문맥 (context)
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 상승 구역(24, 26, 28)의 플랭크(34, 36, 38)는 적어도 몇몇구역형성되는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 15]
제13항에 있어서,노출된 반도체 재료를 따른 상기 접점(20)의 횡단 면적은 상기 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적보다 작은면적갖는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 16]
제13항에 있어서,상기 상승 구역(24, 26, 28)은 평행하거나 거의 평행하고 플루트형 홈에 의해한정되어있는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 17]
제13항에 있어서,상기 상승 구역(116, 118, 136, 148, 150, 168, 220, 222, 224, 240, 242, 274)은 반도체 기판 표면으로부터 돌출한 피라밋형, 절두 피라밋형,원추형또는절두원추형또는기둥형태형성되는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 18]
제13항에 있어서,상기 태양전지는 서로 평행한 상승 구역 또는 홈진 구역을 정면 및 후면에 가지며, 대향면의 상승 구역 또는 홈진 구역은 서로 수직하거나 거의 수직함과 동시에 후면의 상승 구역 또는 홈진 구역은 정면과 다른패턴갖는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 19]
제13항에 있어서,상기 상승구역(82) 및 플루트형 홈진 구역은바닥구역위직조되어있는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 20]
제13항에 있어서,스트립형 상승 구역(24, 26)사이의 간격 a는 30μ〈a〈2000㎛, 적합하게인것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 21]
제13항에 있어서,상기 상승 구역(24, 26, 28)사이의 플루트형 홈진 구역(30,32)의깊이인것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 22]
제13항에 있어서,상기 홈진 구역(30, 32)의 깊이 t와 상승 구역(24, 26, 28)의 간격 a의비인것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기 상승부(220, 222, 224)들은 피라밋형, 원추형 또는 원통형 형상이거나 스트립으로 배열되고, 평행하거나 대체로 평행한 플루트 형상의 홈이 형성된 지역들에 의해규제되는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 25]
제23항에 있어서,상기 제1접촉부들은 오음 접촉부(218)들이고 상기 제2접촉부들은 mis 접촉부(230)들이며, 이들 오음 접촉부(218)와 인접한 mis 접촉부 사이의 간격은 2개의 인접한 mis 접촉부 사이의 간격보다 작은 것특징으로 하는태양전지.
[청구항 26]
제25항에 있어서,상기mis 접촉부(230)와 오음 접촉부(218)사이의 간격이 2개의 연속적인 mis접촉부들사이의간격의대략인것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 27]
제23항에 있어서,상기 반도체 기판에 평행한 상기 제1,2접촉부(218, 230)들의 외부 자유 표면들이하나의평면또는대략하나의평면존재하는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 29]
제28항에 있어서,상기 형성된 제1접촉영역 또는 제1접촉부(25)와 상기 제2접촉부(257)들이 태양전지(236)의 배면상에 폐쇄된 또는 대체로 폐쇄된표면형성하는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 30]
제28항에 있어서,상기 도전성제1접촉부들은 mis 접촉부(254)들이고, 상기 제2접촉부들은 오음 접촉부(257)들이며, 이들은 상기 반도체 기판의 상승된 영역상에교대배열된것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 31]
제29항에 있어서,상기오음 접촉부(257)들을 패시베이션층있는것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 32]
제30항에 있어서,상기 오음 접촉부(257)들이 적어도 부분적으로 패시베이션층(246)을 덮고있는 금속층(248)에 의해포위된것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 33]
제13항에 있어서,상기 반도체 재료가 단결정, 다결정 또는 비결정질이면서기본또는복합반도체인것을특징으로 하는태양전지.
[청구항 34]
입사되는 방사선 에너지에 의해 충전 캐리어들이 발생할 수 있는 반도체 재료를 포함하면서, 전계에 의해 분리될 수 있고, 또 도전성 전면 및 배면 접촉부들을 매개로 전기를 통할 수 있는 태양전지(266)에 있어서
상기 배면 접촉부는 캐리어 기판의 상승부(274)에 의해 형성되고, 상기 캐리어 기판은 상기 상승부 지역에서 제거된 패시베이션층(276)에 의해 덮여지며, 반도체 재료는 상기 패시베이션층과 상기 노출된 상승지역 위로 연장되는 것을 특징으로 하는 태양전지
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
태양전지의 접점(20)의 횡단 면적과 상승 구역(24, 26, 28)의 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적 사이의 크기 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation태양전지 접점(20)의 횡단 면적과 상승 구역의 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적 사이의 크기 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 15에서 접점(20)의 횡단 면적과 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적의 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 접점(20)의 횡단 면적은 상기 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적보다 작은면적갖는것을특징으로 하는태양전지
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3근거 선택
evidence_selection접점의 면적이 플랭크의 면적보다 작다는 직접적인 근거 구절을 선택한다.
- 상기 접점(20)의 횡단 면적은 상기 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적보다 작은면적갖는것
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4논리 통합
logical_integration청구항 15에 따르면 접점의 횡단 면적 < 플랭크의 횡단 면적임이 명시되어 있다.
- 상기 접점(20)의 횡단 면적은 상기 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적보다 작은면적갖는것
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5결론 도출
conclusion_formulation접점의 횡단 면적은 플랭크를 따른 횡단 면적보다 작다.
- 상기 접점(20)의 횡단 면적은 상기 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적보다 작은면적갖는것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 접점의 면적이 더 작다는 사실을 바탕으로 답변을 생성한다.
- 상기 접점(20)의 횡단 면적은 상기 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적보다 작은면적갖는것
최종 답변 (final_answer)
접점(20)의 횡단 면적이 플랭크(34, 36, 38)를 따른 횡단 면적보다 작다.
핵심 해석 (core_interpretation)
태양전지의 구조적 설계에서 접점의 횡단 면적을 상승 구역의 플랭크 면적보다 작게 형성하여 특정 전기적 또는 구조적 특성을 구현함.