전형웰과, 상기 제2도전형 웰내에 형성된 제1도전형웰과, 상기 제1도전형웰에 헝성된 제2도전형의 제1모오스 트랜지스떠 및 제1도전형외 제1고농도 확산 영역과, 상기 제2도전형웰에 형성된 제1도전형의 제2모모스 트랜지스터 및 제2도전형의 제2고농도 확산영역과, 상기 제1도전형 기판에 헝성된 제1도전형의 제3고농도확산영역을 구비하여, 상기 제1모오스 트랜지스터의 소오스 및 드레인과 상기 제1고농도확간영역과 상기 제2모오스 트랜지스터의 게이트와 상기 제3고농도 확산영역이 공통으로 접속되고, 상기 제1모오스 트랜지스터 의 게이트차 상기 제2모오스 트랜지스터의 소오스 및 드레인자 상기 제2고농도 확산영역이 공통으로 접속됨을 특징으로 하는 반도체장치