문맥 (context)
[청구항 1]
반도체기판; 상기 반도체기판에 활성영역을 한정하기 위하여 형성된 트랜치분리영역
상기 트랜치 분리영역이 형성된 반도체기판 상에 형성된 비트라인
상기 비트라인 상에 형성되고, 그 하부로부터 상부로 트랜지스터의 드레인, 채널, 및 소오스영역이 차례로 형성된 실리콘 필라
상기 실리콘 필라를 둘러싸며 그 위에 차례로 형성된 게이트절연막 및 게이트라인
인접한 게이트라인들 사이에 형성된 평탄화층
상기 게이트라인 상에 형성되고, 상기 트랜지스터의 소오스영역을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연층
및 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 트랜지스터의 소오스영역에 접속되는 커패시터의 스토리지노드를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 비트라인은 에피택시얼반도체층이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 비트라인은 상기 활성영역과 동일한패턴형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 실리콘 필라는 에피택시얼반도체층이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 5]
반도체기판 상기 반도체기판에 활성영역을 한정하기 위하여 형성된 다수의 제1트랜치 분리영역들
상기 제1트랜치 분리영역들 사이에 형성되고, 상기 반도체기판의 표면부위에서 벌크쪽으로 차례로 형성된 트랜지스터의 소오스, 채널 및 드레인영역으로 이루어진 실리콘 필라
상기 실리콘 필라의 일측면에 접하여 상기 실리콘 필라의 드레인영역까지 형성된 제2트랜치
상기 제2트랜치의 하부에 형성된 비트라인
상기 제2트랜치의 내부를 매립하는 절연막
상기 실리콘 필라의 타측면을 둘러싸며 차례로 형성된 게이트절연막 및 게이트라인
인접한 상기 게이트라인들 사이에 형성된 평탄화층
상기 게이트라인 상에 형성되고, 상기 트랜지스터의 소오스영역을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연층
및 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상 트랜지스터의 소오스영역에 접속되는 커패시터의 스토리지노드를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 제2도전형의 매몰 불순물층은 상기 반도체기판에 제2도전형의 제1불순물 이온을 제1에너지로 주입하여 형성하고, 상기 제2도전형의 표면 불순물층은 상기 반도체기판에 제2도전형의 제2불순물 이온을 상기 제1에너지보다 낮은 제2에너지로 주입하여형성하는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 장치에서 실리콘 필라의 구성 요소들은 비트라인을 기준으로 하부에서 상부 방향으로 어떠한 순서로 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1의 실리콘 필라 구성 요소들이 비트라인을 기준으로 하부에서 상부로 형성되는 순서를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 실리콘 필라에 대한 설명을 추출한다.
- 상기 비트라인 상에 형성되고, 그 하부로부터 상부로 트랜지스터의 드레인, 채널, 및 소오스영역이 차례로 형성된 실리콘 필라
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3근거 선택
evidence_selection비트라인 상부의 실리콘 필라 구성 요소 순서가 명시된 구절을 선택한다.
- 그 하부로부터 상부로 트랜지스터의 드레인, 채널, 및 소오스영역이 차례로 형성된
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4논리 통합
logical_integration비트라인을 기준으로 하부에서 상부 방향으로 드레인, 채널, 소오스영역이 순차적으로 배치됨을 확인한다.
- 그 하부로부터 상부로 트랜지스터의 드레인, 채널, 및 소오스영역이 차례로 형성된
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 드레인, 채널, 소오스영역 순서임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 순서를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
드레인, 채널 및 소오스영역이 하부에서 상부 방향을 향해 차례로 수직 적층된 순서를 통하여 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 비트라인 상부에 실리콘 필라를 형성하며, 해당 필라 내부에 드레인, 채널, 소오스 영역이 수직 방향으로 적층된 구조를 특징으로 한다.