문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터(bti)가 상기 퓨즈(fi)의 타단에 에미터가 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속되는 피엔피형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 제1모오스트랜지스터(sti)가 채널의 양단이 상기 피엔피형 바이폴라 트랜지스터의 베이스단자와 기준전압 사이에 접속되고 게이트단자가 프로그램시 퓨즈선택신호(gi)에 제어되는 엔채널 모오스 트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 전기적으로 프로그램가능한퓨즈소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터(bti)가 상기 퓨즈(fti)의 타단에 콜렉터가 접속되고 에미터단자가 접지전압에 접속되는 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 제1선택트랜지스터(sti)가 채널의 양단이 상기 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 전원전압 사이에 접속되고 게이트단자가 프로그램시 퓨즈선택신호에 제어되는 엔채널 모오스 트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 전기적으로 프로그램가능한퓨즈소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 퓨즈소자가폴리실리콘저항형성됨을특징으로 하는반도체 메모리장치의 퓨즈소자.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 제1도전형영역(26)의 불순물농도특징으로 하는반도체 메모리장치의 퓨즈소자.
[청구항 7]
제4항에 있어서,상기 드레인영역(22)의 불순물농도가 적어도 5e17~5e18이온특징으로 하는반도체 메모리장치의 퓨즈소자.
[청구항 8]
제6항에 있어서,상기 제1도전형영역(26)은 bf2 또는 보론을 주입하여형성됨을특징으로 하는반도체 메모리장치의 퓨즈소자.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 드레인영역(22)은 인 또는 아세닉을 주입하여형성됨을특징으로 하는반도체 메모리장치의 퓨즈소자.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터가 상기 퓨즈의 타단에 에미터가 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속되는 피엔피형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 모오스트랜지스터가 채널의 양단이 상기 피엔피형 바이폴라 트랜지스터의 베이스단자와 기준전압 사이에 접속되고 게이트단자가 퓨즈선택신호에 제어되는엔채널모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는퓨즈소자.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터가 상기 퓨즈의 타단에 콜렉터가 접속되고 에미터단자가 접지전압에 접속되는 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 모오스트랜지스터가 채널의 양단이 상기 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 전원전압 사이에 접속되고 게이트단자가 퓨즈선택신호에 제어되는엔채널모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는퓨즈소자.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터가 상기 퓨즈의 타단에 에미터가 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속되는 피엔피형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 모오스 트랜지스터가 채널의 양단이 상기 피엔피형 바이폴라 트랜지스터의 베이스단자와 접지전압 사이에 접속되고 게이트단자가 제1 또는 제2전압레벨의 퓨즈선택신호에 제어되는엔채널모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는퓨즈소자.
[청구항 15]
제13항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터가 상기 퓨즈의 타단에 콜렉터가 접속되고 에미터단자가 접지전압에 접속되는 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 모오스 트랜지스터가 채널의 양단이 상기 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 전원전압 사이에 접속되고 게이트단자가 제1 또는 제2전압레벨의 퓨즈선택신호에 제어되는엔채널모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는퓨즈소자.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터가 상기 퓨즈의 타단에 에미터가 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속되는 피엔피형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 모오스 트랜지스터가 채널의 양단이 상기 피엔피형 바이폴라 트랜지스터의 베이스단자와 기준전압 사이에 접속되고 게이트단자가 퓨즈선택신호에 제어되는엔채널모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는퓨즈소자.
[청구항 18]
제16항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터가 상기 퓨즈의 타단에 콜렉터가 접속되고 에미터단자가 접지전압에 접속되는 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 모오스트랜지스터가 채널의 양단이 상기 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 전원전압 사이에 접속되고 게이트단자가 퓨즈선택신호에 제어되는엔채널모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는퓨즈소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
피엔피(pnp)형 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 퓨즈 소자에서, 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 컬렉터 단자는 각각 어떻게 연결되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation피엔피(pnp)형 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 퓨즈 소자에서 에미터와 컬렉터 단자의 연결 방식을 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2, 11, 14, 17에서 피엔피형 바이폴라 트랜지스터의 연결 구조에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 바이폴라 트랜지스터(bti)가 상기 퓨즈(fi)의 타단에 에미터가 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속되는 피엔피형 바이폴라 트랜지스터
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 피엔피형 트랜지스터의 에미터와 컬렉터 연결에 대한 직접적인 구절을 선택한다.
- 에미터가 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속되는 피엔피형 바이폴라 트랜지스터
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 에미터는 퓨즈의 타단에, 컬렉터 단자는 접지전압에 연결됨을 확인한다.
- 상기 퓨즈(fi)의 타단에 에미터가 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속되는
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5결론 도출
conclusion_formulation에미터는 퓨즈의 타단에 접속되고, 컬렉터 단자는 접지전압에 접속된다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변을 추출형 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
에미터가 퓨즈의 타단에 접속되고 컬렉터단자가 접지전압에 접속된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 피엔피형 바이폴라 트랜지스터의 에미터는 퓨즈의 타단에, 컬렉터는 접지전압에 연결함으로써 퓨즈 소자의 전기적 구성을 정의한다.