소자분리를 위한 반도체장치 및 그 제조방법 document_id 1019930026507

[청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 분리재료가 산화실리콘인 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체 장치. [청구항 3] 제1 항에 있어서,상기 분리재료는 기판의 열팽창계수와 같은 열팽창계수를 가지는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 4] 제1 항에 있어서,상기 분리재료는 산화막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 5] 제1 항에 있어서,최대 불순물농도치는 적어도 1×1016이온/㎝3인 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 6] 제3 항에 있어서,상기 기판은 실리콘기판이고 상기 분리재료는 최대 불순물농도대에서 기판과 접촉하는 폴리실리콘으로 구성하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 7] 제3 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 분리재료는 최대 불순물농도대에서 기판과 접촉하는 단결정 실리콘으로 구성하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 8] 제6 항에 있어서,상기 홈은 각각의 측벽과 상기 폴리실리콘 사이에 뻗어 있고 상기 폴리실리콘의 상면을 덮는 산화막을 구성하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체 장치. [청구항 9] 제6 항에 있어서,상기 폴리실리콘은 제1도전형의 불순물을 함유하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 10] 제7 항에 있어서,상기 분리홈은 각각의 측벽과 상기 단결정 실리콘 사이에 뻗어 있고 상기 단결정 실리콘의 상면을 덮는 산화막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 11] 제7 항에 있어서,상기 단결정실리콘은 제1도전형의 불순물을 함유하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,제1도전형의 불순물 영역에서 불순물농도의 최대치가 1×1016이온/㎝3인 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,쌍의도전층의 각각의도전층을 위하여 규정된 불순물농도를 가지는 저부도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,쌍의도전층과 저부도전층은 동일 불순물 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,반도체기판의 표면에서 한쌍의 내부절연막의 외측과 접촉하고, 한상의 내부절연막과 저부도전층을 덮도록 형성된 규정된 불순물 농도를 가지는 외부도전층을 구성하는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,쌍이도전층, 저부도전층과 외부도전층은 동일분술물농도를 가지는 것을 특징으로 하는 소자분리위한반도체장치. [청구항 19] 제14항에 있어서,쌍의 상부절연막의 하부표면은 반도체기판의 주표면의 위치보다 낮게 위치되는 것을 특징으로 하는소자분리위한반도체장치.