보호회로를 구비하는 반도체 장치 및 전자시스템 document_id 1019930000702

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 파워mosfet는 n채널 mosfet이고, 상기 제어소자는 n채널 제어 mosfet이며, 상기 래치회로는, 정수가 다른 제1과 제2의 부하소자와 드레인 게이트가 크로스 커플 접속된 제1과 제2의 n채널 구동 mosfet으로 되는 비대칭 플립플롭과, 그 게이트가 상기 동작상태 검출회로의 상기 검출 출력에 의해 구동되며, 그 드레인이 상기 제1의 부하소자와 상기 제1의 n채널 구동 mosfet의 드레인과, 상기 제2의 n채널 구동 mosfet의 게이트가 접속된 제1노드에 접속된 셋트 입력 n채널 mosfet를 가지고, 상기 래치회로의 상기 비대칭 플립플롭의 상기 제2의 부하소자와 상기 제2의 n채널 구동 mosfet의 드레인과 상기 제1의 n채널 구동 mosfet의 게이트가 접속된 제2노드는 상기 n채널 제어 mosfet의 게이트에 접속되며, 상기 외부 게이트단자에 상기 구동전압이 인가되어, 상기 동작상태 검출회로의 상기 검출 출력이 상기 셋트 입력 n채널 mosfet를 오프상태로 제어할때, 상기 제1의 노드의 전압보다 상기 제2의 노드의 전압은 낮게 설정되며, 그결과, 상기 n채널 제어 mosfet가 오프상태제어되는반도체 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 동작상태 검출회로의 상기 검출출력이 상기 셋트입력 n채널 mosfet를 온 상태로 제어함으로써, 상기 래치회로는 상기 소정의 상태로 래치되어, 상기 파워 mosfet의 보호동작이 개시되며, 상기 제2의 부하소자에는 제1의 역류장지소자가 직열로 접속되고, 상기 다른 레벨로 설정된 상기 해제신호가 상기 외부게이트 단자에 인가됨으로써, 상기 제1의 역류방지 소자에 전류가 흘러, 그 결과 n채널 제어 mosfet가 오프상태로 제어되어, 상기 파워 mosfet의 보호동작해제되는반도체 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 외부게이트 단자의 상기 구동전압이 인가되는 정전압 회로를 더 구비하고, 상기 동작상태 검출회로는 상기 반도체 장치의 칩의 온도를 검출하는 온도검출회로이며, 그 온도검출회로의 온도검출용 n채널 mosfet의 게이트는 상기 정전압 회로에서 발생되는 기준 전압을 토대바이어스 되는반도체 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 정전압회로의 상기 기준전압을 소정의 온도의존성을 가진 온도검출 분압회로를 통하여 상기 온도 검출용 채널 mosfet의 게이트공급되는반도체 장치. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 7] 제3항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 8] 제4항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 9] 제5항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 10] 제3항에 있어서,상기제2의 부하소자와 상기 제1의 역류방지 소자와의 직열접속의 정류방향과 역방향으로 제1의 정류소자가 병열 접속되어, 상기 다른 레벨에 설정된 상기 해제신호가 상기 외부게이트 단자로 인가됨으로써, 상기 제1의 정류소자에 전류가 흘러, 그 결과 상기 n채널 제어 mosfet가 오픈상태로 제어되며, 상기 파워 mosfet의 보호동작해제되는반도체 장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 외부게이트 단자의 상기 구동전압이 인가되는 정전압 회로를 더 구비하고, 상기 동작상태 검출회로는 상기 반도체 장치의 칩의 온도를 검출하는 온도검출회로이며, 그 온도검출회로의 온도검출용 n채널 mosfet의 게이트는 상기 정전압 회로에서 발생되는 기준 전압을 토대바이어스 되는반도체 장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 정전압회로의 상기 기준전압을 소정의 온도의존성을 가진 온도검출 분압회로를 통하여 상기 온도 검출용 채널 mosfet의 게이트공급되는반도체 장치. