반도체웨이퍼에이온들을주입하는방법,비-래스터주사주입장치,표면을갖는반도체웨이퍼로의주입방법,및워크피스처리방법및장치 document_id 1019940009891

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 플라즈마 상기 제1고전압 단기간 펄스의 적용 바로 후에 즉시 제2방출 전자에 의해 bf3기체 분자에서 전자를 제거하므로서 형성되고, 반면, 음 외장(sheath) 전압이 상기 제1전극에 근접하여형성되는것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 3] 제2항에 있어서,6인치 웨이퍼에 대한 상기 제1단기간 펄스는10마이크로세컨드정도인것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제1단기간 펄스는1퍼센트정도의충격계수갖는것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 6] 제5항에 있어서,표면 전하 중성화 전자 흐름을 제공하는 단계는, 상기 배출된 채임버에 저온 캐소드 전자 소스를 제공하는 단계와, 제2고전압 펄스를 가진 저온 캐소드 전자 소스가 반복적으로 펄싱하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 전자 소스 펄상은상기제1고전압 펄스동기되는것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제2고전압 펄스는 상기 제1고전압 펄스가 스위치 오프되는 동시에스위치온되는것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기 플라즈마는 상기 고전압 단기간 펄스가에 의해 bf3기체 분자에서 전자를 제거하므로서 형성되고 여기서 음외장 전압이 상기 제1전극을 향해 양의 플라즈마 이온을 가속하도록 하는 상기 제1전극에 근접하여형성되는것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 9] 제8항에 있어서,동작 동안, 최적 농도에서 상기 bf3가스를 갖는 배출된 채임버 압력은 1미리토르정도인것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 10] 제6항에 있어서,바이어스 전압은 상기 웨이퍼의 표면에 위치하며 음으로 충전된 입자를 편향시키기 위해상기목표물인가되는것을특징으로 하는pi3공정. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 제1고전압 펄스에 응답해서 웨이퍼에 주입 이온 전하 흐름에 응답하여 상기 전극 전류를 표시하는 출력 신호를 제공하기 위한 제1 및 제2고전압 펄스를 제공하는 수단과, 상기 전극사이에 접속된전극 전류센싱수단구비하는것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 전극 전류 센싱 수단의 출력 신호 및 상기 동기화 트리거 수단에 접속되며 상기 웨이퍼에 주입되는 도핑 불순물의 도스를 표시하는 신호를 결정하기 위한 상기 주입 이온 전하 흐름의 시간 적분을 계산하는 수단을 포함하는도즈제어기구비하는것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 도즈 제어기는 상기 도즈를 표시하는 신호와 동작자 선택 도즈 끝단 신호를 비교하기 위한 수단과, 상기 도즈 끝단이 제공될 때 상기 비교에 응답하여 제1 및 제2고전압 펄스를 공급하기 위한 수단에 의해 펄싱을 불연속화하는수단구비하는것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 전자 소스는 플라즈마 종류에 대해 화학적으로는 비활성인전기적전도성물질인것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 전자 소스는 무정형 탄소 물질 또는 순수한탄소물질로이루어지는것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 17] 제11항에 있어서,상기 전자 소스는 ni 또는 ni피복물질로이루어지는것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 18] 제11항에 있어서,상기 전자 소스는 전자 방출 효과를 개선시키기 위해 불균일한표면갖는것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기불균일한 표면에 미세 방출 정점(tips)을제공주는것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 20] 제11항에 있어서,상기 전극은 음으로 충전된 이온이 웨이퍼에 도달하려 할 때 최대한 편향시키기 위해 저전압 음바이어스전압공급기더접속된것을특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치. [청구항 21] 제11항에 있어서,제1전원 공급기와 제2전원 공급기를 포함하는 제1 및 제2고전압 펄스를 제공하기 위한 수단특징으로 하는비라스터 스캔 주입 장치.