반도체장치및그제조방법 document_id 1019930012970

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 도전영역은 상기 반도체기판을 구성하는 단결정 실리콘에 불순물이 도핑된도전층인것을특징으로하는반도체장치. [청구항 3] 제1항상기 도전영역은 상기 반도체기판상에 절연막을 지나 형성된 실리콘을 주성분으로하는배선층인것을특징으로하는반도체장치. [청구항 6] 제1항, 제4항 및 제5항중 어느 한항에 있어서,상기 도전성 실리콘막은 1×1017∼1×1022㎝-3의농도의불순물포함하는것을특징으로하는반도체장치. [청구항 7] 제1항, 제4항 및 제5항중 어느 한항에 있어서,상기 다중배선층의 도전성 실리콘막을 그 막두께가 상기 콘택트홀 직경의 반보다 작고, 상기 도전성 실리콘막이 상기 콘택트홀의 내벽을 따라형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 도전성 실리콘막은 그막두께인것을특징으로하는반도체장치. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 콘택트홀내의 도전성 실리콘막의 내측에 형성되는 오목부에 절연층이 메워져평탄화된것을특징으로하는반도체장치. [청구항 10] 제7항에 있어서,상기 콘택트홀내의 도전성 실리콘막의 내측에 형성되는 오목부에 금속층이 메워져평탄화된것을특징으로하는반도체장치. [청구항 11] 제1항, 제4항 및 제5항중 어느 한항에 있어서,상기 다중배선층의 도전성 실리콘막은 그 막두께가 상기 콘택트홀직경의 반보다 작고, 또한 상기 도전성 실리콘막 및 상기 배기어 메탈막이 상기 콘택트홀의 내벽을 따라형성되어있는것을특징으로하는반도체장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 콘택트홀내의 배리어 메탈막이 내측에 형성되어 오목부에 금속층이 메워져평탄화된것을특징으로하는반도체장치. [청구항 13] 제1항제4항 및 제5항중어느 한항에 있어서 상기 다중배선층의 도전성 실리콘막은 그 막두께가 상기 콘택트홀 직경의 반이상이고, 상기 도전성 실리콘막이 상기 콘택트홀을 메운상태형성되어있는것을특징으로하는반도체장치. [청구항 14] 제4항에 있어서,상기 제1절연막은 200∼800nm의 막두께를 갖는 실리콘 산화막으로 이루어지는소자분리절연막인것을특징으로하는반도체장치. [청구항 16] 제4항에 있어서,상기 반도체기판의 복수의 도전층은 n형 및 p형의 어느쪽인가 한쪽의 같은 극성을 갖고, 상기 도전성 실리콘막의 극성은 상기 도전층의 극성과 같은 것특징으로하는반도체장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 제1절연막은 상기 반도체기판상에 형성된 200∼800nm의 막두께를 갖는 실리콘 산화막으로 이루어지는 소자분리절연막 및 3∼100nm의 막두께를 갖는 실리콘 산화막으로 이루어지는 게이트절연막을 포함하고, 상기 도전층은 한쌍의 소스/드레인 확산영역구성하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 18] 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 반도체기판의 복수의 도전층은 n형 및 p형의 서로 다른 극성을 갖고, n형의 도전층에 접속되는 상기 도전성 실리콘막의 극성은 n형이고, p형의 도전층에 접속되는상기도전성실리콘막의극성인것을특징으로하는반도체장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 제1절연막을 형성하는 공정은 상기 반도체기판의 표면에 소자분리 절연막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기관의 표면에 게이트절연막을 형성하는공정포함하는것을특징으로하는반도체장치의 제조방법.