문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 실리콘벌크는 p형 실리콘기판 또는 p형 웰이고, 상기 선택트랜지스터는 nmos이고 상기 바이폴라 트랜지스터특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 단위메모리셀이 nand형 rom셀특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 단위메모리셀이 nor형 rom셀특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 단위메모리셀이 sram셀특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 선택트랜지스터의 드레인의 농도가 주변회로의 소오스 및 및 드레인농도보다 낮은 것특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기mos형 선택트랜지스터의 드레인농도정도인것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 폴리실리콘패드는 그두께정도인것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스영역의 농도가 1016~ 1018/㎤ 정도이고,베이스접합깊이정도인것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터영역의 농도가 1018~ 1021/㎤ 정도이고,에미터접합깊이정도인것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 13]
제10항에 있어서,상기 실리콘벌크는 농도가 101÷~ 1016/㎤ 정도인 실리콘기판 또는 실리콘기판내에 형성된웰인것을특징으로 하는반도체 메모리장치.
[청구항 14]
반도체 메모리셀과 비트선 사이에 접속되고 워드선에 인가된 신호에 따라 턴온/턴오프되는 mos트랜지스터를 가지는 반도체 메모리장치에 있어서
상기 반도쳅메로리셀과 비트선 사이에 흐르는 셀전류를 증폭하여 고속동작이 가능하도록 하기 위해 상기 비트선과 mos트랜지스터 사이에 접속되고 상기 mos트랜지스터의 동작에 따라 상기 비트선을 구동하기 위한 바이폴라 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리장치에서 셀전류를 증폭하여 고속동작이 가능하도록 하기 위해 비트선과 mos트랜지스터 사이에 접속되어 mos트랜지스터의 동작에 따라 비트선을 구동하는 구성요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문은 셀전류 증폭 및 고속동작을 위해 비트선과 mos트랜지스터 사이에 접속되어 비트선을 구동하는 구성요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14에서 셀전류 증폭, 고속동작, 비트선과 mos트랜지스터 사이 접속, 비트선 구동이라는 기능적 특징을 가진 구성요소를 추출한다.
- 상기 반도쳅메로리셀과 비트선 사이에 흐르는 셀전류를 증폭하여 고속동작이 가능하도록 하기 위해 상기 비트선과 mos트랜지스터 사이에 접속되고 상기 mos트랜지스터의 동작에 따라 상기 비트선을 구동하기 위한 바이폴라 트랜지스터
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3근거 선택
evidence_selection질문의 조건(셀전류 증폭, 고속동작, 비트선과 mos트랜지스터 사이 접속, 비트선 구동)과 일치하는 구절을 선택한다.
- 상기 비트선과 mos트랜지스터 사이에 접속되고 상기 mos트랜지스터의 동작에 따라 상기 비트선을 구동하기 위한 바이폴라 트랜지스터
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절에 따르면, 해당 기능을 수행하는 구성요소는 '바이폴라 트랜지스터'임을 알 수 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 구성요소의 명칭인 '바이폴라 트랜지스터'를 최종 답변으로 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정답을 형식에 맞춰 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
바이폴라 트랜지스터
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 메모리장치에서 셀전류를 증폭하여 고속동작을 구현하기 위해, 비트선과 mos트랜지스터 사이에 바이폴라 트랜지스터를 배치하여 비트선을 구동하는 기술에 관한 것이다.