반도체집적회로장치및그제조방법 document_id 1019940020874

[청구항 3] 제1항에 있어서,상기 직접주변회로의 n채널형 misfet을 상기 메모리셀의 메모리셀선택용 misfet과 평면적으로 동일한 형상, 동일한치수구성한것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 직접주변회로의 제1의 패드층을 상기 메모리셀의 정보축적용 용량소자의 축적전극과 평면적으로 동일한 형상, 동일한치수구성한것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 직접주변회로는 1쌍의 n채널형 misfet으로 래치회로를 구성한센스엠프인것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 비트선이 상기 제2도전막으로 구성된 서브비트선과 상기 제5도전막으로 구성된 메인 비트선으로 계층화되고, 상기 서브비트선과 상기 메인비트선이 n채널형 misfet을 거쳐서접속되어있는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기제1 및 제2의 능동영역은 상기 행 및 열방향에 대해서 경사진 방향배치되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 메모리셀영역에 있어서 상기 서브비트선은 상기 서브비트선과 상기 제1반도체영역간에 형성된 제1플러그전극을 거쳐서 상기 제1반도체영역접속되는반도체집적회로장치. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 메모리셀영역에 있어서 상기 제2반도체영역은 제2 및 제3플러그전극을 거쳐서 상기 용량소자접속되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 14] 제10항에 있어서,상기 스위칭misfet의 제3반도체영역은 상기 제4플러그전극을 거쳐서 상기 서브비트선과접속되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 15] 제10항에 있어서,상기 스위칭misfet의 제4반도체영역은 제5 및 제6플러그전극을 거쳐서 상기 메인비트선과접속되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 16] 제10항에 있어서,상기 용량소자는 축적전극과 축적전극상에 마련된 플레이트전극을 갖고, 상기 제4반도체 영역은 상기 축적전극과 같은 층의 도전막으로 구성된 패드층을 거쳐서 상기 메인비트선접속되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 스위칭misfet의 제4반도체영역은 상기 제5 및 제6플러그전극, 상기 축적전극과 같은 층의 도전막으로 구성된 패드층을 거쳐서 상기 메인비트선과접속되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 18] 제10항에 있어서,상기 스위치영역에 상기 서브비트선과 프리챠지전압공급배선간에 접속된 프리챠지 misfet을 또 갖고, 상기 프리챠지 misfet은 상기 배선과 상기 제3 및 제4반도체영역으로 이루어진반도체집적회로장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 용량소자는 축적전극과 축적전극상의 플레이트전극을 갖고, 상기 프리챠지전압공급배선은 상기 축적전극과 같은 층의도전막으로 이루어진반도체집적회로장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 프리챠지전압공급배선은 상기 행방향연장하는반도체집적회로장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 프리챠지misfet의 게이트전극을 구성하는 배선과, 상기 스위칭 misfet의 게이트전극을 구성하는 배선은 양자로 상기 1쌍의 배선구성하는반도체집적회로장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 스위칭misfet과 상기 프리챠지 misfet는 1개의 상기 제2의 능동영역중형성되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 스위칭misfet과 상기 프리챠지 misfet는 각각의 제2의 능동영역중형성되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 24] 제10항에 있어서,상기 반도체기판은 상기 메모리셀영역과 스위치영역과는 다른 영역에 주변회로형성영역을 갖고, 상기 주변회로형성영역에는 주변회로용형성되어 있는반도체집적회로장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기nan메모리셀영역과 상기 스위치영역의 반도체기판의 주면은 상기 주변회로형성영역의 반도체기판의 주면보다도 낮은 반도체집적회로장치.