반도체제조장치 document_id 1019930027151

[청구항1] 내부 공간이 반응실이 되고, 한쪽의 단면이 개방된 반응관과 중앙부에 개구가 형성된 주면 가장자리부분이 밀봉재를 통하여 상기 반응관의 개방 단면에 압압되는 원판형의 반응실 플랜지와 반응실 플랜지의 개구를 통하여 반응실과 연이어 통하고, 대기와 차단된 공간을 형성하는 동시에 반응실 플랜지의 개구를 관통하여 상기 양 공간에 걸쳐서 반응실의 축선 방향으로 이동하여 반응실내의 선단부에서 피처리체를 반응실내의 소정 위치로 가져오는 직선 구동축과, 이 직선 구동축의 상기 반응실과 연이어 통하는 대기와 차단된 공간측 선단부에 축방향의 이동력을 작용시키는 구동기구를 포함하는 직선 이동기구와 반응관을 원통형으로 둘러싸는 가열 수단을 구비한 반도체 제조장치에 있어서 상기 반응실 플랜지의 개구를 통하여 반응실과 연이어 통하는 직선 이동기구의 공간을 원통의 내부 공간으로서 형성하는 동시에 직선 구동축의 공간측 선단부를 상기 공간내에 위치시키고, 직선 구동축에 작용시키는 축방향이 이동력이 직선 구동축의 상기 직선이동기구 공간내 선단부에 고정된 자화 방향이 축방향의 원주형 영구 자석과, 상기 직선 이동 기구의 공간을 형성하는 원통의 외부에 있어서 상기 원주형 영구 자석을 둘러싸는 자화 방향이 상기 원형 영구 자석과 반대 방향의 원환형 영구 자석을 통하여 주어지도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치 [청구항2] 제 1 항에 있어서,반응실 플랜지의 반응실 내측 표면은 외경이 반응관 내경과 대략같은 폭넓이의 플랜지를 갖는 평탄한 바닥면에 직선 구동축을 삽입 관통시키는 관통 구멍이 형성된 냄비 모양의 커버에 의하여 덮여지는 동시에 반응실 플랜지에서 이 반응실 플랜지와 냄비 모양이 커버와의 사이에 형성된 공간내에 외부로 부터 n2가스등의 반응 활성의 작은 가스를 도입하기위한 불활성 가스 도입구가 형성되고, 또 직선 이동기구의 공간을 형성하는 원통의 반응실 플랜지에서 멀리 떨어진측의 바닥면에 불활성 가스 흡입구가 형성되어서 상기 불활성 가스 도입구에서 반응실 플랜지의 개구를 통하여 직선 이동 기구를 공간내로 도입된 가스가 불활성 가스 흡입구로 부터 외부로 흡입되며, 이 공간내의 가스 압력이반응실내의반응가스압력유지되는것을특징으로 하는반도체 제조장치. [청구항3] 제 2 항에 있어서,반응실 플랜지의 반응실 내측 표면을 덮는 냄비 모양 커버의 폭이 넓은 플랜지는 반응실 플랜지의 면에밀착상태고정되는것을특징으로 하는반도체 제조장치. [청구항4] 제 2 항에 있어서,냄비 모양 커버의 평탄한 바닥면에 형성된 직선 구동축 삽입 관통용 관통 구멍는 직선 구동축 외경과의 감합 레벨을 실질 정합 상태로 한 직선 구동축과의 사이에 실질적으로 틈을 존재시키지 않는구멍인것을특징으로 하는반도체 제조장치. [청구항5] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,직선 구동축 및 냄비 모양 커버를 각각 sio2재구성한것을특징으로 하는반도체 제조장치.