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CMOS 집적회로 장치 및 그것을 사용한 데이터 처리 시스템 document_id 1019940001015

출원번호
1019940001015
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 입력 증폭기회로와 상기 출력 인터페이스 사이에서 내부 데이타 처리 cmos레벨 회로를 더 구비하고, 출력회로는 내부 데이터 처리 cmos 회로로부터 출력을 수신하는 n채널 오픈드레인 출력포함하는cmos 집적회로 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,전송선과, 상기 버퍼회로의 출력과 상기 전송선 사이에 직렬로 접속된 저항과, 상기 전송선상에 접속된 종단 풀엎 및 풀다운 저항결합한cmos lsi. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 내부 데이타처리cmos 레벨 회로는 프로그램된 표준화 조직블럭에 의해 제공된 조직 기능가지는cmos lsi. [청구항 5] 제1항에 있어서,가티브 동작 전압은 -2v이고, 포지티브 동작 전압인cmos lsi. [청구항 6] 제2항에 있어서,가티브 동작 전압은 -2v이고, 포지티브 동작 전압인cmos lsi. [청구항 7] 제3항에 있어서,가티브 동작 전압은 -2v이고, 포지티브 동작 전압인cmos lsi. [청구항 8] 제4항에 있어서,가티브 동작 전압은 -2v이고, 포지티브 동작 전압인cmos lsi. [청구항 9] 제4항에 있어서,상기 입력 증폭기회로와 상기 출력 인터페이스는 독립의 전원단자들을 통해서 전기를 공급하는 분리된 전원선가지는cmos lsi. [청구항 10] 제5항에 있어서,상기 입력 증폭기회로와 상기 출력 인터페이스는 독립의 전원단자들을 통해서 전기를 공급하는 분리된 전원선가지는cmos lsi. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기제1 및 제2 차동 증폭기의 각각에 대한 하나의 전원 전압은 ecl 레벨의 하나의 전압동일한단일 패키지 cmos lsi. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 출력 인터페이스 회로는 상기 입력 인터페이스 회로에 접속되는 같은 전압의 외부단자와 다른 외부단자로 직접 접속되는 전원선가지는단일 패케지 cmos lsi. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 출력 인터페이스 회로용 전원선은 다른 안정된 기준 전압선에 의해 lsi의 평면도상에서 서로 물리적분리되는단일 패케지 cmos lsi. [청구항 17] 제13항에 있어서,싱기 입력 이터페이스 회로는 lsi의 기판 내의 복수웰 내에서 형성되는 트랜지스터를 가지고 각 웰은 랫치엎 현상을 피하기 위해 상기 전원선 중 각 다른 단일선에 각기 다른 전압의 전원 접속가지는단일페케지 cmos lsi. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 입력 이터페이스 회로는 ecl 레벨 입력회로에서 cmos 레벨 입력회로로 상기 입력 인터페이스 회로를 바꾸기 위한 데이터를 상기 제1 및 제2단 증폭기로 선택적으로 바이패스 하는 수단포함하는단일 페케지 cmos lsi. [청구항 19] 제13항에 있어서,직렬로 ecl 레벨 전압공급 사이에 접속되며, 상기 데이터 출력단자를 그들 사이에서 접속하는 2개의 저항더 포함하는cmos lsi. [청구항 20] 제13항에 있어서,상기 입력 인터페이스 회로를 포함하는 단일칩의 외측으로 연장하는 배선으로 상기 mos 트랜지스터를 접속하고, 써지 전압으로부터 상기 입력 인터페이스 회로를 보호하기 위해 상기 입력 인터페이스 회로 및 데이터 입력단자에 접속되지 않는 상기 전원단자 중 하나 사이에 접속되는 전원 써지보호 mos 트랜지스터더 포함하는cmos lsi. [청구항 21] 제13항에 있어서,상기 전원선 모드는 상기 입력 인터페이스회로 내의 접속배선용 배선층으로부터 분리된 배선층내되도록한cmos lsi. [청구항 22] 제13항에 있어서,상기 전원선 상기 입력 인터페이스 회로 내에서 접속배선을 가지는 배선 층의 한쪽으로 두개의 분리 배선층에서 나누어지고, 상기 전원선은 가장 안정된 전원선이 입력 인터페이스 회로용 배선층과 최소의 안정 전원선 접속용 배선층 사이에 끼워진 배선층내배치되는cmos lsi. [청구항 23] 제13항에 있어서,상기 출력 인터페이스 회로는 다른 전원사이에 접속된 푸쉬풀 트랜지스터를 가지고 상기 데이터 출력 단자는 상기 푸쉬풀 트랜지스터 사이에 접속되며, 상기 푸쉬풀 트랜지스터의 하나는 상기 푸쉬풀 트랜지스터의 외부에 접속하는 다른 전원으로 게이트 배선이 설치되고, 또 cmos 출력 용량으로 상기 출력 인터페이스 회로를 제공하는 다른 회로 소자에 접속되는 게이트 배선이 설치되는 게이트를 가지며, 상기 게이트 배선 중 하나는 오픈 드레인 ecl 레벨 출력을 제공하기 위해 선택적으로 절단 또는 절단되지 않는 것중의 하나로 되고, 상기 게이트 배선 중 다른 것은 cmos 레벨 출력을 제공하기 위해 절단 또는 절단되지 않는 것중의 하나되게한cmos lsi. [청구항 27] 데이터 입력단자와, 데이터 출력단자와, 복수의 제1전원 단자와, 복수의 제2전원 단자를 포함하는 복수의 외부 단자와, 입력 인터페이스 데이터 출력과 상기 데이터 입력터미널에 직접 접속되는 입력을 가지는 입력 인터페이스 회로와, 상기 입력 인터페이스 데이투 출력에 접속되는 입력과 처리된 데이터 출력을 가지는 내부 데이터 처리회로와, 상기 처리된 데이터 출력에 접속된 데이터 입력과 상기 데이터 출력단자에 직접 접속되는 데이터 출력을 가지는 인터페이스 회로와를 구비하고, 상기 인터페이스 회로는 cmos 레벨 출력 제1회로에 대한 cmos 레벨 입력과 fcl 레벨 출력 제2회로에 대한 cmos 레벨 출력을 가지며, 상기 데이터 입력과 상기 출력 인터페이스 회로의 출력사이에서 상기 제1 및 제2회로의 하나를 영구적으로 인에이블 할 수 있고, 상기 제1 및 제2회로의 다른 하나를 영구적으로 인에이블 할 수 있도록 소거하여 프로그램 가능한 회로를 가지도록 한 단일칩 cmos lsi
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제2항 및 제4항의 구성을 모두 포함하는 CMOS 집적회로 장치에서, 내부 데이터 처리 CMOS 레벨 회로가 제공하는 조직 기능가지는 무엇에 의해 제공되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    제2항과 제4항의 구성을 모두 포함하는 CMOS 집적회로 장치에서 내부 데이터 처리 CMOS 레벨 회로의 조직 기능가지를 제공하는 구성 요소를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    제2항은 내부 데이터 처리 CMOS 레벨 회로를 포함하는 구성을 명시하고, 제4항은 해당 회로의 조직 기능가지를 제공하는 주체를 명시한다.