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 15] 제2항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 16] 제2항에 있어서,상기 외부게이트 단자가 인가되는 고전압을 검출하는 고전압 검출회로를 더 구비하고, 상기 동작상태 검출회로의 상기 검출출력이 상기 셋트입력 n채널 mosfet를 온 상태로 제어함으로써, 상기 래치회로는 상기 소정의 상태로 래치되어, 상기 파워 mosfet의 보호동작이 개시되며, 상기 제2의 부하소자에는 제1의 역류장지소자가 직열로 접속되고, 상기 외부 게이트 단자가 인가되는 상기 고전압이 상기 다른 레벨로 설정된 상기 해제신호로서 작용하여, 상기 고전압이 상기 외부게이트 단자에 인가된 경우에, 상기 고전압 검출회로의 상기 고전압의 검출결과는 상기 n채널 제어 mosfet가 오프상태로 제어시켜, 상기 파워 mosfet의 보호동작해제되는반도체 장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 외부게이트 단자의 상기 구동전압이 인가되는 정전압 회로를 더 구비하고, 상기 동작상태 검출회로는 상기 반도체 장치의 칩의 온도를 검출하는 온도검출회로이며, 그 온도검출회로의 온도검출용 n채널 mosfet의 게이트는 상기 정전압 회로에서 발생되는기준전압의거하여바이어스 되는반도체 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 정전압 회로의 상기 기준전압은 소정의 온도의존성을 가진 온도검출 분압회로를 통하여 상기 온도 검출용 채널 mosfet의 게이트공급되는반도체 장치. [청구항 19] 제16항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 20] 제17항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 파워mosfet는 n채널 mosfet이고, 상기 제어소자는 n채널 제어 mosfet이며, 상기 래치회로는, 정수가 다른 제1과 제2의 부하소자와 드레인 게이트가 크로스 커플 접속된 제1과 제2의 n채널 구동 mosfet으로 되는 비대칭 플립플롭과, 그 게이트가 상기 동작상태 검출회로의 상기 검출 출력에 의해 구동되며, 그 드레인이 상기 제1의 부하소자와 상기 제1의 n채널 구동 mosfet의 드레인과 상기 제2의 n채널 구동 mosfet의 게이트가 접속된 제1노드에 접속된 셋트 입력 n채널 mosfet를 가지고, 상기 래치회로의 상기 비대칭 플립플롭의 상기 제2의 부하소자와 상기 제2의 n채널 구동 mosfet의 드레인과 상기 제1의 n채널 구동 mosfet의 게이트가 접속된 제2노드는 상기 n채널 제어 mosfet의 게이트에 접속되며, 상기 외부 게이트단자에 상기 구동전압이 인가되어, 상기 동작상태 검출회로의 상기 검출 출력이 상기 셋트 입력 n채널 mosfet를 오프상태로 제어할때, 상기 제1노드의 전압보다 상기 제2의 노드의 전압은 낮게 설정되며, 그결과, 상기 n채널 제어 mosfet가 오프상태제어되는반도체 장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 동작상태 검출회로의 상기 검출출력이 상기 셋트입력 n채널 mosfet를 온 상태로 제어함으로써, 상기 래치회로는 상기 소정의 상태로 래치되어, 상기 파워 mosfet의 보호동작이 개시되고, 상기 제2의 부하소자에는 제1의 역류장지소자가 직열로 접속되며, 상기 외부 리셋단자로 인가된 상기 해제신호에 응답하여 상기 신호검출회로의 상기 검출출력은 상기 n채널 제어 mosfet를 오프상태로 제어시켜, 상기 파워-mosfet의 보호동작해제되는반도체 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 외부게이트 단자의 상기 구동전압이 인가되는 정전압 회로를 더 구비하고, 상기 동작상태 검출회로는 상기 반도체 장치의 칩의 온도를 검출하는 온도검출회로이며, 그 온도검출회로의 온도검출용 n채널 mosfet의 게이트는 상기 정전압 회로에서 발생되는기준전압의거하여바이어스 되는반도체 장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 정전압회로의 상기 기준전압을 소정의 온도의존성을 가진 온도검출 분압회로를 통하여 상기 온도 검출용 채널 mosfet의 게이트공급되는반도체 장치. [청구항 27] 제23항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기n채널 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 29] 제25항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 30] 제26항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 파워mosfet는 n채널 mosfet이고, 상기 제어소자는 n채널 제어 mosfet이고, 상기 래치회로는, 정수가 다른 제1과 제2의 부하소자와 드레인 게이트가 크로스커플 접속된 제1과 제2의 n채널 구동 mosfet으로 되는 비대칭 플립플롭과, 