문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 데이터배선층은 대응하는 복수의 박막트랜지스터의 상기 드레인전극 및 소스전극의 한쪽과 일체로 형성되고, 제 1 층(29c), 제 2 층(30c),제3층구비하는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 데이터배선층은 대응하는 복수의 박막트랜지스터의 상기 드레인적극 및 소스전극의 한쪽을 구성하는 제 1 층(131b), 제 2 층(130b)과 각각 일체로 형성된층구비하고있는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 n-형 비정질실리콘층(25, 125)과, 그 위에 형성된 n+형비정질실리콘층구성되는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 층(28)은 cr층을포함하는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 층(29)은 al 또는 al합금층포함하는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 제 3 층(31)은 mo층인것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 표시전극(33)의 일부가 상기 반도체층(27a)과 상기 제 1 층(29a) 사이에 늘어나있는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 표시전극(133)의 일부가 상기 제 1 층(128a)과 상기 제 2 층(130a) 사이에 늘어나있는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 표시전극(33, 133)은인듐과주석의산화물구성되어있는것을특징으로 하는액정표시장치용 박막트랜지스터.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 절연막(24)상 및 상기 제 2 반도체층(27a)과 상기 오미크배리어층(29a) 사이에 형성된투명전극구비하는것을특징으로 하는박막트랜지스터.
[청구항 13]
제 11 항에 있어서 상기 절연막(124)상 및 상기 오미크배리어층(129a)과 상기 주신호배선층(130a) 사이에 형성된투명전극구비하는것을특징으로 하는박막트랜지스터.
[청구항 14]
제 11 항에 있어서,상기 오미크배리어층과 상기 주신호배선층은 에칭율이 다른재료구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터.
[청구항 15]
제 11 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 n-형 비정질실리콘층(25)으로 구성되고, 상기 제 2, 제 3 반도체층은 n+형비정질실리콘층구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터.
[청구항 16]
제 11 항에 있어서,상기 오미크배리어층구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터.
[청구항 17]
제 11 항에 있어서,주신호배선층(30)은 al 또는 al합금층구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터.
[청구항 18]
제 11 항에 있어서,상기 전지반응방지층(31)은 mo층으로구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제 1 항을 인용하는 박막트랜지스터에서 반도체층은 어떠한 층들로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제 1 항을 인용하는 박막트랜지스터의 반도체층이 어떤 층들로 구성되어 있는지 확인한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 반도체층의 구성을 설명하는 내용을 추출한다.
- 상기 반도체층은 n-형 비정질실리콘층(25, 125)과, 그 위에 형성된 n+형비정질실리콘층구성되는것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection반도체층의 구성 요소인 n-형 비정질실리콘층과 n+형 비정질실리콘층에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 반도체층은 n-형 비정질실리콘층(25, 125)과, 그 위에 형성된 n+형비정질실리콘층구성되는것을특징으로 하는
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 반도체층은 n-형 비정질실리콘층과 그 위의 n+형 비정질실리콘층으로 이루어져 있음을 파악한다.
- 상기 반도체층은 n-형 비정질실리콘층(25, 125)과, 그 위에 형성된 n+형비정질실리콘층구성되는것을특징으로 하는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 반도체층의 구성 성분을 정리한다.
- 상기 반도체층은 n-형 비정질실리콘층(25, 125)과, 그 위에 형성된 n+형비정질실리콘층구성되는것을특징으로 하는
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
- 상기 반도체층은 n-형 비정질실리콘층(25, 125)과, 그 위에 형성된 n+형비정질실리콘층구성되는것을특징으로 하는
최종 답변 (final_answer)
n-형 비정질실리콘층(25, 125)과, 그 위에 형성된 n+형비정질실리콘층으로 구성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명의 박막트랜지스터 내 반도체층은 n-형 비정질실리콘층과 그 상부에 형성된 n+형 비정질실리콘층의 적층 구조로 이루어져 있다.