문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 포텐셜장벽의 절연체로형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 포텐셜장벽nan은제2도전형불순물의고도우프농도층형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 포텐셜장벽은 상기 포텐셜장벽 이외의 영역을 형성하는 반도체와는 다른 밴드갭 에너지를 갖는반도체형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 포텐셜장벽 이외의 여역은 상기 제2도전형 베이스층의 상기 에미터전극의 하층이외의 영역에 있어서 다른 영역을 형성하는반도체의제2도전형다결정형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 포텐셜장벽 이외의 영역은 상기 제2도전형 베이스층의 상기 게이트전극의 하층이외의 영역에 있어서 다른 영역을 형성하는반도체의제2도전형다결정형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 포텐셜장벽nan은절연체형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 포텐셜장벽nan은제2도전형불순물의고도우프층형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 포텐셜장벽은 상기 포텐셜장벽 이외의 영역을 형성하는 반도체와는 다른 밴드갭 에너지를 갖는반도체형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 포텐셜장벽nan은절연체형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 13]
제11항에 있어서,상기 포텐셜장벽nan은제2도전형불순물의고도우프층형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 14]
제11항에 있어서,상기 포텐셜장벽은 상기 포텐셜장벽 이외의 영역을 형성하는 반도체와는 다른 밴드 갭 에너지를 갖는반도체형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 포텐셜장벽nan은절연체형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 17]
제15항에 있어서,상기 포텐셜장벽nan은제2도전형불순물의고도우프층형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 18]
제15항에 있어서,상기 포텐셜장벽은 상기 포텐셜장벽 이외의 영역을 형성하는 반도체와는 다른 밴드 갭 에너지를 갖는반도체형성되는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 포텐셜장벽은 상기 컬렉터층에 인접하는 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트 전극의 하층의 영역에서 상기 에미터전극의 하층이외의 영역까지의 범위의 영역으로 상기 컬렉터층에서의 다수캐리어가 주입되는 것을 방지하는위치형성되어있는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 23]
제21항에 있어서,상기 포텐셜장벽은 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트전극의 하층의 영역 또는 상기 에미터전극의 하층이외의 영역에서 상기 에미터층에 인접하는 상기 제2의 베이스층을 거쳐서 상기 컬렉터층에서의 다수캐리어가 상기 에미터전극으로 주입되는 것을 방지하는위치형성되어있는것을특징으로 하는절연게이트형 바이폴라 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터에서 포텐셜장벽이 컬렉터층에서의 다수캐리어 주입을 방지하기 위해 형성되는 구체적인 위치 범위는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터에서 컬렉터층의 다수캐리어 주입을 방지하기 위한 포텐셜장벽의 구체적인 위치 범위를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 22에서 포텐셜장벽의 위치와 그 기능(컬렉터층에서의 다수캐리어 주입 방지)에 관한 기술적 내용을 추출한다.
- 상기 포텐셜장벽은 상기 컬렉터층에 인접하는 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트 전극의 하층의 영역에서 상기 에미터전극의 하층이외의 영역까지의 범위의 영역으로 상기 컬렉터층에서의 다수캐리어가 주입되는 것을 방지하는위치형성되어있는것을특징으로 하는
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '위치 범위'를 직접적으로 명시하고 있는 청구항 22의 구절을 선택한다.
- 상기 컬렉터층에 인접하는 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트 전극의 하층의 영역에서 상기 에미터전극의 하층이외의 영역까지의 범위의 영역
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4논리 통합
logical_integration포텐셜장벽이 컬렉터층의 다수캐리어 주입을 방지하기 위해 형성되는 위치가 '제1의 베이스층의 게이트 전극 하층 영역'부터 '에미터전극의 하층 이외의 영역'까지임을 논리적으로 연결한다.
- 상기 컬렉터층에 인접하는 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트 전극의 하층의 영역에서 상기 에미터전극의 하층이외의 영역까지의 범위의 영역
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 위치 범위를 바탕으로 질문에 대한 답변을 구성한다.
- 상기 컬렉터층에 인접하는 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트 전극의 하층의 영역에서 상기 에미터전극의 하층이외의 영역까지의 범위의 영역
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 추출 형식에 맞춰 작성한다.
- 상기 컬렉터층에 인접하는 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트 전극의 하층의 영역에서 상기 에미터전극의 하층이외의 영역까지의 범위의 영역
최종 답변 (final_answer)
상기 컬렉터층에 인접하는 상기 제1의 베이스층의 상기 게이트 전극의 하층의 영역에서 상기 에미터전극의 하층이외의 영역까지의 범위의 영역
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 컬렉터층에서 에미터로 유입되는 다수캐리어를 차단하기 위해, 제1 베이스층의 게이트 전극 하층 영역부터 에미터전극의 하층 이외 영역까지 특정 범위에 포텐셜장벽을 형성하는 기술에 관한 것이다.