고온 초전도체 필름에 있어서의 그레인 경계 접합(Grain Boundary Junction) document_id 1019930702809

[청구항 2] 제2항에 있어서,상기 제1영역내의 상기 시드층은 상기 제1영역내의 상기 초전도층의 결정방향과 상기 제2영역내의 상기 초전도층의 결정방향이 서로 다르게 만들어주는 역할하는구조. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역내의 상기 기판위에 놓여진 하나 이상의 시드층을 구비하며, 상기 초전도층은 상기 제1영역내의 상기 시드층 위에 놓이며, 상기 초전도층은상기제2영역내의상기기판위에놓여있는구조. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 기판은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리아-안정화 지르코니아이며, 상기 시드층은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지는 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 기판은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리아-안정화 지르코니아이며, 상기 시드층은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지는 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 기판은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리아-안정화 지르코니아이며, 상기 시드층은 (110)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 (110)으로 표시되는 방향 및 (103)으로 표시되는 방향과, (110) 및 (103)으로 표시되는 방향과, (110) 및 (103)으로 표시되는 방향의 혼합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 결정방향을 가지며, 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지는 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 7] 제3항에 있어서,상기 기판은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트와, [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 란타늄 알루미네이트와, [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 칼슘 티타네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 상기 시드층은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 아트리아-안정화 지르코니아이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역에서 상기 기판위에 놓인 하나이상의 시드층과, 상기 제1영역에서 상기 시드층위에 놓이고 상기 제2영역에서 상기 기판위에 놓이는 하나이상의 버퍼층을 포함하며, 상기 초전도층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서상기버퍼층위에놓여지는구조. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 기판은 [2021] (1002)로 표시되는 결정방향을 가진 r-평면 알루미나이며, 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 마그네시아이며, 상기 버퍼층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 기판은 [2021] (1102)로 표시되는 결정방향을 가진 r-평면 알루미나이며, 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트이며, 상기 버퍼층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트 아래에 놓여진, 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 마그네시아이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기 기판은 [2021] (1102)로 표시되는 결정방향을 가진 r-평면 알루미나 이며, 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 마그네시아이며, 상기 버퍼층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 세리움 디옥사이드와, 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지는 스트론튜 티타네이트와, 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 란타늄 알루미네이트와, 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 칼슘 티타네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 12] 제8항에 있어서,상기 기판은 [2021] (1102)로 표시되는 결정방향을 가진 r-평면 알루미나이며, 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트와 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 칼슐 티타네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 상기 버퍼층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 마그네시아이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구조산화물인구조. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 기판은 [2021] (1102)로 표시되는 결정방향을 가진 r-평면 알루미나이며, 상기 시드층은 (001)로 표시되는 결정방향을 가진 아트리아-안정화 지르코니아이며, 상기 버퍼층은 상기 제1영역에서는 (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 (110)으로 표시되는 방향과 (103)으로 표시되는 방향과 (110) 및 (103)으로 표시되는 방향이 혼합된 것으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 14] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역에서 상기 기판위에 놓인 하나 이상의 시드층과, 상기 제1영역에서만 상기 시드층위에 놓이는 하나이상의 제1버퍼층과, 상기 제1영역 상기 제1버퍼층 위에 놓이고 상기 제2영역에서 상기 기판위에 놓이는 하나 이상의 제2버퍼층을 포함하며, 상기 초전도층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서상기버퍼층위에놓여지는구조. