플라즈마 처리장치 document_id 1019940000420

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 유도부재는 나선형상있는플라즈마 처리장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 유도부재는 단일 링형상있는플라즈마 처리장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 유도부재는 동심형상으로 설치된 2개의 단일 루프형상 부재가지는플라즈마 처리장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 2개의 단일 루프형상 부재는 공급되는 고주파전력이 독립적제어되는플라즈마 처리장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 상자성 금속부재는 판형상있는플라즈마 처리장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 상자성 금속부재는 동구성되어 있는플라즈마 처리장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 상자성 금속부재는상기유도부재의중앙부대응하여설치되어 있는플라즈마 처리장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 유도부재는 그 중앙부에 공간영역을 가지는 나선형상있는플라즈마 처리장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 가스 도입수단은 상기 챔버의 상벽에 설치되고, 절연체로 되는 본체와, 가스도입구와, 다수의 가스 토출구가지는플라즈마 처리장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 고주파 인가수단더 가지는플라즈마 처리장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 가스도입수단은 상기 챔버의 상벽에 설치되고, 절연체로 되는 본체와, 가스도입구와, 다수의 가스토출구가지는플라즈마 처리장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 고주파 인가수단더 가지는플라즈마 처리장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 가스 도입수단은 상기 챔버의 상벽에 설치되고, 절연체로 되는 본체와, 가스도입구와, 다수의 가스토출구가지는플라즈마 처리장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 고주파 인가수단더 가지는플라즈마 처리장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,적어도 2개의 유도부재는 공급되는고주파전력독립하여제어되는플라즈마 처리장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 가스 도입수단은 상기 챔버의 상벽에 설치되고, 절연체로 되는 본체와, 가스도입구와, 다수의 가스 토출구가지는플라즈마 처리장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,피처리체에 고주파 바이어를 인가하는 고주파 인가수단더 가지는플라즈마 처리장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 2개의 유도부재는 공급되는 고주파 전력이 독립적제어되는플라즈마 처리장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 가스도입수단은 상기 챔버의 상벽에 설치되고, 절연체로 되는 본체와, 가스도입구와, 다수의 가스토출구가지는플라즈마 처리장치. [청구항 25] 제22항에 있어서,피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 고주파 인가수단더 가지는플라즈마 처리장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 2개의 유도부재는 공급되는 고주파 전력이 독립적제어되는플라즈마 처리장치. [청구항 28] 제26항에 있어서,상기 가스도입수단은 상기 챔버의 상벽에 설치되고, 절연체로 되는 본체와, 가스도입구와, 다수의 가스토출구가지는플라즈마 처리장치. [청구항 29] 제26항에 있어서,피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 고주파 인가수단더 가지는플라즈마 처리장치. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 자성부재는 소프트 페라이트구성되어 있는플라즈마 처리장치. [청구항 32] 제30항에 있어서,상기 자성부재는 얻도록한 플라즈마 밀도분포에 따라서 두께조절되는플라즈마 처리장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 자성부재는 외주부가 두껍고 중앙부구성되어 있는플라즈마 처리장치. [청구항 34] 제30항에 있어서,상기 자성부재는 그 피처리체면과 평행한 면절단된단면의 단면적이 상기 피처리체의 피처리면 면적보다도 큰 플라즈마 처리장치. [청구항 35] 제30항에 있어서,상기 자성부재는 그 두께가 상기 유도부재에 인가된 고주파 전류에 의하여 여기된반자장의영향무시할정도인플라즈마 처리장치. [청구항 36] 제30항에 있어서,상기 가스도입수단은 상기 챔버의 상벽에 설치되고, 절연체로 되는 본체와, 가스도입구와, 다수의 가스토출구가지는플라즈마 처리장치. [청구항 37] 제30항에 있어서,피처리체에 고주파 바이어스를 인다하는 고주파 인다수단더 가지는플라즈마 처리장치. [청구항 38] 제30항에 있어서,상기 유도부재는 단일 루프형상있는플라즈마 처리장치. [청구항 39] 제30항에 있어서,상기 유도부재는 동심형상으로 설치된 2개의 단일 루프형상 부재가지는플라즈마 처리장치. [청구항 40] 제39항에 있어서,상기 2개의 단일 루프형상 부재는 공급되는 고주파 전력이 독립적제어되는플라즈마 처리장치. [청구항 41] 제30항에 있어서,더 상기 챔버내에 형성되는 플라즈마를 제어하는 자장을 형성하기 위하여 자장형성 수단구비하고 있는플라즈마 처리장치.