문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,반도체층에 있어 게르마늄원자의 최대농도점은 i형 반도체층의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층을 향해 누워있는위치에있는것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,각각의 버퍼층(a), (b)의두께인것을특징으로 하는핀접합형 광기전력소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,각각의 버퍼층(a), (b)는수소화비정질 실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형 광기전력소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,반도체층은 수소화 미정질실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형 광기전력소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,반도체층은 탄화실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형 광기전력소자.
[청구항 7]
제1항에 있어서,반도체층은 수소화비정질실리콘재료 또는 수소화미정지실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형 광기전력소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,반도체층의 게르마늄원자 함유량nan은인것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,반도체층의 어떤 부분에서도 1.35∼1.60ev의에너지밴드갭지니는것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 10]
제1항에 있어서,반도체층의 게르마늄원자에 대해 최대농도점을 지니는여역의에너지밴드갭인것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 12]
제11항에 있어서,반도체형(a-ii)에 있어 게르마늄원자의 최대농도점은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는위치에있는것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 13]
제11항에 있어서,각각의 버퍼층(a-ⅳ),(a-v)의두께인것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 14]
제11항에 있어서,각각의 버퍼층(a-ⅳ),(a-v)는수소화비정질실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 15]
제11항에 있어서,반도체층(a-i)은수소화비정질실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 16]
제11항에 있어서,반도체층(a-i)은탄화실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 17]
제11항에 있어서,반도체층(a-iii)은 수소화비정질실리콘재료로또는수소화미정질실리콘재료로이루어진것을특징으로하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 18]
제11항에 있어서,반도체층(a-ii)의게르마늄원자함유량인것을특징으로하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 19]
제11항에 있어서,반도체층(a-ii)의 i형 반도체층의 어떤 부분에서도 1.35∼1.60ev의에너지밴드갭인것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 20]
제11항에 있어서,반도체층(a-ii)에서 게르마늄원자에대해 최대농도점을 지니는영역의에너지밴드갭인것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 22]
제21항에 있어서,반도체층(a-ii)에 있어 게르마늄우너자의 최대농도점성은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는 위치에 있고, i형 반도체층(b-ii)은 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향해 누워있는위치에있는것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 23]
제21항에 있어서,각각의 버퍼층(a-ⅳ), (a-v), (b-ⅳ) 및 (b-v)의두께인것을특징으로 하는핀접항형광기전력소자.
[청구항 24]
제21항에 있어서,각각의 버퍼층(a-ⅳ), (a-v), (b-ⅳ) 및 (b-v)는수소화비정질실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 25]
제 21항에 있어서,각각의 p형 반도체층(a-i) 및 (b-i)은탄화실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 26]
제21항에 있어서,각각의 p형 반도체층(a-i) 및 (b-i)은탄화실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 27]
제21항에 있어서,각각의 n형 반도체층(a-iii) 및 (b-iii)은수소화비정질실리콘재료또는수소화미정질실리콘재료로이루어진것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 28]
제21항에 있어서,각각의 i형 반도체층(a-ii) 및 (b-ii)은게르마늄원자함유량인것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 29]
제21항에 있어서,각각의 i형 반도체층(a-ii) 및 (b-ii)은 i형 반도체층 어떤 부분에서도 1.35∼1.60ev의에너지밴드갭지니는것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
[청구항 30]
제21항에 있어서,각각의 i형 반도체층(a-ii) 및 (b-ii)은 게르마늄원자에 대해 최대농도점을 지니는영역의에너지밴드갭인것을특징으로 하는핀접합형광기전력소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
핀접합형 광기전력소자에서 i형 반도체층(a-ii) 및 (b-ii)의 게르마늄 원자 최대농도점이 위치하는 방향과 그 기준점은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretationi형 반도체층(a-ii) 및 (b-ii)에서 게르마늄 원자 최대농도점이 위치하는 방향과 그 기준점을 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 22를 통해 (a-ii)와 (b-ii)의 게르마늄 원자 최대농도점 위치에 관한 정보를 추출한다.
- 반도체층(a-ii)에 있어 게르마늄우너자의 최대농도점성은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는 위치에 있고, i형 반도체층(b-ii)은 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향해 누워있는위치에있는것
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 (a-ii)와 (b-ii)의 위치 정보를 포함하는 청구항 22의 구절을 선택한다.
- 반도체층(a-ii)에 있어 게르마늄우너자의 최대농도점성은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는 위치에 있고, i형 반도체층(b-ii)은 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향해 누워있는위치에있는것
-
4논리 통합
logical_integration(a-ii)는 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향하며, (b-ii)는 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향한다.
- 반도체층(a-ii)에 있어 게르마늄우너자의 최대농도점성은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는 위치에 있고, i형 반도체층(b-ii)은 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향해 누워있는위치에있는것
-
5결론 도출
conclusion_formulation두 층 모두 기준점은 각 i형 반도체층의 중앙이며, 방향은 두께방향으로 각각 p형 반도체층(a-i) 및 (b-i)를 향한다.
- 반도체층(a-ii)에 있어 게르마늄우너자의 최대농도점성은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는 위치에 있고, i형 반도체층(b-ii)은 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향해 누워있는위치에있는것
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 반도체층(a-ii)에 있어 게르마늄우너자의 최대농도점성은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는 위치에 있고, i형 반도체층(b-ii)은 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향해 누워있는위치에있는것
최종 답변 (final_answer)
i형 반도체층(a-ii)의 게르마늄 원자 최대농도점은 i형 반도체층(a-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(a-i)을 향해 누워있는 위치에 있으며, i형 반도체층(b-ii)의 게르마늄 원자 최대농도점은 i형 반도체층(b-ii)의 중앙에서부터 두께방향으로 p형 반도체층(b-i)을 향해 누워있는 위치에 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
핀접합형 광기전력소자의 i형 반도체층 내에서 게르마늄 원자의 최대농도점이 각 층의 중앙을 기준으로 p형 반도체층 방향으로 위치함을 정의한다.