    • 상기 내부 데이타처리cmos 레벨 회로는 프로그램된 표준화 조직블럭에 의해 제공된 조직 기능가지는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제4항에서 '상기 내부 데이타처리cmos 레벨 회로는 프로그램된 표준화 조직블럭에 의해 제공된 조직 기능가지는'이라는 구절을 선택한다.

    • 상기 내부 데이타처리cmos 레벨 회로는 프로그램된 표준화 조직블럭에 의해 제공된 조직 기능가지는
  4. 4논리 통합logical_integration

    제2항의 구성(내부 데이터 처리 CMOS 레벨 회로)과 제4항의 설명(해당 회로의 조직 기능가지는 프로그램된 표준화 조직블럭에 의해 제공됨)을 결합한다.

    • 상기 내부 데이타처리cmos 레벨 회로는 프로그램된 표준화 조직블럭에 의해 제공된 조직 기능가지는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    조직 기능가지는 '프로그램된 표준화 조직블럭'에 의해 제공된다는 결론을 도출한다.

    • 프로그램된 표준화 조직블럭
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 '프로그램된 표준화 조직블럭'을 추출하여 제시한다.

    • 프로그램된 표준화 조직블럭
최종 답변 (final_answer)
프로그램된 표준화 조직블럭
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 CMOS 집적회로 내의 내부 데이터 처리 회로가 프로그램 가능한 표준화된 조직 블록을 통해 조직 기능가지를 수행하도록 구성된 기술적 특징을 포함한다.