반도체 소자의 정전기 방지회로 document_id 1019920013820

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 채널의 양단자가 상기 전원선 사이에 접속되고 게이트 단자가 상기 전원선중 어느하나에 접속된 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 일방향 스위치수단은 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트랜지스터의 양단자를 상기 전원사이에 병렬접속하고 두 게이트단자가 상기 전원선에 교호적으로 접속하여형성됨을특징으로 하는반도체소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 다이오드로 이루어짐을 륵징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 일방항 스위치수단이 에미틴와 콜렉터를 상기 전원선사이에 접속시키고 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 7] 제2항 내지 제5항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 8] 제2항 내지 제5항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 채널의 양단자가 상기 접지선 사이에 접속되고 게이트 단자가 상가 접지선중 어느하나에 접속된 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 일방향스위치수단은 상기 접지선사이에 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트랜지스터의 채널 양단자률 서로 병렬접속하고 두게이트단자가 상기 접지선에 교호적으로 접속하여형성됨을특징으로하는반도체 소자. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 에미터와 콜렉터를 상기 전원선사이에 접속시키고 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체소자. [청구항 15] 제10항 내지 제13항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용항특징으로 하는반도체소자. [청구항 16] 제10항 내 지 제13항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 채널의 양단자가 상기 전원선 (또는 접지선)사이에 접속되고 게이트 단자가 상기 전원선 (또는 접지선)중 어느하나에 접속된 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소 자. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 피모오스 트랜지스터와, 엔도오스 트랜지스터의 채널 양단자를 상기 전원선 (또는 접지선)사이에 병렬접속하고 두 게이트단자를 상기 전원선(또는 접지선)에 교호적으로 접속하여형성됨을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 20] 제17항에 있어서. 상기 일방항 스위치수단이 다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 21] 제17항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 에미터의 콜렉터를 상기 전원선에 접속시키고 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도테 소자. [청구항 22] 제20항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자 [청구항 23] 제8항 내지 제21항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방항 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도테소자. [청구항 24] 제18항 내지 제21항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방항 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 게이트단자가 채널의 양단자 중 어느 하나에 접속된 모으스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트렌지스터의 채널 양단자를 병렬접속하고 상기 두 트랜지스터의 게이트단자를 상기 채널 양단자의 병렬접속점에 교호적으로 접속하여헝성됨을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 28] 제25항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 다이오드특징으로 하는반도체 소자 [청구항 29] 제25항에 있어서,상기 일방향 스위치수단이 에미터와 콜렉터를 상기 전원선에 접속시키고, 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도테 소자. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 31] 제26항 내지 제30항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 32] 제26항 내지 제30항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 쌍방향스위치수단은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 35] 제33항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽 전원선에 접속하고, 상기 제 1트랜지스터의 콘렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1, 제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 36] 제33항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제 1트랜지스터 의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 37] 제33항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제1다이오드와 상기 제 1다이오드와 역 방향으로 바이어스되도록 병렬 접속된 제2다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기제1,제2다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자 [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단은 상기 접지선사이에 채널의 양 단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 접지선사이에 교호적으로 접속된 두개의 엔모으스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 43] 제41항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단은 상기 접지선사이에 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 같자가 상기 접지선사이에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 44] 제41항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽접지선에 접속하고, 상기 제 1트랜지스터의 콜렉 터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽접 지 선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피옌형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 45] 제41항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제 1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜터률 한쪽접지선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽접 지선에 접속하고, 상기 제1, 제2트랜지스터와 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 46] 제41항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 접지선사이에 접속된 제1다이오드와 상기 제1다이오드와 역방향으로 바이어스되도륵 병렬 접속된 제2다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 47] 제46항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 48] 제42항 내지 제46항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 49] 제42항 내지 제46항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 쌍방항 스위치수단은 상기 전원선사이 (또는 접지선 사이)에 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 전원선 (또는 접지선)에 교호적으로 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터 임특징으로 하는반도테 소자. [청구항 52] 제50항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단은 강기 전원선사이(또는 접지선 사이)에 채널의 양단자를 서로 병렬 접속시키고 두 게이트 단자가 상기 전원선 (또는 전지선)에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 53] 제50항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선(또는 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽 전원선(또는 다른 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제 1. 제2트랜지스터의 베이스단자가 상기 각각의 콜렉터에 접속 되는 두개의 옌피엔형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 54] 제50항에 있어서,상기 쌍방항 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선(또는 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽 전원선(또는 다른 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자 [청구항 55] 제57항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제1다이오드와 상기 제1다이오드와 역방향으로 바이어스되도록 병렬 접속된 제2다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 56] 제55항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 57] 제51항 내지 제55항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 58] 제51항 내지 제55항중 어느 하나의 항에 있어서,상기스위 치수단을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 60] 제59항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 61] 제57항에 있어서,상기 쌍방향스위치수단은 채널의 양단자를 서로 병력접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 62] 제57항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제 1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터 의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 63] 제59항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원서에 접속하고, 상기 제 1트랜지스터와 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 64] 제59항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단이 제1다이오드와 상기 제 1다이오드와 역 방향으로 바이어스 되도록 병렬 접속된 제2다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 65] 제54항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 67] 제60항 내지 제64항중어느 하나의 항에 있어서. 상기 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 69] 제68항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단(508a 508b, 5o8c,508d)은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적 으로 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터 임특징으로 하는반도체 소자 [청구항 70] 제68항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단(508a 508b 508c 508d)은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터 임특징으로 하는반도체 소자. [청구항 71] 제68항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단(578a, 508b, 508c, 508d) 이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽 전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피인형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 72] 제68항에 있어서,상기 쌍방항 스위치수단 (508a,508b,503c,508d) 이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지 스퍼의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른한쪽 전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 73] 제68항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단(508a, 578b,508c,508d)이 제1다이오드와 상기 제1다이오드와 역방향으로 바이어스되도록 병렬 접속된 제2다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 74] 제73항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트렌지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 75] 제69항 내지 제73항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)을 다수개로 직렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 76] 제69항 내지 제73항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 쌍방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 78] 제77항에 있어서,상기 일방항스위치수단(508a,508b.508c,508d)은 게이트단자가 채널 양단자의 어느 하나에 접속된 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 79] 제77항에 있어서,상기 일방항스위치수단(508a.508b,508c,508d)은 게이트단자가 태널 양단자치 어느 하나에 접속된 피모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 80] 제77항에 있어서,상기 일방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)이 베이스단자가 콜렉터 단자에 접속된 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 81] 제77항에 있어서,상기 일방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)이 다이오드특징으로 하는반도체 소자. [청구항 82] 제81항에 있어서,상기 다이오드가 모오스 트랜지스터특징으로 하는반도체 소자. [청구항 83] 제78항 내지 제81항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단(508a.508b,508c,50ed)을 다수개로 직렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자. [청구항 84] 제78항 내지 제58항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 일방향 스위치수단(508a,508b,508c,50ed)을 다수개로 병렬 연결하여사용함을특징으로 하는반도체소자.