저방사율막 document_id 1019920025625

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 산화막(b)은 zn을 포함하는 총량에 대해 2 내지 6 원자 % 까지 si, ti, cr, b, mg, sn 및 ga로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나로 도우프된 산화 아연막층을 적어도 하나포함하는 것을저방사율막. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 금속막(a)은 그 주성분dl ag인금속막인것을특징으로 하는저방사율막. [청구항 4] 제1항에 있어서,산화아연막의 산화 아연의 결정구조는 육방정계이고 cukα 방사선을 이용하는 x-선 회절법에서 육방정 산화 아연의 (002) 회절선의 회절각 2θ(중심위치)의 값은 33.88°이상이하인것을특징으로 하는저방사율막. [청구항 5] 제1항에 있어서,방사선을 이용하는 x-선 회절법에서 산화아연막의 육방정 산화 아연의 (002) 회절선의 회절각 2θ(중심위치)의 값은 34.00°이상이하인것을특징으로 하는저방사율막. [청구항 6] 제1항에 있어서,산화막(b) 이외의 산화막들의 적어도 한층이 zn을 포함하는 총량에 대해 1 내지 10 원자 % 까지 si, ti, cr, b, mg, sn 및 ga로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나로 도우프된 산화 아연막특징으로하는저방사율막. [청구항 7] 제1항에 있어서,산화막(b)이외의 산화막들의 적어도 한층이 zn을 포함하는 총량에 대해 2 내지 6 원자 % 까지 si, ti, cr, b, mg, sn 및 ga로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나로 도우프된 산화 아연막특징으로 하는저방사율막. [청구항 8] 제3항에 있어서,방사율막의 x-선 회절도에서 입방정 ag의 (111) 회절선의 적분폭(integral width) βi( °)는180λ/(dπcosθ)≤βi≤180λ/(dπcosθ) + 0.15(여기서 d(å)는 주성분이 ag인 막의 두께를, λ(å)은 측정용 x선의 파장을, 그리고 θ는 브레그 각을 나타낸다)의 제1범위특징으로 하는저방사율막. [청구항 9] 제8항에 있어서,적분폭βi( °)는180λ/(dπcosθ)≤βi≤180λ/(dπcosθ) + 0.10 의 제2범위특징으로 하는저방사율막. [청구항 10] 제8항에 있어서,적분폭βi( °)는180λ/(dπcosθ)≤βi≤180λ/(dπcosθ) + 0.05의 제3범위특징으로 하는저방사율막. [청구항 11] 제4항에 있어서,방사율막의 x-선 회절도에서 입방정 ag의 (111) 회절선의 적분폭(integral width) βi( °)는180λ/(dπcosθ)≤βi≤180λ/(dπcosθ) + 0.15의 제1범위특징으로 하는저방사율막. [청구항 12] 제11항에 있어서,적분폭βi( °)는180λ/(dπcosθ)≤βi≤180λ/(dπcosθ) + 0.10 의 제2범위특징으로 하는저방사율막. [청구항 13] 제11항에 있어서,적분폭βi( °)는180λ/(dπcosθ)≤βi≤180λ/(dπcosθ) + 0.05의 제3범위특징으로 하는저방사율막. [청구항 14] 제1항에 있어서,산화막(b)을 구성하는 복수개의 층중 기판으로부터 가장 멀리 있는 층은 저방사율막과 또다른 기판과의 적층을 위해 사이에 넣어진 중간 가소성막간의 접착장도를 제어하는 제어층특징으로 하는저방사율막.