펄스신호 발생회로 및 그것을 구비한 반도체 기억장치와 동적 기억장치의 동작방법 document_id 1019930014033

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 저항수단이 상기 노드와 신호 발생수단(300)사이에 접속되고 제어단자를 가지는 트랜지스터(p1, n2)를 포함하고, 상기 제어수단(301, 302)이 제어전압(s1, s2)을 발생하여 제어전압을 상기 트랜지스터(p2, n2)의 제어단자에 동일하게 공급하는 제어전압 발생수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 노드가 전원 전위를 받는 제1단자와 접지 전위를 받는 제2단자를 포함하고, 상기 저항수단이 제1노드와 신호 발생수단(300)사이에 접속된 p채널 트랜지스터(p2) 및 상기 제2 노드와 신호 발생수단(300) 사이에 접속된 n채널 트랜지스터(n2)를 포함하며, 상기 제어수단이 네가티브 온도특성을 가지는 제1제어전압(s1)을 발생하여 상기 p채널 트랜지스터(p2)의 게이트에 인가하는 제1제어전압 발생수단(301)과, 포지티브 온도특성을 가지는 제2제어전압(s2)을 발생하여 상기 n채널 트랜지스터(n2)의 게이트에 인가하는 제2 제어전압 발생수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 신호 발생수단(300)은 링 형상으로 상호 접속된 복수의 인버터(g2)를 포함하고, 상기 노드는 전원 전위를 받는 제1노드와 접지 전위를 받는 제2단자를 포함하며, 상기 제어수단이 상기 제1노드와 복수의 인버터(g2)사이에 각각 접속된 복수의 p채널 트랜지스터(p2)와 상기 제2노드와 복수의 인버터(g2) 사이에 각각 접속된 복수의 n채널 트랜지스터(n2)를 포함하고, 상기 제어수단이 네가티브 온도특성을 가지는 제1 제어전압(s1)을 발생하여 상기 복수의 p채널 트랜지스터의 게이트에 인가하는 제1제어전압 발생수단(301)과, 포지티브 온도특성을 가지는 제2 제어전압(s2)을 발생하여 상기 복수의 n채널 트랜지스터의 게이트에 인가하는 제2제어 전압 발생수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 5] 펄스신호를 발생하는 신호 발생수단(400, 500, 700. 800)과, 동작온도를 검출하여 검출신호(ht, /ht)를 출력하는 온도 검출수단(401)과, 상기 온도 검출수단(401)에서 공급된 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하여 상기 신호 발생수단(400, 500, 700, 800)에 의해 발생된 펄스신호의 주기를 제어하는 제어수단(tg1∼tg3, 501, 502; 601 701; 801)을 포함하는 펄스신호 발생회로 [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 신호 발생수단(400)은 링 형상으로 상호 접속된 복수의인버터(g3, g4)를 포함하고, 상기 제어수단이 상기 복수의 인버터(g3, g4)로 구성된 제1링 오실레이터 또는 상기 복수의 인버터(g4)중 몇개로 구성되는 제2링 오실레이터를 선택적으로 구성하며, 상기 온도 검출수단(401)에서 공급된 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하는 스위치 수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 온도 검출수단(401)은 동작온도가 소정의 온도 보다 높을때 제1상태에서 검출신호를 발생하고, 동작온도가 소정의 온도보다 낮을 때 제2상태에서 검출신호를 발생하며, 상기 스위치 수단은 인접한 두개의 상기 인버터(g3,g4)사이에 위치한 제1노드(n41)와 상기 인버터(g3, g4)중 다른 인접한 두 개의 사이에 위치한 제2노드(n42)사이에 접속된 제1트랜스퍼 게이트(tg1)를 포함하고, 상기 제1트랜스퍼 게이트(tg1)는 턴온되는 상기 제1상태에서 상기 검출신호에 응답하고, 턴 오프되는 상기 제2상태에서 상기 검출신호응답하는펄스신호 발생회로. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 스위치 수단은 상기 복수의 인버터 중에서 나머지 인버터(g3)중의 하나와 상기 제1노드(n41)사이에 접속된 제2트랜스퍼 게이트(tg2)와, 상기 복수의 인버터중에서 나머지 인버터(g3)중의 하나와 상기 제2노드(n42)사이에 접속된 제3트랜스퍼 게이트(tg3)를 더욱 포함하며, 상기 제2 및 제3 트랜스퍼 게이트(tg2, tg3)는 턴온되는 상기 제2상태에서 상기 검출신호에 응답하고, 턴오프되는 상기 제1상태에서 상기 검출신호응답하는펄스신호 발생회로. [청구항 9] 제5항에 있어서,상기 신호 발생수단(500)은 링 형상으로 상호접속된 복수의 인버터(g1)를 포함하고, 상기 제어수단(501, 502)은 커패시터 수단(c1)과 상기 온도 검출수단(401)으로부터 공급되는 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하는 