정전척 및 그의 제조방법 document_id 1019940012311

[청구항 2] 제1항에 있어서,절연부재는 열경화형의 접착제접착되어 있는정전척. [청구항 3] 제1항에 있어서,절연부재를 상기 제1급전핀및 서셉터의 각각에 접착고정하는 접착부재더욱 가지는정전척. [청구항 4] 제3항에 있어서,절연부재 및 접착부재는 함께 폴리 벤즈이미다졸로 되는정전척. [청구항 5] 제3항에 있어서,제1급전핀과, 절연부재와의 사이에 접착부재의 두께가 0.1 mm이하이고, 절연부재와 서셉터와의 사이의 접착부재의 두께이하인정전척. [청구항 6] 제3항에 있어서,또한 폴리 벤즈 이미다졸의 평균분자수가 2000~100,000의범위인정전척. [청구항 7] 제3항에 있어서,폴리 벤즈 이미다졸 용액을 조제하기 위한 용제는 n,n-디메틸아세트아미드, n,n-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 및 n-메틸-2-피로리돈으로 되는 군으로 선택되는 적어도 1종류용제인정전척. [청구항 8] 제7항에 있어서,용제는 비등점 167℃의 n,n-디메틸아세트아미드인정전척. [청구항 9] 제1항에 있어서,제1급전핀은금속제인환봉인정전척. [청구항 10] 제1항에 있어서,제1급전핀의 한쪽끝단부는 다른쪽끝단부보다 소직경이고, 이 소직경의 끝단부가 상기 접속도체접촉되어 있는정전척. [청구항 11] 제1항에 있어서,및 제2급전핀은 함께 알루미늄 또는 알루미늄합금제이고, 절연부재 및 접착부재는 함께 폴리 벤즈이미다졸로 되는정전척. [청구항 12] 제1항에 있어서,절연부재의 두께는 1mm이상인정전척. [청구항 13] 제1항에 있어서,서셉터는 복수의 서셉터부재로 되고, 절연피복을 서셉터로부터 떼어내면 복수의 서셉터부재는절연부재의곳서로분리할수있는정전척. [청구항 14] 제1항에 있어서,서셉터는 절연피복에 접하는 쪽의 면을 양극 산화막 처리하고, 중심선 평균거침 ra가 0.1a~0.5a로 될때까지 연마된알루미늄제부재로할수있는정전척. [청구항 16] 제15항에 있어서,차단부재는 크리어런스의 적어도 일부에 충진된 열경화형접착제인정전척. [청구항 17] 제15항에 있어서,차단부재는 크리어런스의 모두에 충진된 열경화형접착제인정전척. [청구항 18] 제15항에 있어서,차단부재는 크리어런스의 적어도 일부에 충진된 액폭시계접착제인정전척. [청구항 19] 제15항에 있어서,차단부재는 크리어런스의 한쪽끝단부의 피복시킨 절연성의 시일 브레이트부재인정전척. [청구항 21] 제20항에 있어서,반 도전피복과, 피처리체와의 사이에 작용하는 정전인력은 주로 존센라백 효과생기는정전척. [청구항 22] 제20항에 있어서,반 도전피복의 비저항은센티미터인정전척. [청구항 23] 제20항에 있어서,반 도전피복의 비저항은센티미터인정전척. [청구항 24] 제20항에 있어서,반 도전피복은 탄화계의 규소세라믹으로 이루어지고, 도전막은 ag-pd소성시이트또는텅스텐시이트로할수있는정전척. [청구항 25] 제20항에 있어서,반 도전피복은 알루미나계 세라믹계로 이루어지고, 도전막은 ag-pd소성시이트또는텅스텐시이트로할수있는정전척. [청구항 26] 제20항에 있어서,플라즈마 생성용의 전극막을 가지며, 이 전극막과 정전흡착용의 상기 도전막과의 사이에 중간피복삽입되어 있는정전척. [청구항 27] 제26항에 있어서,중간피복은 sic시이트또는폴리이미드 수지시이트로할수있는정전척. [청구항 28] 제26항에 있어서,플라즈마 생성용의 전극막 및 정전흡착용의 도전막은 단극타입인정전척. [청구항 29] 제26항에 있어서,피처리체가 접촉하는 반 도전피복의 표면은 평탄도가 3㎛ 미만이고, 중심선 평균거침미만인정전척. [청구항 34] 제33항에 있어서,조립치구 본체의 유지부를 서셉터의 급전구멍에 대하여, 위치맞춤 시키고, 조립치구 본체를 서셉터에 고정하고, 서셉터의 급전구멍에 급전핀을 삽입함과 동시에, 급전핀의 꼬리끝단부를 조립치구 본체의 유지부에 볼트고정하고, 급전핀과 급전구멍과의 사이 간극에 접착제를 주입하면서, 배기구멍을 통하여, 급전구멍내의 공기를 배기하고, 접착제를 가열하고, 경화시키며, 조립치구 본체를 서셉터로부터 떼어내고, 서셉터로부터는 급전핀의 꼬리끝단부 및 접착제제거하는정전척의 제조방법.