문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 트렌지스터 게이트 전극을 포함하고, 그리고 상기 선택트렌지스터의 게이트전극의 일부는 그 사이에 절연막을 끼운 상기 쌍의 메모리트렌지스터상연재하는eeprom.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 상기 제어게이트는 소정의 제1두께를 가지고, 그리고 상기 절연막은 제1두께보다 더 큰 제2두께가지는eeprom.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 질화막포함하는eeprom.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 쌍의 메모리트렌지스터의 상기 선택트렌지스터가 설치되는 측면에 상기 제어게이트에서 상기 반도체긴판의 주표면까지 설치되는 측벽절연막을 포함하고 그리고 상기 제어게이트에서 상기 반도체 기판으로 그의 두께증가하는eeprom.
[청구항 6]
제2항에 있어서,상기 게이트전극의 두께는 많아도 10nm인eeprom.
[청구항 7]
제2항에 있어서,상기 게이트전극은 상기 쌍의 메모리트렌지스터의 상기 선택트렌지스터가 형성되는측면대향하여연재하는eeprom.
[청구항 8]
제1항에 있어서,택트렌지스터는 상기 주표면상과 상기 공간에 형성되는 한쌍의 불순물 확산영역과, 그리고 그 사이에 절연막을 끼워져 상기 주표면상과 상기 불순물 확산영역사이에 배치되는 게이트전극포함하는eeprom.
[청구항 9]
제1항에 있어서,리세스는 상기 주표면상과 상기 공간에 배치되고, 상기 선택트렌지스터는 게이트 전극을 포함하고, 그리고 상기 게이트 전극은상기리세스따라배치되는eeprom.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 공간은 제1치수를 가지고, 상기 선택트렌지스터는 게이트 전극을 포함하고, 그리고 상기 게이트전극의 두께는 적어도 상기 제1치수의 1/2의 제2치수의 두께가지는eeprom.
[청구항 11]
제1항에 있어서,택트렌지스터는 게이트 전극을 포함하고, 그리고 상기 게이트전극은 상기 공간형성되는eeprom.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
제2항의 선택트랜지스터 게이트전극과 관련된 구성 중, 제3항에 명시된 제1두께를 가진 제어게이트와 비교했을 때 절연막의 두께 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제2항의 선택트랜지스터 게이트전극과 관련된 절연막의 두께를 제3항에 명시된 제1두께(제어게이트 두께)와 비교하여 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 제어게이트는 제1두께를 가지고, 절연막은 제1두께보다 더 큰 제2두께를 가진다고 명시되어 있다.
- 상기 제어게이트는 소정의 제1두께를 가지고, 그리고 상기 절연막은 제1두께보다 더 큰 제2두께가지는
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3근거 선택
evidence_selection제어게이트의 두께(제1두께)와 절연막의 두께(제2두께) 사이의 비교 관계를 나타내는 구절을 선택한다.
- 상기 절연막은 제1두께보다 더 큰 제2두께가지는
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4논리 통합
logical_integration절연막의 두께(제2두께)가 제어게이트의 두께(제1두께)보다 더 크다는 논리적 관계를 도출한다.
- 상기 절연막은 제1두께보다 더 큰 제2두께가지는
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5결론 도출
conclusion_formulation절연막의 두께는 제어게이트의 제1두께보다 더 크다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 절연막이 제1두께보다 더 큰 제2두께를 가진다는 점을 명시하여 답변을 생성한다.
- 상기 절연막은 제1두께보다 더 큰 제2두께가지는
최종 답변 (final_answer)
상기 절연막은 제1두께보다 더 큰 제2두께를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
선택트랜지스터의 구조에서 제어게이트의 두께(제1두께)보다 절연막의 두께(제2두께)가 더 두껍게 형성됨을 정의하고 있다.