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 기판은 [2021] (1102)로 표시되는 결정방향을 가진 r-평면 알루미나이며, 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 마그네시아이며, 상기 버퍼층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 기판은 [2021] (1102)로 표시되는 결정방향을 가진 r-평면 알루미나이며, 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 마그네시아이며, 상기 제1버퍼층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 스트론튬 티타네이트이며, 상기 제2버퍼층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 세리움 디옥사이드와, 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지는 스트론튬 티타네이트와, 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 란티늄 알루미네이트와, 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 칼슘 티타네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리움 바리움 구리산화물인구조. [청구항 17] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서 상기 기판위에 놓인 하나 이상의 버퍼층과, 상기 제1영역에서 상기 버퍼층위에 놓이는 하나이상의 시드층을 포함하며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서 상기 시드층위에 놓여지며 상기 초전도층은 상기 제2영역에서상기버퍼층위에놓여지는구조. [청구항 18] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서 상기 기판위에 놓인 하나 이상의 제1버퍼층과, 상기 제1영역에서 상기 제1버퍼층위에 놓이는 하나이상의 시드층과, 상기 제1영역에서 상기 시드층위에 놓이고, 상기 제2영역에서 상기 제1버퍼층 위에 놓이는 하나이상의 제2버퍼층을 포함하며, 상기 초전도층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서상기제2버퍼층위에놓여지는구조. [청구항 19] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역에서 상기 기판위에 놓인 하나이상의 시드층과, 상기 제2영역에서 상기 기판위에 놓이는 하나이상의 시드층을 포함하며, 상기 초전도층은상기제1영역내의상기시드층및상기제2영역내의상기시드층위에놓여지는구조. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 기판은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리아-안정화 지르코니아이며, 상기 제1영역에 있는 상기 시드층은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트륨 바륨 구리산화물이며, 상기 제2영역에 있는 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트륨 바륨 구리산화물이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트륨 바륨 구리산화물인구조. [청구항 21] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역내에서 상기 기판위에 놓인 하나이상의 시드층과, 상기 제1영역내의 상기 시드층 및 상기 제2영역에서의 상기 기판위에 놓이는 하나이상의 버퍼층을 포함하며, 상기 초전도층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서상기버퍼층위에놓여지는구조. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 기판은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트리아-안정화 지르코니아이며, 상기 제1영역에 있는 상기 시드층은 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트륨 바륨 구리산화물이며, 상기 제2영역에 있는 상기 시드층은 [110] (001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트륨 바륨 구리산화물이며, 상기 버퍼층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지는 스트론튬 티타네이트이며, 상기 초전도층은 상기 제1영역에서는 [100] (001)로 표시되는 결정방향을 가지며 상기 제2영역에서는 [110](001)로 표시되는 결정방향을 가진 이트륨 바륨 구리산화물인구조. [청구항 23] 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서 상기 기판위에 놓이는 하나 이상의 제1버퍼층과 상기 제1영역에서 상기 기판위에 놓인 하나이상의 시드층과, 상기 제2영역에서 상기 기판위에 놓인 하나이상의 시드층과, 상기 제1영역에서의 상기 시드층 및 상기 제2영역의 상기 시드층위에 놓이는 하나이상의 버퍼층을 포함하며, 상기 초전도층은 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서상기버퍼층위에놓여지는구조. [청구항 24] 제2항에 있어서,하나 이상의 상기 중간층은 그 바로 아래의 층 위에1원자모노층이하의평균두께로놓여지는구조. [청구항 25] 제2항에 있어서,상기 중간층의 표면은 1기판의 표면과 45°미만의 각도이루는구조. [청구항 26] 제2항에 있어서,상기 중간층의 표면은 기판의 표면과 10°미만의 각도이루는구조. [청구항 27] 제2항에 있어서,상기 초전도층은 15k 이상의 초전도 천이온도를 가지는 산화물재질로 이루어지는구조. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 산화물 재질은 혼합 금속 커프라이트 및 혼합 금속 비스무타이트로 이루어진 그룹선택되는구조. [청구항 29] 제2항에 있어서,상기 부정합은 방향에 있어 5°이상미만인구조. [청구항 64] 제32항에 있어서,상기 중간층은 통상적인 리소그라피 기술을 사용하여 평면형 기판 또는 버퍼층 상에 규정되어서, 선정된 특정위치에 기하학적으로 위치한 그레인 바운다리 약한-링크 정션유도하는방법.