게이트 절연형 반도체 장치와 그 제조방법 document_id 1019940004600

[청구항 2] 제1항에 있어서,쌍의 스트라입 에리어는 제1 및 제2스트라입 에리어를 구비하고, 그리고 상기 패턴은 상기 중앙 에리어를 향하여 상기 제1 및 제2스트라입 에리어를 돌출하는 제1 및 제2치상부구비한게이트 절연형 반도체 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기제1 및 제2치상부는 서로 접속되어 있어, 상기 패턴이 사다리꼴 패턴정의 하는게이트 절연형 반도체장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 외측 에어리어는 상기 제1 및 제2치상부와함께 정렬되는게이트 절연형 반도체장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 외측에리어는 상기 제1반도체영역이 상기 반도체 몸체의 상주면에 노출된 영역연장되어 있는게이트 절연형 반도체 장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 제4반도체영역은 (a-4-1) 상기 반도체 몸체의 상부면에 선택적으로 노출되어 있는 제3부분과, (a-4-2) 상기 제1부분의 저부로부터 상기 제2반도체영역으로 선택적으로 돌출하는 제4부분구비한게이트 절연형 반도체 장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제4부분은 상기 제3부분에 있는 상기 불순물 농도보다는 높은 불순물 농도갖는게이트 절연형 반도체장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 반도체 몸체는 상기 제1반도체영역하에서 형성되어 있고 그리고 상기 반도체 몸체의 상기 저면을 노출하는 제2도전형의 제5반도체영역부가하는게이트 절연형 반도체장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제1주전극은 상기 개부부에 있어서, 상기 제3 및 제4반도체영역의 노출부분들과 접촉하고, 상기 제1주전극과 접촉하는 상기 제3반도체영역의 노출부분은 에리어 a1을 가지며, 상기 제1주전극과 접촉하는 상기 제4반도체영역의 노출부분은 에리어 a2를 가지되, 비율이하인게이트 절연형 반도체장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 비율a1(a1+a2)은 5% 내지인게이트 절연형 반도체장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 외측에리어는 상기 한 쌍의 에리어의 길이방향에 있어서 소정의 주기(h+l)에서 주기적으로 정렬된 복수의 단위 외측 에리어를 구비하고, 상기 주기대해상기 한쌍의 스트라입 에리어의 상기 길이방향에 있어서 각 단위 외측 에리어의 길이(h)의 퍼센티지는 20% 이상인 게이트 절연형 반도체장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 제3반도체영역의 시이트 저항은 소정의 단락회로내성에의해결정되는임계 시이트 저항과 같거나, 큰 게이트 절연형 반도체장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 시이트 저항은 40ω/□내지 150ω/□의 범위내에 있는게이트 절연형 반도체 장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 제어전극층의 시이트 저항은이하인게이트절연형 반도체장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 비율a1(a1+a2)은 5% 내지인게이트 절연형 반도체장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기(d)공정은, (d-1) 제2도전형의 제2불순물을 상기 제1개구부를 통하여 상기 반도체 몸체의 상주면으로 선택적으로 주입하는 공정과, (d-2) 상기 제2불순물을 상기 제어전극층 아래에 있는 상기 반도체 몸체의 일부분으로 선택적으로 확산하여 상기 제2반도체영역을 형성하는 공정포함하는게이트 절연형 반도체장치의 반도체. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 공정(c-1)은, (c-1-1) 상기 산화막상에 반도체층을 형성하는 공정과, (c-1-2) 상기 제1도전형의 불순물을 상기 반도체층으로 주입하는 공정포함하는게이트 절연형 반도체 장치의 제조방법.