반도체장치및그제조방법 document_id 1019930014983

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 게이트전극 및 상기 게이트배선층nan은금속실리사이드층구성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 게이트전극 및 상기 게이트배선층은 폴리실리콘층 금속실리사이드층이 적층된폴리사이드구조로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 4] 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,상기v족도판트는 비소, 인 및 안티몬에서 선택되는 적어도 한종류이며 ⅲ족도판트는 붕소 및 할로겐화붕소에서 선택되는종류인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 할로겐화붕소는불화붕소인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 6] 제1항 내지 제5항의 어느 한 항에 있어서,상기 금속실리사이드층에 있어서는 상기 ⅲ족도판트 및 v족도판트의 적어도 한 쪽으로 이루어지는불순물의농도3이하인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 ⅲ족도판트 및 v족도판트의 적어도 한 쪽으로 이루어지는불순물의농도3이하인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제1항 내지 제5항의 어느 한 항에 있어서,상기 ⅲ족도판트의 농도는 1.9×1020 atoms cm-3이하이며 v족도판트의농도3이하인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 9] 제1항 내지 제5항의 어느 한 항에 있어서,상기p채널mos소자의 게이트전극에 포함되는 ⅲ족도판트는 불화붕소이며 그붕소의농도3이하인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 10] 제1항 내지 제7항의 어느 한 항에 있어서,상기 금속실리사이드층을 형성하는 금속은 폴리브덴, 텅스텐, 크롬, 니켈, 티탄, 버나듐, 동, 금, 백금 납, 파라듐, 망간, 철, 코발트 및 알루미늄에서 선택되는종류인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 11] 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,상기 게이트전극에는 소스/드레인영역에 도입되는도판트포함되지않는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 공정(d)에서 형성되는 레지스트마스크는 상기 공정 (d)에서 형성된 레지스트마스크에 대하여 약 4㎛ 겹치는상태형성되는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법.