두 개의 인접하는 상기 인버터(g1)사이에 위치한 노드(n52)에 상기 커패시터 수단(c1)을 접속하는 접속수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 온도 검출수단(401)은 동작온도가 소정의 온도보다 높을 때 제1상태에서 검출신호를 발생하고, 동작온도가 소정의 온도보다 낮을 때 제2상태에서 검출신호를 발생하도록 동작하고, 상기 접속수단이 상기 커패시터 수단(c1)과 노드(n51, n52)사이에 접속된 스위치 수단(tg4)을 포함하며, 상기 스위치 수단이 턴온되는 제2상태에서 상기 검출신호에 응답하고 턴오프되는 제1상태에서 상기 검출 신호응답하는펄스신호 발생회로. [청구항 11] 제5항에 있어서,상기 신호 발생수단이 링 형상으로 상호 접속된 복수의 인버터(g1)를 포함하고, 상기 제어수단(601)이 제1 커패시턴스 값을 가지는 제1 커패시터수단(c2), 상기 제1커패시턴스 값보다 작은 제2 커패시턴스 값을 가지는 제2 커패시터 수단(c3) 및 상기 온도 검출수단(401)으로부터 공급되는 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하여 인접하는 두 개의 상기 인버터(g1) 사이에 위치한 노드(n61)에 상기 제1 및 제2 커패시터 수단(c2, c3)을 선택적으로 접속하는 접속수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 온도 검출 수단(401)이 동작온도가 소정의 온도 보다 높을때, 제1상태에서 검출신호를 발생하고 동작온도가 소정의 온도보다 낮을 때 제2상태에서 검출신호를 발생하도록 동작하고, 상기 접속수단이 상기 제1커패시터 수단(c2)과 상기 노드(n61)사이에 접속되고 턴온되는 제2상태에서 상기 검출신호에 응답하는 제1스위치 수단(tg5)과 상기 제2 커패시터 수단(c3)과 상기 노드(n61) 사이에 접속되고 턴온되는 제1 상태에서 상기 검출신호에 응답하는 제2스위치수단포함하는펄스 신호 발생회로. [청구항 13] 제5항에 있어서,상기 신호 발생수단(700)은 링 형상으로 상호 접속된 복수의인버터(g1)를 포함하고, 상기 제어수단(701)이 저항수단(r3)과, 인접한 두개의 상기 인버터(g1) 사이의 상기 저항수단(r3)을 접속하는 상기 온도 검출수단(401)에서 공급되는 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하는 접속수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 온도 검출수단(401)은 동작온도가 소정의 온도보다 높을때 제1 상태에서 상기 검출신호를 발생하고, 동작 온도가 상기 소정의 온도보다 낮을때 제2상태에서 상기 검출신호를 발생하도록 동작하고, 상기 접속수단이 제1 및 제2 트랜스퍼 게이트(tg7, tg8)를 포함하며, 상기 저항수단(r3)과 제1트랜스퍼 게이트(tg8)가 인접하는 두 개의 상기 인버터(g1)사이에 직렬로 접속되고, 상기 제2트랜스퍼 게이트(tg7)가 상기 저항수단(r3)과 제1 트랜스퍼 게이트(tg8)의 직렬접속에 병렬로 접속되며, 상기 제1트랜스퍼 게이트(tg8)가 턴온되는 상기 제2상태에서 상기 검출된 신호에 응답하고, 상기 제2트랜스퍼게이트(tg7)가 턴온되는 제1상태에서 상기 검출신호응답하는펄스신호 발생회로. [청구항 15] 제5항에 있어서,상기 신호 발생수단(800)은 링 형상으로 상호 접속된 복수의 인버터(g1)를 포함하고, 상기 제어수단(801)이 제1저항값을 가지는 제1저항수단(r4), 상기 제1저항값보다 작은 제2저항값을 가지는 제2저항수단(r5) 및 상기 온도 검출수단(401)으로 부터 공급되는 상기 검출 신호(ht, /ht)에 응답하여 두 개의 인접하는 상기 인버터(g1) 사이에 상기 제1 및 제2 저항수단(r4, r5)을 선택적으로 접속하는 접속수단포함하는펄스신호 발생회로. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 접속수단은 제1 및 제2 트랜스퍼게이트(tg9, tg10)를 포함하고, 상기 저항수단(r4)과 제1 트랜스퍼 게이트(tg9)는 인접하는 두 개의 상기 인버터(g1)사이에 직렬로 접속되며, 상기 제2 저항수단(r5)과 제2 트랜스퍼 게이트(tg10)는 상기 제1 트랜스퍼 게이트(tg9)와 저항수단(r4)의 직렬접속에 병렬로 인접하는 두 개의 인버터(g1)사이에 접속되고, 상기 제1 트랜스퍼 게이트(tg9)는 턴온되는 제2 상태에서 상기 검출신호에 응답하고, 상기 제2트랜스퍼 게티트(tg10)는 턴온되는 제1상태에서 상기 검출신호응답하는펄스신호 발생회로. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 내부전압 발생수단(101)이 포지티브 온도특성을 가지는상기내부전압발생하도록동작하는반도체 기억장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 저항수단(r2)이 n형 확산층포함하는반도체 기억장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 저항수단이 상기 노드와 신호 발생수단(300) 사이에 접속되는 제어단자를 가지는 트랜지스터(p2, n2)를 포함하며, 상기 제어수단(301, 302)이 동작온도에 의존하는 제어전압(s1, s2)을 발생하여 상기 트랜지스터(p2, n2)의제어단자에 동일하게 인가하는 제어전압 발생수단포함하는반도체 기억장치. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 노드는 전원전압을 받는 제1노드와 접지전압을 받는 제2노드를 포함하며, 상기 저항수단이 상기 제1노드와 신호 발생수단(300)사이에 접속된 p채널 트랜지스터(p2)와 상기 제2노드와 신호 발생수단(300)사이에 접속된 n채널 트랜지스터(n2)를 포함하고, 상기 제어수단이 네가티브 온도특성을 가지는 제1 제어전압(s1)을 발생하여 상기 p채널 트랜지스터(p2)의 게이트에 인가하는 제1제어 전압 발생수단(301)과, 포지티브 온도특성을 가지는 제2제어전압(s2)을 발생하여 상기 n채널 트랜지스터(n2)의 게이트에 동일하게 인가하는 제2제어전압 발생수단포함하는반도체 기억장치. [청구항 24] 데이터를 저장하는 동적 기억수단(1)과, 펄스신호를 발생하는 펄스신호 발생수단(15), 및 상기 펄스신호 발생수단(15)에 의해 발생된 상기 펄스신호에 응답하여 상기 동적 기억수단(1)의 리프레시 동작을 제어하는 리프레시 제어수단(16)을 포함하며, 상기 펄스신호 발생수단이 펄스신호를 발생하는 신호 발생수단(400; 500 700; 800)과, 동작온도를 검출하여 검출 신호(ht, /ht)를 출력하는 온도 검출수단(401), 및 상기 온고 검출수단(401)에서 공급된 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하여 상기 신호 발생수단(400; 500 700; 800)에 의해 발생되는 펄스신호의 주기를 제어하는 제어수단(tg1∼tg3; 501 502; 601; 701; 801)를 포함하는 반도체 기억장치 [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 신호 발생수단(400)이 링 형상으로 상호 접속된 복수의 인버터(g3, g4)를 포함하며, 상기 제어수단이 상기 복수의 인버터(g3, g4)로 구성된 제1 링 오실레이터 또는 상기 복수의 인버터(g4)중 몇개로 구성되는 제2 링 오실레이터를 선택적으로 형성하도록 상기 온도 검출수단(401)에서 공급되는 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하는 스위치 수단포함하는반도체 기억장치. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기 신호 발생수단(500)이 링 형상으로 상호 접속된 복수의 인버터(g1)를 포함하며, 상기 제어수단(501, 502)이 커패시터 수단(c1)과 상기 온도 검출수단(401)에서 공급되는 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하여 인접하는 두개의 상기 인버터(g1) 사이에 위치한 노드(n51, n52)에 상기 커패시터 수단(c1)을 접속하는 접속수단포함하는반도체 기억장치. [청구항 27] 제24항에 있어서,상기 신호 발생수단이 링 형상으로 상호 접속된 복수의 인버터(g1)를 포함하며, 상기 제어수단(601)이 제1 커패시턴스 값을 가지는 제1 커패시터 수단(c2), 상기 제1 커패시턴스 값보다 작은 제2커패시턴스 값을 가지는 제2 커패시터 수단(c3), 및 인접하는 두 개의 상기 인버터(g1) 사이에 위치한 노드(n61)에 제1 및 제2 커패시터 수단(c2, c3)을 선택적으로 접속하도록 상기 온도 검출수단(401)에서 공급된 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하는 접속수단(tg5, tg6) 을포함하는반도체 기억장치. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기 신호 발생수단(700)이 링 형상으로 상호 접속된 복수의인버터(g1)를 포함하며, 상기 제어수단(701)이 저항수단(r3)과 인접하는 두 개의 상기 인버터(g1) 사이의 상기 저항수단(r3)을 접속하도록 상기 온도 검출수단에서 공급되는 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하는 접속수단포함하는반도체 기억장치. [청구항 29] 제24항에 있어서,상기 신호 발생수단(800)은 링 형상으로 상호 접속된 복수의 인버터(g1)를 포함하며, 상기 제어수단(801)이 제1 저항값을 가지는 제1 저항수단(r4)과 상기 제1 저항값보다 작은 제2 저항값을 가지는 제2 저항수단(r5), 및 상기 온도검출수단(401)에서 공급되는 상기 검출신호(ht, /ht)에 응답하여 인접하는 두 개의 상기 인버터(g1) 사이의 상기 제1 및 제2 저항수단(r4, r5)을 선택적으로 접속하는 접속수단포함하는반도체 기억 장치.