그 게이트가 상기 동작상태 검출회로의 상기 검출 출력에 의해 구동되며, 그 드레인이 상기 제1의 부하소자와 상기 제1의 n채널 구동 mosfet의 드레인과 상기 제2의 n채널 구동 mosfet의 게이트가 접속된 제1노드에 접속된 셋트 입력 n채널 mosfet를 가지고, 상기 래치회로의 상기 비대칭 플립플롭의 상기 제2의 부하소자와 상기 제2의 n채널 구동 mosfet의 드레인과 상기 제1의 n채널 구동 mosfet의 게이트가 접속된 제2노드는 상기 n채널 제어 mosfet의 게이트에 접속되어 상기 외부 게이트단자에 상기 구동전압이 인가되어, 상기 동작상태 검출회로의 상기 검출 출력이 상기 셋트 입력 n채널 mosfet를 오프상태로 제어할때, 상기 제1의 노드의 전압보다 상기 제2의 노드의 전압은 낮게 설정되며, 그 결과, 상기 n채널 제어 mosfet가 오프상태제어되는반도체 장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 동작상태 검출회로의 상기 검출출력이 상기 셋트입력 n채널 mosfet를 온 상태로 제어함으로써, 상기 래치회로는 상기 소정의 상태로 래치되어, 상기 파워 mosfet의 보호동작이 개시되며, 상기 제2의 부하소자에는 제1의 역류장지소자가 직열로 접속되며, 상기 외부 리셋단자로 인가된 상기 해제신호에 응답하여 상기 역방향 항복에 의한 상기 전류는 상기 n채널 제어 mosfet를 오프상태로 제어시켜, 상기 파워-mosfet의 보호동작해제되는반도체 장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 외부게이트 단자와 상기 구동전압이 인가되는 정전압 회로를 더 구비하고, 상기 동작상태 검출회로는 상기 반도체 장치의 칩의 온도를 검출하는 온도검출회로이며, 그 온도검출회로의 온도검출용 n채널 mosfet의 게이트는 상기 정전압 회로에서 발생되는기준전압의거하여바이어스 되는반도체 장치. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 정전압회로의 상기 기준전압은 소정의 온도의존성을 가진 온도검출 분압회로를 통하여 상기 온도 검출용 채널 mosfet의 게이트공급되는반도체 장치. [청구항 36] 제32항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 37] 제33항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 38] 제34항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 39] 제35항에 있어서,상기n채널 제어 mosfet의 드레인은 스태더스 단자로서 칩 외부도출되어 있는반도체 장치. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 보호동작의 개시후부터, 상기 해제신호의 공급전에, 상기 컨트롤러는 상기 구동출력 신호의 공급중단하는전자시스템. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 보호동작의 개시후, 상기 컨트롤러는 상기 구동출력신호의 공급을 계속하여, 상기 보호동작이 규정의 회수 반복됨 경우에, 상기 컨트롤러는 상기 구동출력신호의 공급중간하는전자시스템. [청구항 43] 제41항에 있어서,상기 보호동작의 개시 후, 유저의 명령에 응답하여 상기 컨트롤러는 상기 해제신호를 상기 반도체 장치공급하는전자시스템. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기 보호동작의 개시 후, 유저의 명령에 응답하여 상기 컨트롤러는 상기 해제신호를 상기 반도체 장치공급하는전자시스템. [청구항 45] 제40항에 있어서,상기 보호동작의 개시 후부터, 상기 해제신호의 공급전에, 상기 컨트롤러는 상기 구동출력신호의 공급에 의한 상기 파워 mosfet의 온 기간의 듀티를 낮게 하여, 그후 상기 구동출력신호의 공급중단하는전자시스템. [청구항 46] 제41항에 있어서,상기 보호동작의 개시후부터, 상기 해제신호의 공급전에, 상기 컨트롤러는 상기 구동출력신호의 공급에 의한 상기 파워 mosfet의 온 기간의 듀티를 낮게하여, 그후 상기 구동출력신호의 공급중단하는전자 시스템. [청구항 47] 제42항에 있어서,상기 보호동작의 개시 후부터, 상기 해제신호의 공급전에, 상기 컨트롤러는 상기 구동출력신호의 공급에 의한 상기 파워 mosfet의 온 기간의 듀티를 낮게하여, 그후 상기 구동출력신호의 공급중단하는전자시스템. [청구항 48] 제43항에 있어서,상기 보호동작의 개시 후부터, 상기 해제신호의 공급전에, 상기 컨트롤러는 상기 구동출력신호의 공급에 의한 상기 파워 mosfet의 온 기간의 듀티를 낮게하여, 그후 상기 구동출력신호의 공급중단하는전자시스템.